TY -的A2 -李,全非盟-吴Ya-Fen PY - 2012 DA - 2012/10/31 TI -高温致发光与多个量子InGaN /氮化镓发光设备壁垒SP - 145689六世- 2012 AB -我们调查的高温特性InGaN /氮化镓多重量子井发光设备有无多个量子障碍(MQBs)的深度。致发光测量进行了从200年到380 K温度范围内,注射当前水平从1到100 mA。加强载体监禁和更强的载体定位在活性层与MQBs实现示例。此外,它是发现,样品的外部量子效率具有MQBs高于样品的氮化镓的障碍。MQB结构提高了发光的高温操作设备。SN - 1687 - 8108你2012/145689 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/145689——摩根富林明-凝聚态物理的进步PB Hindawi出版公司KW - ER