年月A2-肖、舒远欧柳、岳伯欧柳、洪汇欧阳、杭欧瑶、万清欧旺、凤阁欧仁、袁欧深、钧玉欧章、闵杰欧武、智胜欧柳、杨欧章、百骏PY-2021 DA-2021/04/28 TI-硅上TI-微金字塔垂直紫外GaN/AlGaN多量子阱发光二极管（111）采用选择性面积生长法在Si（111）衬底上制备了SP-9990673 VL-2021ab微金字塔垂直GaN基紫外（UV）发光二极管（led），以减少穿线位错和偏振效应。由于底部位错和金字塔六个平面的90°螺纹位错（TDs）的泄漏电流和非辐射复合，在较低电流下金字塔底部和六个平面没有发光，金字塔顶部是高亮度区域。微金字塔紫外发光二极管在小电流注入下具有较高的光输出强度，单位面积串联电阻仅为传统垂直发光二极管的四分之一，因此在驱动电路下具有较高的输出功率。单个微金字塔紫外LED的反向泄漏电流为2 纳特−10 V.SN-1687-8108 UR-https://doi.org/10.1155/2021/9990673 DO-10.1155/2021/9990673 JF-凝聚态物理进展PB-Hindawi KW-ER-