TY -的A2黄Shuan-Yu AU -天山,Chuen-Lin AU -林,此次非盟- Chang Chih-Kai AU - Tang Chien-Jen PY - 2018 DA - 2018/02/07 TI -氧气流量对光学,电子,和机械性能的直流溅射ITO薄膜SP - 2647282六世- 2018 AB -本研究提出了氧气流量的影响光学,电子,机械性能的氧化铟锡(ITO)薄膜由直流磁控溅射技术。氧气流量从10至50 sccm不一。ITO薄膜沉积在不同氧流量展览不同的属性。我们使用了一个光学分光计来测量光学透过率和四探针仪确定电阻率。自制Twyman-Green干涉仪用于评估残余应力和微观干涉仪是用来测量ITO薄膜的表面粗糙度。实验结果表明,平均在可见范围光学透过率大于85%;电阻率最低 6.85 × 10 - - - - - - 4 ohm-cm 10 sccm的氧气流。残余应力是不同的从−0.15绩点0.34−GPa在10 - 50 sccm的范围。均方根(rms)表面粗糙度变化从2.64到2.74 nm的氧气流量增加。结果表明,氧流量对电阻率具有显著影响,残余应力,ITO薄膜的表面粗糙度。SN - 1687 - 8108 UR - https://doi.org/10.1155/2018/2647282 - 10.1155 / 2018/2647282摩根富林明凝聚态物理的进步PB - Hindawi KW - ER