TY -的A2 Wysin加里盟——徐,帮派AU - Lei,郝PY - 2021 DA - 2021/03/11 TI -硒化镓的调优电子特性/硅烷范德瓦耳斯由外部电场和应变异质结构:第一原理研究SP - 5514897六世- 2021 AB -硒化镓/硅的电子结构(硒化镓/硅)范德瓦耳斯就是secu * tanu减去vdW()异质结构在回应一个垂直电场通过第一原理计算和应变进行了研究。异质结构的间接带隙特性的范围(−1.0−0.4)V /和直接带隙特性范围−0.3、0.2 V /。此外,ⅱ型i型乐队对齐转变出现在−−0.7和0.3 V /。此外,就是secu * tanu减去vdW硒化镓/硅异质结二型乐队对齐不堪重负,但间接直接带隙半导体转变发生在−3%。这些结果表明,硒化镓就是secu * tanu减去vdW /硅异质结构可以应用于新型纳米电子和光电设备。SN - 1687 - 8108 UR - https://doi.org/10.1155/2021/5514897 - 10.1155 / 2021/5514897摩根富林明凝聚态物理的进步PB - Hindawi KW - ER