TY - JOUR A2 - Lai, Joseph AU - Tang, Jianshi AU - Wang, Chiu-Yen AU - Xiu, Faxian AU - Zhou, Yi AU - Chen, Lih-Juann AU - Wang，康l . PY - 2011 DA - 2011/10/04 TI - Ge纳米线的形成和设备应用异质结构通过快速热退火SP - 316513六世- 2011 AB -我们回顾了Ge纳米线异质结构的形成及其场效应特征的控制反应之间的单个水晶Ge纳米线和倪接触垫使用简单快速的热退火过程。扫描电子显微镜和透射电子显微镜显示的广泛温度范围为400 ～500°C将Ge纳米线转化为单晶Ni₂通用电气/电气/镍₂具有原子尖界面的Ge纳米线异质结构。更重要的是，我们研究了氧化约束对锗纳米线中锗化镍形成过程的影响。与Ni的形成形成对比₂通用电气/电气/镍₂Ge纳米线异质结构，在Ni之间形成了一段高质量的外延nge₂Ge与Al的限制₂O_3.在退火。在两种Ge纳米线异质结构中均观察到一种扭曲的外延生长模式，以适应Ni中的大晶格失配_x通用电气/通用接口。此外，我们还演示了使用锗化镍区域作为锗纳米线通道的源漏触点的场效应晶体管。我们的Ge纳米线晶体管表现出了高性能 p类型行为与10的高开/关比率⁵场效应空穴迁移率为210厘米²/Vs，与未反应的Ge纳米线晶体管相比有明显的改进。SN - 1687-8434 UR - https://doi.org/10.1155/2011/316513 DO - 10.1155/2011/316513