TY - A2的胡主任朱之鑫AU -焦,Lei AU -王,Yuehui盟智,Yusong AU -崔,魏盟-陈(AU -张小盟-杰,文静盟——吴,镇坪PY - 2018 DA - 2018/04/15 TI -二维层状金属氧化物半导体的制备和表征₂脉冲激光沉积薄膜的SP - 3485380六世- 2018 AB -直接均匀圆片规模增长二维(2 d)分层材料使用一个通用的方法是至关重要的,利用2 d层到实际的应用程序中。在这里,我们报告的结构和运输大型few-layer金属氧化物半导体的性质₂back-gated场效应晶体管(fet),制造使用传统的脉冲激光沉积(骑士)技术。拉曼光谱和透射电子显微镜结果证实,得到金属氧化物半导体₂层SiO₂/ Si衬底多层膜。场效应晶体管的设备有一个相对高的开/关5×10的比例²和移动0.124厘米²V⁻¹年代⁻¹。我们的研究结果表明,骑士将会是一个合适的途径发展二维层为未来工业设备应用程序。SN - 1687 - 8108 UR - https://doi.org/10.1155/2018/3485380 - 10.1155 / 2018/3485380摩根富林明凝聚态物理的进步PB - Hindawi KW - ER