TY - Jour A2 - 王，丹阳奥雄，杰奥 - 夏，玉通奥 - 张，费奥 - 薛，闫奥 - 胡，凯奥钊，晓辉奥涛，鲍安PY - 2013 DA - 2013 /12/04 Ti - 缓冲层表面形貌对YBCO涂层导体临界电流密度的影响 - 673948 VL - 2013 AB - 1
μ.
m-厚
yba.
2
CU.
3.
O.
7.
-
δ.
（YBCO）薄膜在Y上生长2O.3./ yttria稳定氧化锆（YSZ）/ CEO2使用直流溅射具有不同表面形态的缓冲层。临界电流密度（
j
C
）YBCO的价值为1.1 mA / cm2当根均方形表面粗糙度时（
R.
rms.
）缓冲层为2.5nm。作为
R.
rms.
缓冲层增加到15 nm，
j
C
减少到0.3 mA / cm2。X射线衍射和扫描电子显微镜显示YBCO膜与不同的缓冲层的结构和表面形态的演变的强烈相关性
R.
rms.
。提出了一种模型来解释表面形态对YBCO薄膜超导性能的影响。SN - 1687-8108 UR - https://doi.org/10.1155/2013/673948 Do - 10.1155/2013 / 673948 JF - 炼细物理物理PB - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -