TY -的A2 Bonilla路易斯·l . AU -罗德里格斯,r . AU -冈萨雷斯,b . AU -加西亚,j . AU -拉萨罗,a . AU - Iniguez b . AU -埃尔南德斯,a . PY - 2016 DA - 2016/10/26 TI -大信号DG-MOSFET造型为RFID整流SP - 8017139六世- 2016 AB -分析整流器的无掺杂DG-MOSFETs能力操作射频识别和无线电力传输(WPT)在微波频率。为了这个目的,一个大信号Verilog-A紧凑模型已经开发和实现。模型的数值验证了一个设备模拟器(Sentaurus)。发现阶段的数量达到要求的最优整流器性能不如传统mosfet。此外,直流输出电压可以增加使用适当mid-gap金属门,锡。小短沟道效应的影响(sc)整改也指出。SN - 1687 - 8108你2016/8017139 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2016/8017139——摩根富林明-凝聚态物理的进步PB Hindawi出版公司KW - ER