JS 杂志上的传感器 1687 - 7268 1687 - 725 x Hindawi出版公司 10.1155 / 2016/9746156 9746156 研究文章 旋转速度和持续时间TiO的依赖2薄膜pH值传感的行为 http://orcid.org/0000 - 0002 - 5467 - 3257 Zulkefle 默罕默德AlHadi 1 http://orcid.org/0000 - 0001 - 9313 - 1365 阿卜杜勒·拉赫曼 Rohanieza 1 http://orcid.org/0000 - 0002 - 2830 - 4837 尤索夫 Khairul爱実 1 阿卜杜拉 Wan Fazlida Hanim 2 Rusop 穆罕默德 3 http://orcid.org/0000 - 0003 - 1588 - 557 x 赫尔曼 Sukreen韩亚金融集团 1、2、4 2 4 Lupan 奥列格 1 纳电子中心(净) 电气工程学院 各种大学玛拉 40450年莎阿南 雪兰莪州 马来西亚 uitm.edu.my 2 电气工程学院 各种大学玛拉 40450年莎阿南 雪兰莪州 马来西亚 uitm.edu.my 3 NANO-SciTech中心(望远镜) 科学研究所(IOS) 各种大学玛拉 40450年莎阿南 雪兰莪州 马来西亚 uitm.edu.my 4 前沿的核心材料和工业应用 各种大学玛拉 40450年莎阿南 雪兰莪州 马来西亚 uitm.edu.my 2016年 10 10 2016年 2016年 20. 05年 2016年 15 07年 2016年 03 08年 2016年 2016年 版权©2016年穆罕默德AlHadi Zulkefle et al。 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。

二氧化钛(TiO2)薄膜应用的传感膜extended-gate场效应晶体管(EGFET) pH传感器。TiO2通过旋转涂布薄膜沉积方法和旋转速度和旋转的影响持续时间的pH值传感TiO的行为2薄膜。自旋涂TiO2薄膜与商业金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成扩展的盖茨和MOSFET在读出集成接口电路完成EGFET pH传感器系统。自旋速度参数的调查,获得了最高的灵敏度为样例旋转在3000 rpm固定旋转时间的60年代,60.3 mV / pH值。敏感性进一步加强实现68 mV / pH值具有良好的线性度为0.9943时,旋转时间是75年代在每分钟3000转的速度。

 高等教育、马来西亚 600 - rmi / nrg 5/3 (7/2013) 各种大学玛拉 1。介绍

Ion-sensitive场效应晶体管(ISFET) pH传感器是在1972年首次提出Bergveld [ 1)和全球科学家很快得到利益由于传感器集成的能力与许多传感材料,如金属氧化物和聚合物,与一个额外的优势的能力是制造的微型尺寸( 2]。从ISFET结构出现的主要问题是设备无法精确测量氢离子浓度当涉及到热因素是( 3]。自传感区域直接制造门的场效应晶体管,测量解决方案影响晶体管的温度变化特性,从而改变结果。

Extended-gate场效应晶体管(EGFET) [ 4提出了解决这个问题。这种结构仍然适用相同的基本原理就像ISFET检测氢离子在溶液中,但最明显的差别是,传感膜脱离晶体管和传感器系统组件 5]。除了解决热的问题( 6),这个extended-gate结构给出了几个其他的优势。它允许无限的修改使用的传感膜。这一修改可能包括不同类型的传感材料,允许更广泛的被测变量的选择,提高选择性。它还授予改变的可能性维度等传感膜的改变大小、形状( 7),和厚度。

在这个研究中,TiO2薄膜被用作EGFET pH传感器的传感膜。TiO2是一种n型半导体( 8)高的带隙(3.0 eV - 3.2 eV) ( 9, 10),有三个主要的结晶形式:锐钛矿、金红石和板钛矿。TiO2具有良好的电气和光学特性与独特的化学特性和稳定性。TiO2合成路线已经报道了很多( 11- - - - - - 17]。在所有,溶胶-凝胶涂层用于存款TiO旋转2薄膜由于成本效益( 18),简单的操作过程,低温合成( 19),和沉积薄膜的性质 20.]。本文着重于旋转涂布工艺参数的影响,即旋转速度和旋转时间,寻找最优参数,灵敏度高TiO2基于EGFET pH传感器可以获得。

 2。方法 2.1。传感膜制备

TiO2解决方案是由以下混合物:绝对乙醇(C2H5哦,系统,99.8%)、去离子的水(DI) (H2O, Milli-Q优势A10),冰醋酸(棉酚)(CH3羧基,Friedemann施密特,99.8%),特里同x - 100 (C34H62年O11R&M化学品,98%)和(IV)钛异丙醇盐(Ti [OCH (CH(方式确定)3)2]4Sigma-Aldrich, 97%)。绝对乙醇和去离子水作为溶剂,使用方式确定为前体,棉酚作为稳定剂,特里同x - 100作为表面活性剂。首先,两个不同的容器,也准备了两种解决方案,第一个解决方案(方案一)包含绝对乙醇的混合物,棉酚和方式确定。第二方案(解决方案B)的混合物绝对乙醇、去离子水,特里同x - 100。两种解决方案在磁力搅拌器搅拌1小时在室温下。1小时后,解决方案B是注入容器溶液的混合物被持续搅拌形成TiO另一个小时2溶胶-凝胶法的解决方案。

化学反应主要包括水解和缩合导致凝固TiO的前体分子2( 21]。首先,金属醇盐的水解(方式确定)发生的前兆: (1) T 我 O C H C H 3 2 n + H 2 O ⟶ T 我 O C H C H 3 2 n - - - - - - 1 O H + C H C H 3 2 O H

水解过程中( 1)将继续从前体中删除剩余的烷基。氧桥形成通过凝结在钛金属通过路由( 2)或路线( 3)。简而言之,TiO2形成是( 4): (2) T 我 O H + T 我 O H ⟶ T 我 - - - - - - O - - - - - - T 我 + H 2 O (3) “透明国际” O C H C H 3 2 + T 我 O H ⟶ T 我 - - - - - - O - - - - - - T 我 + C H C H 3 2 O H (4) “透明国际” O C H C H 3 2 4 + 2 H 2 O ⟶ T 我 O 2 + 4 C H C H 3 2 O H

准备的TiO2解决方案被沉积在氧化铟锡(ITO)衬底。ITO基体面积2×1厘米2但只有一半(1×1厘米2)的衬底区域与TiO沉积2解决方案,如图 1。底物最初与甲醇清洗,然后用去离子水超声波清洁干燥使用氮气紧随其后。用于TiO旋转涂布技术2溶液沉积的目的,10滴TiO的地方2解决方案被取消在ITO衬底。在那之后,伊藤衬底是确保TiO旋转2溶胶-凝胶法的解决方案是均匀分散在基质和结果在一个均匀的薄膜。

TiO2ITO衬底上沉积区。

的沉积TiO2薄膜在200°C 10分钟然后干去除剩余的溶剂残留。然后postdeposition退火工艺应用。进行了退火工艺在400°C的温度为15分钟。表 1这个实验显示参数列表不同。旋转速度的实验调查进行了60年代的第一固定旋转时间。然后把TiO2薄膜特征使用EGFET测量设置的pH敏感性。速度,灵敏度最高的被选择用来进行旋转的组实验时间调查。

不同的参数列表。

旋转速度(转速)(固定的旋转时间:60年代) 旋转时间(秒)(最优旋转速度)
1000年 30.
2000年 45
3000年 60
4000年 75年
2.2。EGFET pH值测量设置

每个捏造传感膜因其灵敏度测试对pH值的解决方案通过连接到商业化MOSFET的栅MOSFET的扩展门形式,因此EGFET名称。将结构与读出接口电路(ROIC) [ 22)使H+离子测量解决方案。图 2显示了测量传感膜灵敏度设置。对于每个度量,TiO2传感膜是在pH缓冲溶液浸泡五分钟。五分钟后,ROIC的输出电压。三为每个样品进行了测量,获得的平均的三个输出电压进行了计算。步骤是重复pH缓冲溶液在不同的pH值。的酸碱缓冲解决方案使用在这个实验中2,pH值4,pH值7,pH值10,pH值12。平均阅读被绘制在图 V o u t 从图的斜率与博士,TiO的敏感性2传感膜的决心。线性(线性回归线)也获得同样的图表。

pH值测量设置EGFET pH传感器。

 3所示。结果和讨论 3.1。旋转的速度

顾名思义,溶胶-凝胶法旋转涂布涉及纺纱过程。虽然简单,需要使用适当的速度旋转基板,以便统一的电影可以获得和优化的灵敏度可以达到。从理论上讲,旋转速度的增加会逐渐减少薄膜厚度( 23我们的结果中可以看到)。表 2显示所有样品厚度值。薄膜的厚度最高最低时速1000 rpm时使用。更快的速度应用时,薄电影获得和薄的值被记录在旋转4000 rpm的速度,这是在这个实验中使用的旋转速度最快。

Ti厚度值 O 2 薄膜在不同的速度旋转。

旋转速度(转速) 厚度(nm)
1000转 40.40
2000转 33.50
3000转 22.87
4000转 18.80

在旋转过程的早期阶段,TiO2仍然像液体。这种液体允许TiO的行为2解决方案被均匀地分散在基质表面通过由于旋转产生的离心力的影响。除了传播TiO2均匀、离心力也扔掉TiO过剩2解决方案从底物,因为它正在旋转 24]。更高的旋转速度会产生更高的离心力作用于TiO2解决方案,导致更多TiO2粒子被扔掉。这在TiO的数量减少2粒子会降低薄膜的厚度。除了膜厚度依赖自旋速度,可以看到在图 3的均匀薄膜与更高的旋转速度也有所改善。

TiO2膜厚度变化对旋转速度的依赖。

图 3显示了膜厚度变化对旋转速度的依赖。误差棒显示膜厚度的最大和最小值测量每个样品和广场上各点标记显示了平均值。可以看出,更高的旋转速度,可与离心力在旋转过程中,不仅薄电影也产生更好的一致性。

因此,厚度变化引起的旋转速度操作表明,旋转速度影响TiO的pH值传感性能2薄膜,可以看到图 4。

输出电压 V o u t 和pH值对TiO2传感膜以不同的速度旋转。

所有样品表现出良好的灵敏度和线性度与超过50 mV / pH值和线性约0.99。这一趋势,我们可以看到在图 5少量增加,敏感性增加旋转速度和减少时,旋转速度太高了。潜在的衬底和TiO的区别2厚膜时产生较低的旋转速度,所显示( 18]。这将导致 我 D 年代 价值下降,减少TiO的敏感性2传感膜。这种敏感性下降因素减少膜的厚度减少,导致薄样品的pH敏感性更高。

TiO2薄膜pH值传感灵敏度和线性依赖旋转速度。

然而,4000 rpm,示例显示了3000 rpm传感性能恶化而样本。这表明,虽然薄薄膜将提高灵敏度,TiO多薄是有限度的2传感膜应该是捏造的,给予良好的pH值传感性能。极限是发现在3000转;因此这个速度的结论是优化纺丝速度产生一个高灵敏度溶胶-凝胶涂层TiO旋转2传感膜。

线性回归(线性)确定两个变量之间存在的关系。在pH值传感,验证的可靠性和适用性检测氢离子传感材料。装配式TiO的2传感膜旋转速度不同,但所有样本显示高线性值(约0.99),尽管略有减少可以看到更高的旋转速度,如图 5。

除了改变传感特性,自旋速率变化也观察到改变TiO的粗糙度2电影。每个样品的表面粗糙度在图表示 6。样品已经在每分钟1000转的速度旋转,2000 rpm, 3000 rpm, 4000 rpm的粗糙度值7.823海里,6.000 nm, 2.745 nm,分别和3.351海里。是典型的增加转速降低膜厚度和更高的旋转也影响粗糙度的电影解释Kozuka和Hirano [ 25]。Kozuka和Hirano表示,电影不太粗糙,如果自旋速度是提高我们的结果中可以看到。

TiO的表面粗糙度2样品将在(a) 1000 rpm, (b) 2000 rpm, (c) 3000 rpm, (d) 4000 rpm。

 3.2。旋转的时间

有两个重要的因素需要考虑,同时旋转薄膜涂层衬底的旋转速度和旋转时间 26]。优化旋转速度被发现在3000 rpm,而合适的纺丝TiO所需时间2pH值传感膜尚未清楚。因此TiO的另一组2薄膜是准备。在旋转的样品在3000 rpm的理想速度,时间是不同的。表 3是旋转时间的列表使用各自的膜厚度。

Ti的厚度 O 2 针对不同时间薄膜旋转。

旋转时间(秒) 厚度(nm)
30. 35.83
45 28.93
60 23.68
75年 20.73

在旋转涂布过程中,液体溶胶-凝胶前体最终成为固体薄膜时被沉积在衬底上。离心力作用于TiO沉积2液体是依赖于所使用的旋转速度。然而在旋转的时间参数,在3000 rpm的速度保持不变。因此,膜厚度的变化,如表中列出 3,主要是由于衬底上的解决方案的持续时间被旋转,在旋转。我们可以看到在桌子上 3,TiO2膜厚度下降再旋转的时候使用。样品被剥离的最短时间,也就是说,为30秒,最厚的样品。随后随着纺丝时间增加样本空气越稀薄。这是因为,随着纺丝过程的持续时间增加,离心力的时间采取行动TiO沉积2解决方案也变得更长;因此更多的解决方案是要除去的衬底表面导致薄的电影,可以看到在图 7。然而,值得注意的是在图 7每个样品的膜厚度的变化增加旋转时间增加。我们假设溶液的粘度也增加了旋转时间越长;因此,在一个点,离心力的影响在增加粘度的解决方案是较弱的,因此穷人膜厚度的均匀性。

膜厚度变化对旋转时间的依赖。

此外,旋转时间也已被证明能够改变捏造TiO的敏感性2电影。图 8显示了输出电压, V o u t pH值,而图形绘制来确定样品的灵敏度和线性度。所有样品具有良好的敏感性约50 mV / pH值,灵敏度最高的是68 mV / 75年代pH值的样本。每个样本的线性也承诺,约0.99。总的来说,灵敏度和线性增加的旋转时间,可以看到图 9。样品的灵敏度为75秒over-Nernst pH敏感性也是报道姚明等人也使用TiO的人2随着传感膜( 18]。的偏离理论能斯特价值59 mV / pH值可能是由于多孔TiO的性质2/ ITO玻璃传感结构或看到的记忆效应ion-sensitive电极,这是潜在的保护从先前的测量。

V o u t 与pH值图旋转时间变化。

影响不同的纺丝时间对pH TiO的灵敏度和线性度2电影。

旋转时间变化也被发现影响薄膜的表面粗糙度。图 10介绍了AFM图像的薄膜。可以看出TiO的表面2时变得不那么粗的时间更长。样品将在最短的时间30秒的崎岖表面9.761海里。随着旋转的时间被增加到45秒,60秒,75秒,减少电影的粗糙度4.976 nm, 1.956 nm,分别和1.563海里。表面粗糙度值的衰减是由于厚度减少引起的旋转时间增量。类似TiO2电影roughness-thickness关系也是所做的功( 27, 28]。

粗糙度的样品旋转在不同时间:(a) 30秒,(b) 45秒,(c) 60秒,(d) 75秒。

 4所示。结论

之间的关系旋转涂布参数和TiO的性能2传感膜EGFET pH值传感应用。所有的样本都使用过程简单,成本低廉,溶胶-凝胶法成功制造旋转涂布技术。本研究证明TiO的能力2在检测和传感H+,可以看出,所有样本的线性表现出超过0.98实现。得出最优旋转速度产生一个高灵敏度膜3000 rpm,从60.3 mV / pH值的敏感性。除此之外还发现理想旋转时间是75秒,这个样本有很大的敏感性68 mV / pH值很好的线性度为0.9943。

 信息披露

赞助商的资金没有参与这项研究的设计,在收集、分析、和解释数据,写的手稿,并决定发表的结果。

 相互竞争的利益

作者宣称没有利益冲突有关的出版。

 确认

这项研究部分由邻蒙古马来西亚利基研究资助计划(nrg)下(项目代码:600 - rmi / nrg 5/3(7/2013))和学院科研管理与创新(IRMI),各种大学马拉(UiTM)。作者要感谢NANO-SciTech中心(望远镜),科学(IOS)研究所UiTM, AFM设施。

 Bergveld P。 开发、运行和应用电生理学ion-sensitive场效应晶体管作为工具 IEEE生物医学工程 1972年 19 5 342年 351年 10.1109 / tbme.1972.324137 2 - s2.0 - 0015388173 花王 c . H。 程ydF4y2Ba H。 黄 彭译葶。 high-k Gd Ti加法和退火的影响2O3传感膜对多晶硅extended-gate场效应晶体管的应用程序 应用表面科学 2013年 286年 328年 333年 10.1016 / j.apsusc.2013.09.080 2 - s2.0 - 84887471276 蒋介石 J.-L。 郭 彭译葶。 研究的特征和应用pH-Sensor GZO /玻璃extended-gate场效应晶体管 《IEEE第五国际纳电子学会议(INEC 13) 2013年1月 新加坡 498年 501年 10.1109 / inec.2013.6466089 2 - s2.0 - 84874773858 van der spiegel J。 Lauks 我。 陈 P。 巴比克 D。 扩展门化学敏感场效应晶体管作为探针大型化 传感器和执行器 1983年 4 291年 298年 10.1016 / 0250 - 6874 (83)85035 - 5 2 - s2.0 - 0020828540 Truong t·K。 阮 T . n . T。 Trung t, Q。 孙 i . Y。 金 D.-J。 荣格 黄永发。 李 N.-E。 降低石墨烯与氧化铟锡氧化物场效应晶体管扩展为质子感应门 当前应用物理 2014年 14 5 738年 743年 10.1016 / j.cap.2014.03.007 2 - s2.0 - 84898074345 杨 P.-Y。 王 J.-L。 赵 P.-C。 周 J.-C。 程ydF4y2Ba C.-W。 李 h。 程 H.-C。 PH值传感extended-gate场效应晶体管的特性基于al-doped氧化锌纳米结构在低温热水地合成 IEEE电子器件信 2011年 32 11 1603年 1605年 10.1109 / LED.2011.2164230 2 - s2.0 - 80054995631 李 h。 杨 已经雕刻。 祺 c c。 苏 彭译葶。 戴 W.-S。 曾 j。 杨 P.-Y。 周 J.-C。 程 H.-C。 Coaxial-structured氧化锌/硅纳米线extended-gate场效应晶体管作为pH传感器 薄固体电影 2013年 529年 173年 176年 10.1016 / j.tsf.2012.05.045 2 - s2.0 - 84873742333 廖 中州。 周 J.-C。 二氧化钛薄膜的制备和表征用于pH电极和普鲁卡因药物传感器通过溶胶-凝胶方法 材料化学与物理 2009年 114年 2 - 3 542年 548年 10.1016 / j.matchemphys.2008.10.014 2 - s2.0 - 58849093966 Pjević D。 Obradović M。 Marinković T。 Grce 一个。 Milosavljević M。 Grieseler R。 Kups T。 Wilke M。 夏芙 P。 气急败坏的属性TiO2薄膜沉积和退火参数的函数 自然史B:凝聚态 2015年 463年 20. 25 10.1016 / j.physb.2015.01.037 2 - s2.0 - 84922240839 斯利 z . M。 Bandyopadhyay 一个。 玻色 年代。 二氧化钛薄膜高温气体传感器 薄固体电影 2010年 519年 1 434年 438年 10.1016 / j.tsf.2010.07.040 2 - s2.0 - 77957695483 诺兰 m·G。 Pemble m E。 壳体 d . W。 耶茨 h . M。 一步过程的化学蒸汽沉积二氧化钛纳米颗粒薄膜将控制结构 薄固体电影 2006年 515年 4 1956年 1962年 10.1016 / j.tsf.2006.07.182 2 - s2.0 - 33750837297 哈比比 m . H。 Nasr-Esfahani M。 制备、表征及光催化活性的一种新颖的纳米结构复合膜来自技术TiO2和溶胶-凝胶过程中使用有机分散剂 染料和颜料 2007年 75年 3 714年 722年 10.1016 / j.dyepig.2006.07.032 2 - s2.0 - 34249863649 Turkevych 我。 Pihosh Y。 转到 M。 笠原 一个。 土佐 M。 加藤 年代。 Takehana K。 Takamasu T。 城 G。 Koguchi N。 二氧化钛光催化性能的纳米基质气急败坏的说 薄固体电影 2008年 516年 9 2387年 2391年 10.1016 / j.tsf.2007.04.083 2 - s2.0 - 39449095455 副食 M。 MacCallini E。 卡鲁索 T。 Casari c·S。 李低音部 一个。 Bottani c, E。 鲁道夫 P。 王子 k . C。 阿戈斯蒂诺• r·G。 纳米氧化钛的表面电子结构性质增加了脉冲激光沉积 表面科学 2011年 605年 3 - 4 333年 340年 10.1016 / j.susc.2010.10.039 2 - s2.0 - 78651245656 伊藤 一个。 佐藤 T。 转到 T。 透明的锐钛矿和金红石TiO2电影增加了激光化学汽相淀积 薄固体电影 2014年 551年 37 41 10.1016 / j.tsf.2013.11.089 2 - s2.0 - 84891744693 帕蒂尔 美国米。 Kulkarni 美国B。 德斯穆克 p R。 Salunkhe R R。 Lokhande c, D。 光敏纳米TiO2生长在室温下通过小说“自下而上”的接近CBD方法 杂志的合金和化合物 2011年 509年 21 6196年 6199年 10.1016 / j.jallcom.2011.02.091 2 - s2.0 - 79955610384 Alekhin 答:P。 Gudkova 美国一个。 Markeev a . M。 Mitiaev 答:S。 Sigarev 答:一个。 Toknova 诉F。 二氧化钛薄膜的结构特性增加了原子层沉积在不同数量的反应周期 应用表面科学 2010年 257年 1 186年 191年 10.1016 / j.apsusc.2010.06.061 2 - s2.0 - 77955514299 姚 P.-C。 蒋介石 J.-L。 李 M.-C。 应用溶胶-凝胶法TiO2电影extended-gate H+ion-sensitive场效应晶体管 固体科学 2014年 28 47 54 10.1016 / j.solidstatesciences.2013.12.011 2 - s2.0 - 84891499440 Znaidi l Sol-gel-deposited氧化锌薄膜:审查 材料科学与工程:B 2010年 174年 1 - 3 18 30. 10.1016 / j.mseb.2010.07.001 2 - s2.0 - 77956455482 田 J。 程ydF4y2Ba l 戴 J。 王 X。 阴 Y。 吴 P。 TiO的制备和表征2、氧化锌和TiO2通过溶胶-凝胶过程/氧化锌薄膜 陶瓷国际 2009年 35 6 2261年 2270年 10.1016 / j.ceramint.2008.12.010 2 - s2.0 - 67349184484 易卜拉欣 美国一个。 Sreekantan 年代。 pH值对TiO的影响2通过溶胶-凝胶法制备纳米粒子 先进材料的研究 2011年 173年 184年 189年 10.4028 /www.scientific.net/amr.173.184 2 - s2.0 - 78651442470 阿卜杜拉 w·f·H。 奥斯玛 M。 阿里 M·a . M。 化学与恒压恒流场效应晶体管漏源极读出电路 《IEEE学生研究和发展会议(得分' 09) 2009年11月 雪兰莪州,马来西亚 219年 221年 10.1109 / scored.2009.5443112 2 - s2.0 - 77952629274 Shaari 年代。 拉赫曼 m . s . A。 Arif n . a . a . M。 工艺参数对硫化锌的发光性质的影响:锰纳米晶体 《亚洲通信和光子学会展(ACP ' 09) 2009年11月 中国上海 1 2 2 - s2.0 - 77949390050 Kamarozaman n S。 拉希德 M a r M。 穆萨 m Z。 赫尔曼 s . H。 Bakar r。 阿卜杜拉 w·f·H。 Rusop M。 膜厚度对自旋涂二氧化钛薄膜的记忆性行为 《IEEE区域研讨会上微纳电子学(RSM 13) 2013年9月 兰卡威岛、马来西亚 IEEE 155年 158年 10.1109 / rsm.2013.6706496 2 - s2.0 - 84893525040 Kozuka H。 Hirano M。 辐射光条纹和表面粗糙度alkoxide-derived旋转涂布的电影 溶胶-凝胶科学与技术杂志》上 2000年 19 1 - 3 501年 504年 10.1023 /:1008772102546 2 - s2.0 - 0034476130 Jayamurugan P。 Ponnuswamy V。 Subba Rao y V。 Ashokan 年代。 Meenakshisundar 年代。 旋转涂布率的影响在厚度、表面改性和光学性质的水分散PPy复合薄膜 在半导体材料科学处理 2015年 39 205年 210年 10.1016 / j.mssp.2015.05.014 2 - s2.0 - 84930195073 程ydF4y2Ba W.-F。 Koshy P。 索雷尔 C . C。 电影拓扑和污染的影响厚度的函数在photo-induced透明TiO的亲水性2通过旋转涂布薄膜沉积在玻璃基板 材料科学杂志 2016年 51 5 2465年 2480年 10.1007 / s10853 - 015 - 9559 - y 2 - s2.0 - 84953352213 Piveteau L.-D。 赫罗纳 m . I。 Schlapbach l Barboux P。 Biolot j。 夸夸其谈的人 B。 薄膜的磷酸钙和二氧化钛溶胶-凝胶法路线:涂层医疗植入物的新方法 材料科学杂志:材料在医学 1999年 10 3 161年 167年 10.1023 /:1008985423644 2 - s2.0 - 0033105715