TY -的A2 jes威廉。a . AU - Saraf l . v . AU -王,c . m . AU -恩格尔哈德,m . h . AU - Nachimuthu p . PY - 2008 DA - 2008/05/21 TI - 10 - 12单元的表面和界面性质厚溅射沉积外延CeO₂电影SP - 206019六世- 2008 AB -超薄和连续外延电影放松晶格应变可以保持更多的主要理化性质,是有用的作为缓冲层。我们研究表面、界面和微观结构性能的超薄( ∼ 10 - 12单元细胞厚)外延生长在单晶二氧化铈电影YSZ基质。的外平面及平面点阵参数表明放松在连续电影由于不适应环境的混乱被高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和衬底的粗糙度 ∼ 1 - 2单元细胞,证实了原子力显微镜和介绍。二次溅射的结合,晶格失配、衬底表面粗糙度,表面减少创建二级阶段可能是表面粗糙度的原因应减少到最低水平的有效使用它作为缓冲层。SN - 1687 - 8434你2008/206019 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2008/206019——摩根富林明——在材料科学研究快报PB - Hindawi出版公司KW - ER