TY -的A2费尔南多Gayanath盟——张Chunhong盟——张中正盟——燕,Wanjun盟——秦,鑫茂PY - 2021 DA - 2021/07/01 TI -掺杂效应的光电性能Borophene SP - 3718040六世- 2021 AB - Borophene是一种新型的二维材料具有一系列独特而多样化特性。然而，大多数研究仍处于起步阶段，尚未深入研究。特别是在半导体光电子领域，还没有关于硼酚光电性质调制的相关研究。本文采用第一性原理赝势平面波方法研究了掺杂对硼酚光电性质的影响。我们计算了杂质的几何结构、电子结构、Mulliken布居分析和光学性质( X= Al, Ga)掺杂 α表borophene。结果表明 α-片硼烯是一种间接带隙半导体，具有1.396 eV。Al和Ga掺杂后禁带宽度变宽，禁带宽度分别为1.437 eV和1.422 eV。由于少量Al-3p电子与Ga-4p态电子以及大量b2p态电子在费米能级附近发生轨道杂化，掺杂后硼酚的能带隙发生变化，态电子密度峰值降低。Mulliken群体分析表明，B₀-B键主要是共价键，但也有少量离子键。然而,当掺杂杂质X, X和B原子之间的电荷转移显著增加,和相应的取向的人口债券减少,表明共价键强度的化学键掺杂系统减弱,和化学键有明显的方向性。光学性质计算表明，硼酚材料的静态介电常数增大，并出现新的介电峰，说明Al和Ga的掺杂增强了硼酚储存电磁能量的能力。掺杂后，峰值反射率降低，静态折射率降低 n ₀增加，也填补了硼酚材料对红光和红外光吸收的空白。研究结果为硼烯材料在红外探测器件领域的发展提供了依据。上述结果表明，掺杂可以调节薄膜的光电特性 α表borophene。SN - 1687-8108 UR - https://doi.org/10.1155/2021/3718040 DO - 10.1155/ 201 /3718040 JF -凝聚态物理进展