TY - A2的太阳,年x非盟- Nesamani,即弗公主盟——Prabha诉Lakshmi AU -保罗,Aswathy Nirmal, AU - d . PY - 2014 DA - 2014/02/16 TI -几种纳米氧化锆和单斜介质研究SP - 828492六世- 2014 AB -二氧化锆是一种潜在的高 κ材料,可以代替二氧化硅。二氧化锆纳米粒子在室温下使用溶胶-凝胶法合成过程。结构和形态特征的纳米二氧化锆使用红外光谱,扫描电镜,x射线衍射和透射电镜。ZrO合成的颗粒大小₂观察到在50 - 80纳米的范围平均2 - 10纳米的微晶尺寸。结果与商业粗氧化锆相比显示出粒径在900纳米的范围- 2.13µm和微晶尺寸5.3 nm-20海里。预计ZrO的纳米级和高介电常数₂将取代低有用吗 κSiO₂高的介电- κZrO₂互补金属氧化物半导体制造技术。合成ZrO₂进行阻抗分析,表现出25的介电常数在短时间内找到通道等设备的应用多个门FinFETS和作为一个合适的替代传统的栅氧化层电介质SiO吗₂介电值为3.9,无法生存的挑战结束氧化厚度≤1海里。SN - 1687 - 8108你2014/828492 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2014/828492——摩根富林明-凝聚态物理的进步PB Hindawi出版公司KW - ER