JSgydF4y2Ba 杂志上的传感器gydF4y2Ba 1687 - 7268gydF4y2Ba 1687 - 725 xgydF4y2Ba HindawigydF4y2Ba 10.1155 / 2017/4078240gydF4y2Ba 4078240gydF4y2Ba 研究文章gydF4y2Ba 高频InGaAs MOSFET氮化与侧壁为低功率应用程序设计gydF4y2Ba http://orcid.org/0000 - 0002 - 5613 - 7706gydF4y2Ba 莫gydF4y2Ba JiongjionggydF4y2Ba 1gydF4y2Ba http://orcid.org/0000 - 0002 - 2397 - 3919gydF4y2Ba 陈gydF4y2Ba 华gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 王gydF4y2Ba 致宇gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 余gydF4y2Ba FaxingydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 高gydF4y2Ba 郝gydF4y2Ba 航空航天学院gydF4y2Ba 浙江大学gydF4y2Ba Zheda路38gydF4y2Ba 杭州310027gydF4y2Ba 中国gydF4y2Ba zju.edu.cngydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 02gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 01gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 02gydF4y2Ba 02gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 02gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 版权©2017 Jiongjiong帽等。gydF4y2Ba 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2Ba

我gydF4y2Ba ngydF4y2Ba xgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba xgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 设备被广泛研究了低功率高频应用程序由于杰出的电子迁移率和小型材料的能带。再生的源/漏技术InGaAs MOSFET的高度赞赏,因为它可以减少热离子注入引起的预算,以及减少源/漏电阻。然而,新生的源/漏技术问题,如高寄生电容和高电场在大门边向外流方面,这将导致大泄漏电流和频率性能的妥协。缓解的泄漏电流问题低功率应用和提高高频性能,小说SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba介绍了井壁结构InGaAs MOSFET。设备仿真进行了不同的新提议侧壁设计。结果表明:泄漏电流和源/漏寄生电容减少应用SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba在InGaAs MOSFET侧壁与可扩展层。仿真结果也表明,新创建的“暗线”侧壁能够带来最有利的特征频率,没有现在的牺牲。gydF4y2Ba

 中国国家自然科学基金gydF4y2Ba 61604128gydF4y2Ba 中央大学基础研究基金gydF4y2Ba 2016年qna4025gydF4y2Ba 1。介绍gydF4y2Ba

InGaAs MOSFET技术被广泛研究低功率应用程序(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba]。通过使用再生的源/漏方法,源/漏极低欧姆接触可以获得gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba)与高掺杂材料和减少gate-source / gate-drain距离。然而,高源/漏寄生电容禁止InGaAs MOSFET的提高性能由于高频率gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 介电层门之间的接触和再生的源/漏接触。此外,虽然高电子迁移率是赞赏,III-V mosfet遭受大泄漏电流高电场时(gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba]。为了解决这些问题,小说SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁之间引入门接触和再生的源/漏。它能够减少寄生电容和漏极泄漏电流在高电场。不同的硅gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁结构提出了包括一个正常侧壁表示“间隔1”和其他“嵌入”侧壁与可扩展层,显示为“间隔2。“设备仿真进行了使用阿特拉斯(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba)来评估泄漏电流和频率的性能。“间隔1”能够有效降低泄漏电流,而“隐藏式间隔2”可以显著降低寄生电容的前提下使用状态的性能。gydF4y2Ba

 2。设计依据和动力gydF4y2Ba

在本文中,我们提出了与Si InGaAs MOSFET结构gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁。再生标准源/漏场效应管只有一个高gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 层之间的金属门和源/排水,形成高寄生参数gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba dgydF4y2Ba 根据gydF4y2Ba CgydF4y2Ba =gydF4y2Ba ɛgydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ɛgydF4y2Ba /gydF4y2Ba tgydF4y2Ba ,禁止设备实现高频性能。为了减少寄生电容,我们建议如果插入一个小说gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁层之间的金属和源/漏门。寄生电容的有效介电常数是因此降低,介质厚度增加,导致寄生电容小。此外,InGaAs mosfet遭受高流失泄漏电流(gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba],特别是门伸缩长度,由于结构隧穿效应引起的高电场门边缘向排水侧(gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba]。处理结构隧道问题,提出了不同的解决方案,包括添加更大的能带隙材料再生之间的通道和源/漏和降低信道之间的界面层的掺杂水平和再生的源/漏。在这里,我们提出一个新颖的方法来解决结构隧穿问题通过引入一个侧壁结构。插入的侧壁沿源/漏,电场会调制从而缓解泄漏问题。作为一个副作用,然而,如果插入gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba将扩大gate-to-source和gate-to-drain距离,从而提高源/漏访问阻力。另一个如果gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁结构“间隔2”当时提出避免访问阻力增加。gydF4y2Ba

 3所示。模拟和分析gydF4y2Ba

设备模拟没有侧壁和两个不同的轮胎进行了使用基本InGaAs MOSFET结构,和三个不同的结构如图所示,分别在数字gydF4y2Ba 1(一)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 1 (b)gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 1 (c)gydF4y2Ba。MOSFET的结构包括一个10纳米gydF4y2Ba0.53gydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba0.47gydF4y2Ba作为在通道上gydF4y2Ba0.52gydF4y2Ba艾尔gydF4y2Ba0.48gydF4y2Ba作为缓冲层,可使衬底上生长。薄的再生的源/漏由输入层和一个70纳米高掺杂InGaAs层。7海里高频振荡器gydF4y2Ba2gydF4y2Ba层被用作高gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 栅氧化层以及门之间的绝缘层接触和再生的源/漏接触。两个侧壁结构进行了研究:一个是一个正常的侧壁沿输入/ InGaAs方面,这是表示“间隔1”,如图gydF4y2Ba 1 (b)gydF4y2Ba,另一种是一种新颖的“暗线”沿着InGaAs侧侧壁,扩展输入头对齐,这表示“间隔2”,如图gydF4y2Ba 1 (c)gydF4y2Ba。基本的仿真模型,如“BGN”(能带缩小模型),包括“级”(Lombardi模型gydF4y2Ba NgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba TgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba EgydF4y2Ba 影响),和“SRH”(Shockley-Read-Hall模型)被使用,和侧壁处理损坏是不被认为是在模拟。gydF4y2Ba

InGaAs MOSFET结构没有侧壁(a), (b)与侧壁间隔1和(c)与侧壁Atlas仿真的“间隔2”。gydF4y2Ba

电场仿真结果没有侧壁和Si设备gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁是如图gydF4y2Ba 2(一个)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba 2 (b)gydF4y2Ba,分别。最高的电场被发现在门口边向外流。比较两种结构,设备与侧壁有一个较小的电场(4.4gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba7gydF4y2BaV /比设备没有侧壁(4.8厘米)gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba7gydF4y2BaV /厘米),有利于减少排放泄漏电流。从传输特性如图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,黑色的曲线代表了设备没有间隔,蓝色曲线代表了设备与“间隔1”和粉色曲线代表了设备与“间隔2”;设备与侧壁间隔1”降低了排水泄漏电流超过2订单比没有侧壁从10gydF4y2Ba−8gydF4y2Ba一到十gydF4y2Ba−10gydF4y2Ba,虽然流失饱和电流泄漏是由于访问阻力增加gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba cgydF4y2Ba 诱导的侧壁,在插入的图在图表示gydF4y2Ba 1(一)gydF4y2Ba。侧壁间隔2”显示几乎相同的传输特性,如果没有侧壁,因为如果gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba延长可使排水层的顶部,和它的电场调制能力由输入层筛选。寄生电容仿真结果如图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba,坚实的曲线代表的集合gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 价值观和打开曲线代表的集合gydF4y2Ba CgydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 值,表明gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba dgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 显著降低从3吗gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba−15gydF4y2BaF /gydF4y2Ba μgydF4y2Ba米1gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba−15gydF4y2BaF /gydF4y2Ba μgydF4y2Ba如果米的gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁根据gydF4y2Ba CgydF4y2Ba =gydF4y2Ba ɛgydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ɛgydF4y2Ba /gydF4y2Ba tgydF4y2Ba ,在那里gydF4y2Ba ɛgydF4y2Ba侧壁的介电常数,gydF4y2Ba tgydF4y2Ba 介质厚度。硅的介电常数gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba要小得多(gydF4y2Ba kgydF4y2Ba = 4 - 7)比高频振荡器gydF4y2Ba2gydF4y2Ba(gydF4y2Ba kgydF4y2Ba = 16 - 22),这增加了寄生电容的有效介电常数。此外,10 nm Si的插入gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba加起来的总介质厚度,从而进一步降低了寄生电容。侧壁间隔2”显示寄生电容略高于侧壁间隔1”因为只有埋地部分沿着InGaAs源/漏侧侧壁,,只存在高gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 高频振荡器gydF4y2Ba2gydF4y2Ba在栅电极和InP源/漏。图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba显示,获得仿真结果,坚实的曲线代表电流增益集gydF4y2Ba HgydF4y2Ba 21gydF4y2Ba 价值观和打开曲线代表的单边功率增益gydF4y2Ba UgydF4y2Ba 值,截止频率的gydF4y2Ba fgydF4y2Ba tgydF4y2Ba 和最大的振荡频率gydF4y2Ba fgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba xgydF4y2Ba 可以提取。而电流增益较小的设备与侧壁间隔1”由于其高访问阻力和较小的跨导(gydF4y2Ba fgydF4y2Ba tgydF4y2Ba =gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba πgydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba dgydF4y2Ba )gydF4y2Ba ),设备的单边功率增益与侧壁间隔1”赶上没有井壁由于减少了gydF4y2Ba ggydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 和增加电容的影响(gydF4y2Ba fgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba xgydF4y2Ba ≈gydF4y2Ba (gydF4y2Ba fgydF4y2Ba tgydF4y2Ba /gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba πgydF4y2Ba RgydF4y2Ba ggydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba dgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )。设备与侧壁间隔2”显示电流增益和单边功率增益最高的三个结构自嵌入侧壁帮助有效地降低寄生电容虽然勉强加起来获得耐药性。gydF4y2Ba

电场模拟InGaAs MOSFET没有侧壁(a)和(b)侧壁间隔1。”gydF4y2Ba

(一)gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 和(b)gydF4y2Ba 日志gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba InGaAs MOSFET的特点与侧壁间隔1”“间隔2”,没有侧壁。gydF4y2Ba

(一)电流增益,单边功率增益与频率(固体:电流增益gydF4y2Ba HgydF4y2Ba 21gydF4y2Ba ;开放:单边功率增益gydF4y2Ba UgydF4y2Ba ),(b)寄生参数gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 与频率(固体:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ;开放:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba dgydF4y2Ba )InGaAs MOSFET的侧壁间隔1”“间隔2”,没有侧壁。gydF4y2Ba

厚度的影响“间隔1”和“间隔2”的轮胎进行了研究,验证了从2到10 nm。的gydF4y2Ba 日志gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 特征“间隔1”是图所示gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba不同的硅gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba井壁厚度,黑色曲线代表了设备间隔1 2 nm,间隔1的红色曲线代表了设备4海里,绿色曲线代表了设备间隔1 6海里,蓝色曲线代表设备间隔1 8纳米,和粉色曲线代表了设备间隔10 nm的1。观察到排水管泄漏电流是改善从10gydF4y2Ba−8gydF4y2Ba一个3gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba−10gydF4y2Ba一个1gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba−10gydF4y2Ba一个和7gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba−11gydF4y2Ba一个4gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba−11gydF4y2Ba一个随着SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba厚度。这可能是由于有效电场调制在大门边向外流,Si的使用gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁。电流增益和单边功率增益如图gydF4y2Ba 6(一)gydF4y2Ba。电流增益和单边功率增益与硅厚度的增加略有下降gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁。这可以解释,在井壁厚度增加2到10 nm,侧壁诱导阻力导致增加访问跨导退化,它占领了从2.2 fF /减少寄生电容gydF4y2Ba μgydF4y2Ba1.8 m, fF /gydF4y2Ba μgydF4y2Ba1.6 m, fF /gydF4y2Ba μgydF4y2Ba1.4 m, fF /gydF4y2Ba μgydF4y2Ba1.3 fF / mgydF4y2Ba μgydF4y2Ba米,如图gydF4y2Ba 6 (b)gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

日志gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba InGaAs MOSFET的特点与侧壁间隔1”从2到10 nm厚度变化。gydF4y2Ba

(一)电流增益,单边功率增益与频率(固体:电流增益gydF4y2Ba HgydF4y2Ba 21gydF4y2Ba ;开放:单边功率增益gydF4y2Ba UgydF4y2Ba ),(b)寄生参数gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 与频率(固体:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ;开放:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba dgydF4y2Ba )InGaAs MOSFET的侧壁间隔1从2到10 nm厚度变化。gydF4y2Ba

同样的厚度变化进行研究侧壁间隔2,如图gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba,其中黑色曲线表示设备间隔2 2 nm,红色曲线代表设备间隔2 4海里,绿色曲线代表了设备间隔2 6海里,蓝色曲线代表设备间隔2 8纳米,和粉色曲线代表了设备间隔10 nm的2。可以看出,”如果间隔2》gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁厚度几乎影响了排水管泄漏电流,因为扩展输入层阻止了侧壁诱导抗性增加的访问。如如图所示gydF4y2Ba 8(一个)gydF4y2Ba、电流增益和单边功率增益与隐藏式侧壁厚度增加,这主要是由于从2 fF /减少寄生电容gydF4y2Ba μgydF4y2Ba1.5 fF / mgydF4y2Ba μgydF4y2Bam恒定传输特性,如图gydF4y2Ba 8 (b)gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

日志gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba InGaAs MOSFET的特点与侧壁“间隔2”从2到10 nm设计厚度变化。gydF4y2Ba

(一)电流增益,单边功率增益与频率(固体:电流增益gydF4y2Ba HgydF4y2Ba 21gydF4y2Ba ;开放:单边功率增益gydF4y2Ba UgydF4y2Ba ),(b)寄生参数gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 与频率(固体:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ;开放:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ggydF4y2Ba dgydF4y2Ba )InGaAs MOSFET的侧壁间隔2厚度变化从2到10 nm设计。gydF4y2Ba

 4所示。提出了设备处理gydF4y2Ba

提出了井壁结构显示承诺根据设备电气特性模拟。没有如果InGaAs MOSFET结构gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁,如果gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁间隔1”和SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁间隔2”可以使用主处理的步骤如图gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba,这是符合正常的设备制造。外延层是由分子束外延(MBE),由InP衬底,InAlAs缓冲层,InGaAs频道,并输入从底部到顶部盖层。假门使用消极抵抗HSQ起初图案定义门长度(步骤(1));然后,高ngydF4y2Ba+gydF4y2Ba掺杂InGaAs源/漏再生进行了使用金属有机化学气相沉积(金属)(步骤(2))。在那之后,HSQ被移除。“间隔1”结构,可使盖层是蚀刻后HSQ(步骤(3 b)),同时可使保护层一直“间隔2”结构(步骤(3 c))。之间的刻蚀选择性输入和InGaAs可以使用基于盐酸的化学控制的解决方案,如图gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba,一个说明性的输入模式被完美的装配式InGaAs表面湿蚀刻。如果gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba当时沉积使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "和蚀刻用反应离子刻蚀(RIE)形成侧壁沿结构的S / D(步骤(4 b)和c (4))。实验如果gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁获得使用这种技术,如图gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba,一个垂直的SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba可以观察到沿InGaAs一边。之后,高收入gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 栅氧化层实现了使用原子层沉积(ALD) (NH之后gydF4y2Ba4gydF4y2Ba)gydF4y2Ba2gydF4y2Ba表面处理为“间隔1”结构(步骤(5 b)),而高gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 后沉积InP帽蚀刻“间隔2”结构(步骤(5 c))。门金属然后进行源/漏金属模式紧随其后。在论文中可以找到类似的设备处理(gydF4y2Ba 24gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 25gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

提出设备制造步骤“间隔1”和“间隔2”结构(步骤(1)和(2)是常见的处理步骤,步骤b (3), (4 b),和(5 b)是“间隔1”的处理步骤,和步骤(3 c) (4 c),和(5 c)是“间隔2”处理步骤)。gydF4y2Ba

扫描电镜图像的选择性InP InGaAs表面腐蚀。gydF4y2Ba

扫描电镜的图像如果gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁沿InGaAs意识到一边。gydF4y2Ba

 5。结论gydF4y2Ba

如果在这篇文章中,一本小说gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba再生侧壁结构引入基于源/漏InGaAs MOSFET的技术。缓解电场在大门边向外流方面,新侧壁结构可以减少排水泄漏电流来实现低待机功耗。它也能够改善潜在的频率性能通过减少源/漏的寄生电容。不同的硅gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁结构包括正常的侧壁和“嵌入”侧壁扩展输入各种硅层进行了研究gydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba侧壁厚度。正常的井壁结构可以有效地减少排水泄漏电流但可能招致访问阻力增加,影响频率的性能。作为补偿这种副作用,小说“嵌入”侧壁结构扩展输入层,有助于减少寄生电容不牺牲通路状态性能,可以进一步提高频率性能SigydF4y2Ba3gydF4y2BaNgydF4y2Ba4gydF4y2Ba厚度增加。gydF4y2Ba

 相互竞争的利益gydF4y2Ba

作者宣称没有利益冲突有关的出版。gydF4y2Ba

 确认gydF4y2Ba

这项工作是由中国国家自然科学基金(批准号61604128)和中央大学的基础研究基金(批准号2016 qna4025)。gydF4y2Ba

 罗德威尔gydF4y2Ba m·J。gydF4y2Ba 黄gydF4y2Ba 彭译葶。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba ChobpattanagydF4y2Ba V。gydF4y2Ba ThibeaultgydF4y2Ba B。gydF4y2Ba 米切尔gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba 除梗器gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba GossardgydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 记录性能在mosfet (Ga)目标也是高性能和低功耗逻辑gydF4y2Ba ECS事务gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 66年gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 135年gydF4y2Ba 140年gydF4y2Ba 杜威gydF4y2Ba G。gydF4y2Ba Chu-KunggydF4y2Ba B。gydF4y2Ba KotlyargydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 梅茨gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 穆克吉gydF4y2Ba N。gydF4y2Ba RadosavljevicgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba III-V未来超低功率场效应晶体管的应用程序gydF4y2Ba 诉讼VLSI技术(VLSIT研讨会上的12)gydF4y2Ba 2012年6月gydF4y2Ba 美国夏威夷火奴鲁鲁gydF4y2Ba 45gydF4y2Ba 46gydF4y2Ba 10.1109 / vlsit.2012.6242453gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84866561684gydF4y2Ba 顾gydF4y2Ba J·J。gydF4y2Ba 王gydF4y2Ba x W。gydF4y2Ba 邵gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 尼尔gydF4y2Ba a . T。gydF4y2Ba ManfragydF4y2Ba m·J。gydF4y2Ba 戈登gydF4y2Ba r·G。gydF4y2Ba 叶gydF4y2Ba p D。gydF4y2Ba III-V gate-all-around纳米线场效应晶体管工艺技术:从三维到四维gydF4y2Ba 《IEEE国际电子设备会议(IEDM 12)gydF4y2Ba 2012年12月gydF4y2Ba 旧金山,加州,美国gydF4y2Ba 10.1109 / iedm.2012.6479091gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84876106361gydF4y2Ba 高木涉gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 竹中平藏gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba III-V金属氧化物半导体设备技术先进CMOS和隧道场效应晶体管gydF4y2Ba IEEE学报》28日磷化铟&国际会议相关材料(IPRM) &第43化合物半导体(isc国际研讨会”16)gydF4y2Ba 2016年6月gydF4y2Ba 日本富山gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 余gydF4y2Ba K.-C。gydF4y2Ba 风扇gydF4y2Ba >。gydF4y2Ba 苏gydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 壮族gydF4y2Ba C.-T。gydF4y2Ba 评估整体三维逻辑电路和6 t sram InGaAs-n / Ge-p ultra-thin-body mosfetgydF4y2Ba IEEE电子设备协会杂志》上gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 76年gydF4y2Ba 82年gydF4y2Ba 10.1109 / JEDS.2016.2524567gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84963811322gydF4y2Ba 高木涉gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 竹中平藏gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 通用电气为低功率/ III-V金属氧化物半导体设备技术集成系统gydF4y2Ba 45欧洲固态设备研究研讨会论文集(ESSDERC 15)gydF4y2Ba 2015年9月gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 25gydF4y2Ba 10.1109 / essderc.2015.7324704gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84959363964gydF4y2Ba BhuwalkagydF4y2Ba K·K。gydF4y2Ba 吴gydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba 能剧gydF4y2Ba H.-K。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba CantorogydF4y2Ba M。gydF4y2Ba HeogydF4y2Ba 研究。gydF4y2Ba 金gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 崔gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba KwongydF4y2Ba U。gydF4y2Ba MaedagydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba K.-H。gydF4y2Ba 公园gydF4y2Ba Y.-K。gydF4y2Ba 在gydF4y2Ba0.53gydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba0.47gydF4y2Ba为基础nMOSFET低备用电源应用程序的设计gydF4y2Ba IEEE电子设备gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 62年gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 2816年gydF4y2Ba 2823年gydF4y2Ba 10.1109 / ted.2015.2445977gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84940055756gydF4y2Ba 三岛gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 金泽gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 木下光男gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba UeharagydF4y2Ba E。gydF4y2Ba 宫本茂gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 与再生MOVPE源/漏InGaAs三栅极场效电晶体gydF4y2Ba 72设备研究研讨会论文集(刚果民主共和国的14)gydF4y2Ba 2014年6月gydF4y2Ba 美国加州圣芭芭拉分校gydF4y2Ba 121年gydF4y2Ba 122年gydF4y2Ba 10.1109 / drc.2014.6872327gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84906538564gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 黄gydF4y2Ba 彭译葶。gydF4y2Ba 卡特gydF4y2Ba 答:D。gydF4y2Ba 法律gydF4y2Ba j·j·M。gydF4y2Ba 伊莱亚斯gydF4y2Ba d . C。gydF4y2Ba ChobpattanagydF4y2Ba V。gydF4y2Ba ThibeaultgydF4y2Ba b . J。gydF4y2Ba 米切尔gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba 除梗器gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba GossardgydF4y2Ba a . C。gydF4y2Ba 罗德威尔gydF4y2Ba m·j·W。gydF4y2Ba 高跨导表面通道In0.53Ga0.47As mosfet source-drain MBE使用再生和表面数字蚀刻gydF4y2Ba 磷化铟25日的国际会议及相关材料(IPRM 13)gydF4y2Ba 2013年5月gydF4y2Ba 10.1109 / iciprm.2013.6562630gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84882305005gydF4y2Ba 金泽gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 若林史江gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 斋藤gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba TeraogydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 日本田岛gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba IkedagydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 宫本茂gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba FuruyagydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 亚微米InP / InGaAs再生复合场效电晶体通道选择性N +源/漏埋在削弱gydF4y2Ba 磷化铟22日国际会议及相关材料(IPRM 10)gydF4y2Ba 2010年6月gydF4y2Ba 高松,日本gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba 10.1109 / iciprm.2010.5515922gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77955956730gydF4y2Ba 木下光男gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba KisegydF4y2Ba N。gydF4y2Ba YukimachigydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 金泽gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 宫本茂gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 运行16 nm InGaAs通道multi-gate与再生的源/漏场效电晶体gydF4y2Ba 化合物半导体一周学报》(世界基督教联合会)[包括28日国际会议磷化铟&相关材料(IPRM) &第43化合物半导体国际研讨会(isc)]gydF4y2Ba 2016年6月gydF4y2Ba 日本富山gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 10.1109 / iciprm.2016.7528830gydF4y2Ba EgardgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 欧胜gydF4y2Ba lgydF4y2Ba ArlelidgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 皮尔森gydF4y2Ba K.-M。gydF4y2Ba BorggydF4y2Ba b . M。gydF4y2Ba LenrickgydF4y2Ba F。gydF4y2Ba •瓦伦堡gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 林德gydF4y2Ba E。gydF4y2Ba WernerssongydF4y2Ba L.-E。gydF4y2Ba 高频性能的自对准gate-last表面频道gydF4y2Ba0.53gydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba0.47gydF4y2Ba随着MOSFETgydF4y2Ba IEEE电子器件信gydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba 33gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 369年gydF4y2Ba 371年gydF4y2Ba 10.1109 / led.2011.2181323gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84857453827gydF4y2Ba PasslackgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 断开的电流窄能带mosfet的极限gydF4y2Ba IEEE电子设备gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 53gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 2773年gydF4y2Ba 2778年gydF4y2Ba 10.1109 / TED.2006.883680gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33750589958gydF4y2Ba 龚gydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba 常gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 王gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 太阳gydF4y2Ba B。gydF4y2Ba 刘gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 模拟研究的增强型n型与低零InGaAs mosfet偏见上gydF4y2Ba 《IEEE国际纳电子学会议(INEC”16)gydF4y2Ba 2016年5月gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 10.1109 / inec.2016.7589334gydF4y2Ba 林gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba AntoniadisgydF4y2Ba d . A。gydF4y2Ba 德尔·阿拉莫gydF4y2Ba j . A。gydF4y2Ba 物理和缓解过剩的截止态电流InGaAs量子阱mosfetgydF4y2Ba IEEE电子设备gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 62年gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 1448年gydF4y2Ba 1455年gydF4y2Ba 10.1109 / TED.2015.2410292gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84928645581gydF4y2Ba 林gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba AntoniadisgydF4y2Ba d . A。gydF4y2Ba 德尔·阿拉莫gydF4y2Ba j . A。gydF4y2Ba 断开的渗漏引起的结构隧道InGaAs量子阱mosfet和浮体双相情感效应gydF4y2Ba IEEE电子器件信gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 35gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba 1203年gydF4y2Ba 1205年gydF4y2Ba 10.1109 / LED.2014.2361528gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84913592544gydF4y2Ba http://www.silvaco.comgydF4y2Ba 张gydF4y2Ba X。gydF4y2Ba 郭gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 林gydF4y2Ba H.-Y。gydF4y2Ba 伊凡娜gydF4y2Ba 龚gydF4y2Ba X。gydF4y2Ba 周gydF4y2Ba Q。gydF4y2Ba 林gydF4y2Ba Y.-R。gydF4y2Ba KogydF4y2Ba 学术界。gydF4y2Ba 什么时候gydF4y2Ba c . H。gydF4y2Ba 杨gydF4y2Ba 研究。gydF4y2Ba 在断开的泄漏电流的减少gydF4y2Ba0.7gydF4y2Ba遗传算法gydF4y2Ba0.3gydF4y2Ba随着通道n-MOSFETs自对准Ni-InGaAs接触金属化gydF4y2Ba 电化学和固态字母gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba H212gydF4y2Ba H214gydF4y2Ba 10.1149/1.3559754gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 79952524101gydF4y2Ba 宣gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 吴gydF4y2Ba y Q。gydF4y2Ba 林gydF4y2Ba h . C。gydF4y2Ba 沈gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 叶gydF4y2Ba p D。gydF4y2Ba 亚微米inversion-type增强型MOSFET InGaAs atomic-layer-deposited AlgydF4y2Ba2gydF4y2BaOgydF4y2Ba3gydF4y2Ba作为闸极介电层gydF4y2Ba IEEE电子器件信gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 935年gydF4y2Ba 938年gydF4y2Ba 10.1109 / led.2007.906436gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 36149000642gydF4y2Ba 罗伯特。gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 达塔gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba MajumdargydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 机遇和挑战的III-V纳电子学为未来的高速、低功耗逻辑应用程序gydF4y2Ba 《IEEE化合物半导体集成电路研讨会gydF4y2Ba 2005年10月gydF4y2Ba 美国加州棕榈泉gydF4y2Ba 赵gydF4y2Ba W.-S。gydF4y2Ba LuisiergydF4y2Ba M。gydF4y2Ba MohatagydF4y2Ba D。gydF4y2Ba 达塔gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 鲍里克gydF4y2Ba D。gydF4y2Ba 隆美尔gydF4y2Ba s . L。gydF4y2Ba KlimeckgydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 完整的乐队原子论的建模homo-junction InGaAs结构隧穿二极管包括带隙变窄gydF4y2Ba 应用物理快报gydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba One hundred.gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 063504年gydF4y2Ba 10.1063/1.3682506gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84857217388gydF4y2Ba 手中gydF4y2Ba Q。gydF4y2Ba VerreckgydF4y2Ba D。gydF4y2Ba VerhulstgydF4y2Ba 答:S。gydF4y2Ba RooyackersgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 默克尔gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba Van De把gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba SimoengydF4y2Ba E。gydF4y2Ba VandervorstgydF4y2Ba W。gydF4y2Ba CollaertgydF4y2Ba N。gydF4y2Ba 中国农历新年庆祝活动之前更换灯笼内gydF4y2Ba 诉Y。gydF4y2Ba SoreegydF4y2Ba B。gydF4y2Ba GroesenekengydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 海恩gydF4y2Ba M . M。gydF4y2Ba 校准InGaAs隧道二极管的半经典和量子力学结构隧道模型gydF4y2Ba 应用物理杂志gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 115年gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba 184503年gydF4y2Ba 10.1063/1.4875535gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84901497242gydF4y2Ba GanapathigydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 尹gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 萨拉赫丁gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 在纵向和横向的分析结构隧穿晶体管:利用垂直隧道改善性能gydF4y2Ba 应用物理快报gydF4y2Ba 2010年gydF4y2Ba 97年gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 033504年gydF4y2Ba 10.1063/1.3466908gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77956192841gydF4y2Ba 莫gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 林德gydF4y2Ba E。gydF4y2Ba WernerssongydF4y2Ba L.-E。gydF4y2Ba 可使排水工程在不对称InGaAs / InP mosfetgydF4y2Ba IEEE电子设备gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 62年gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 501年gydF4y2Ba 506年gydF4y2Ba 10.1109 / TED.2014.2375913gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84921814060gydF4y2Ba 莫gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 林德gydF4y2Ba E。gydF4y2Ba WernerssongydF4y2Ba L.-E。gydF4y2Ba 不对称InGaAs / InP mosfet与源/排水工程gydF4y2Ba IEEE电子器件信gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 35gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 515年gydF4y2Ba 517年gydF4y2Ba 10.1109 / LED.2014.2308925gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84899725361gydF4y2Ba