IJPSgydF4y2Ba 国际高分子科学杂志》上gydF4y2Ba 1687 - 9430gydF4y2Ba 1687 - 9422gydF4y2Ba Hindawi出版公司gydF4y2Ba 10.1155 / 2016/1926972gydF4y2Ba 1926972gydF4y2Ba 研究文章gydF4y2Ba 微波辐射对合成聚(3-hexylthiophene)和随后的cd / P3HT的太阳能电池的光电性能gydF4y2Ba Garcia-EscobargydF4y2Ba c . H。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba NichogydF4y2Ba m E。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 胡gydF4y2Ba HailingydF4y2Ba 2gydF4y2Ba Alvarado-TenoriogydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba Altuzar-CoellogydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba Cadenas-PliegogydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba Hernandez-MartinezgydF4y2Ba D。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 拜gydF4y2Ba Ranjith K。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba Centro de Investigacion en Ingenieria y Ciencias Aplicadas (CIICAp)gydF4y2Ba ▽Estado de莫洛雷斯(UAEM)自治大学gydF4y2Ba 加拉卡斯大学1001gydF4y2Ba 殖民地ChamilpagydF4y2Ba 62209年库埃纳瓦卡gydF4y2Ba 铁道部gydF4y2Ba 墨西哥gydF4y2Ba uaem.mxgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 皇家研究院能源RenovablesgydF4y2Ba 大学根据墨西哥gydF4y2Ba 62580年TemixcogydF4y2Ba 铁道部gydF4y2Ba 墨西哥gydF4y2Ba unam.mxgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba Centro de Investigacion en Quimica AplicadagydF4y2Ba 25294年萨尔提略gydF4y2Ba COAHgydF4y2Ba 墨西哥gydF4y2Ba ciqa.mxgydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 03gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 04gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 04gydF4y2Ba 05年gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 2016年gydF4y2Ba 版权©2016 c . h . Garcia-Escobar et al。gydF4y2Ba 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2Ba

保利(3-hexylthiophene) (P3HT)是一种半导体聚合物已经被证明是一个好的捐赠者在有机或混合太阳能电池。在这项工作中,详细研究在CH P3HT的合成gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂氧化方法进行了有无MW援助。影响合成工艺参数对P3HT的物理性质的产品和他们的应用程序在混合cd / P3HT光伏设备进行了研究。可以看出兆瓦的使用以及反应时间影响聚合物的反应收率和性质的产品。这是发现,传统方法(没有兆瓦),最高产量和聚合物产品的属性类似2 h或24 h后的合成。最优反应时间与MW CH P3HT聚合gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂是1 h,得到P3HT产品显示相似或更好的性能比P3HT传统方法合成的聚合物在同一溶剂。期间使用MW合成的效果是增加产量和水晶P3HT的大小。更大的能量转换效率的ITO / cd / P3HT / CP-Au设备得到当P3HT的产品有较高的分子量和头/尾根/尾(HT-HT)三合会的内容。gydF4y2Ba

1。介绍gydF4y2Ba

导电聚合物在近几十年来吸引了大量关注,因为他们在各个领域的潜在应用的化学、物理、电子、光学、材料、和生物医学科学gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba]。特别是polythiophene及其衍生物是最有前途的共轭聚合物的家人因为他们独特的电子行为,良好的环境和热稳定性、溶解性、低成本的合成、和机械强度gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba]。特别是,polythiophenes已经用于有机光电(口服脊髓灰质炎疫苗)gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba),可充电电池(gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba)、光学窗口(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba),燃料电池(gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba),电致变色的设备(gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba),等等。口服脊髓灰质炎疫苗是一个正在迅速崛起的可再生能源替代,提供低成本的优势比现有技术由于能够印在一个大规模gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba]。对于太阳能电池的应用程序,保利(3-hexylthiophene) (P3HT)是一个最有前途的候选人由于其高吸收系数(~ 10gydF4y2Ba5gydF4y2Ba厘米gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba在太阳光谱的可见区域的高流动性以及photogenerated洞(gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba]。氧化偶联聚合有很大的优势,尤其是在大规模制备。P3HT可以获得由氧化沉淀聚合的单体在低或室温和惰性气氛gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

在化学合成,热量主要是要求加快反应速率,通常由传导通过热板或接受者。微波(MW)辐射加热反应是另一个非常有效的方法解决方案(gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba]。MW-assisted有机合成的快速增长的开始过程成立于1986年,先锋Gedye et al。gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba)和Giguere et al。gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba]。MW供热是一种很有前途的技术在可持续化学(绿色化学);几种方法已经开发使用MW进行反应,包括使用少溶剂相比传统方法(甚至无溶剂条件gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba]。使用现代科学兆瓦设备,高温可以实现一个简单的,安全的,可再生的方式,通常可以将反应时间减少,和产品产量和纯度可以增加与传统的加热方法相比(gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba]。然而,几个问题仍然开放有关的不同影响MW辐照在有机和高分子化学gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba]。现在认识到,MW供热期间,MW辐照是直接转移到活性物种,导致偶极离子的迁移和旋转。这些分子运动产生分子碰撞和摩擦,导致材料的加热(gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

在之前的工作中,MW辐射技术已被用于化学合成的聚(3-hexylthiophene) (P3HT) CoolMate [gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba]。的合成是由直接氧化3-hexylthiophene单体在氯仿溶剂,和一个最佳MW辐射时间1 h决定的工作。作为替代溶剂,反应是在二氯甲烷(CHgydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba)同一MW辐照下,但辐射时间只有1 h。CH的聚合gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂导致更高的收益率,更好地与小粒度均匀形态(AFM)决定,和更大的HT耦合,但在CH最佳反应时间gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂不执行。作为一个延续的调查,在这个工作中,进行了详细研究在CH MW-assisted P3HT的合成gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂。P3HT被氧化合成方法比较的和没有MW援助。影响微波辐射和反应时间等工艺参数对产品的属性进行了研究。P3HT产品通过红外光谱,gydF4y2Ba1gydF4y2BaTGA H NMR, GPC, XRD,光致发光,紫外可见光谱。一旦材料特点,其中一些被选为光伏制造设备与cd / P3HT活跃层。P3HT属性的影响光伏太阳能电池的性能也进行了讨论。gydF4y2Ba

2。实验gydF4y2Ba

P3HT在CH两种方法获得的gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂:(1)通过直接氧化蒸馏3-hexylthiophene (3 ht)使用FeCl单体gydF4y2Ba3gydF4y2Ba作为氧化剂在0°C和NgydF4y2Ba2gydF4y2Ba大气(gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba),称为“传统法”,(2)通过MW-assisted合成(gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba]。简单地说,在第一种情况下,3 ht单体是FeCl补充道gydF4y2Ba3gydF4y2Ba之前,溶解在CHgydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba。混合搅拌在0°C在不同的反应时间。产品在甲醇沉淀,过滤,用甲醇、盐酸溶液中,丙酮,在北半球gydF4y2Ba4gydF4y2Ba哦,解决方案,EDTA溶液、蒸馏水。聚合物干,在氯仿提取。MW-assisted合成的情况下(单模微波杰姆在−发现设备40°C发现CoolMate装置,输出功率范围从0到300 W), FeClgydF4y2Ba3gydF4y2Ba解决方案在反应堆放置在兆瓦设备和实验条件程序获得0°C反应温度、100 W的电力,和不同的反应时间。当反应温度达到3 ht的解决方案是添加到反应堆(计划gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba)。反应时间不同(24 h, 2 h, 1 h,和0.5 h)来确定最佳反应时间在这种溶剂每个合成方法(MW-assisted和传统)。溶剂的用量在MW-assisted P3HT的合成降低对传统合成(大约六分之一的溶剂的用量在传统的合成没有MW)。一旦得到了聚合物,电影准备在康宁玻璃基板通过旋转涂布技术16毫克/毫升的浓度甲苯。统一的电影获得红颜色(nondoped状态)。gydF4y2Ba

MW-assisted合成聚(3-hexylthiophene)。gydF4y2Ba

平均(Mn)数量和重量平均分子量(Mw)和多分散性(PD)是由尺寸排阻色谱(SEC,惠普1100高效液相色谱)配备在线真空脱气装置,autosampler和紫外检测器。SEC设备配备三PLgel 5 - 10毫米列(孔隙大小:106、105和103;300毫米×7.5毫米)和一个PLgel 10毫米警卫队列(50毫米×7.5毫米)(聚合物实验室)和操作使用四氢呋喃作为洗脱液为1.0毫升/分钟40°C。仪器校准与聚苯乙烯标准,分子量表示为聚苯乙烯当量(标准1×106 - 400 Da)。双(HH和HT)和三合会(HT-HT, HT-HH、TT-HT TT-HH)配置是由gydF4y2Ba1gydF4y2BaH NMR使用CDCl(瓦里安Inova 400仪器)gydF4y2Ba3gydF4y2Ba作为溶剂。其内容P3HT聚合物从峰值估计地区出现gydF4y2Ba δgydF4y2Ba= 2.55 (HH), 2.8 (HT), 6.98 (HT-HT), 7.00 (HT-HH), 7.02 (TT-HT)和7.05 (TT-HH) ppmgydF4y2Ba1gydF4y2BaH NMR谱(gydF4y2Ba 22gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

聚合物的热稳定性和分解温度由热重分析(TGA TA Q500)。样本加热10°C /分钟的速度下氮气氛。P3HT光学吸收的变化探讨了电影通过记录紫外-可见光谱(紫外)用日本岛津公司3101年电脑分光光度计。傅里叶变换红外光谱(FTIR)记录的样本光谱红外光谱分光计GX, PerkinElmer。x射线衍射(XRD)模式被记录在一个Rigaku创世纪4 x射线衍射仪(CuKgydF4y2Ba αgydF4y2Ba辐射;gydF4y2Ba λgydF4y2Ba= 0.154海里),1°的扫描速度/分钟从10°40°2gydF4y2Ba θgydF4y2Ba范围(模式:平行梁和掠射角:1),x射线衍射测量P3HT是沉积在康宁的玻璃。紫外可见分光光度计的光致发光特性进行了测试(650年λ,PerkinElmer)激发波长430 nm。P3HT特点是在形式的薄膜,由旋转涂布。gydF4y2Ba

对太阳能电池制造、50 nm CdS薄膜作为窗口层(CdS-f)是由化学浴沉积沉积两个小时60°C清洁ITO镀膜玻璃基板(δ技术,薄层电阻gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba = 8 - 12Ω)。化学浴溶液的组成的窗口层包含12.5毫升硝酸镉(1米),7.5毫升的柠檬酸钠(1米),1毫升的集中氢氧化铵,2.5毫升的硫脲(0.1米),最后26.5毫升蒸馏水(gydF4y2Ba 24gydF4y2Ba]。准备聚合物薄膜,P3HT溶解在1,2-dichlorobenzene (DCB)浓度为2.5毫克/毫升和磁搅拌。这之后,解决方案是沉积在CdS-f窗口的顶部。ITO / CdS-f / P3HT结构为10分钟然后退火在190°C。hole-collecting接触,一层导电碳涂料(CP, SPI化学)是通过一个铝沉积荫罩面积0.1厘米gydF4y2Ba2gydF4y2Ba。最后,一个40 nm厚的黄金(Au)电极被蒸发沉积(gydF4y2Ba 25gydF4y2Ba]。最后的设备配置是ITO / CdS-f / P3HT / CP /非盟。至少6细胞样本准备每种类型的太阳能电池。所有的细胞制备过程进行了在空气中(除了Au)的蒸发和最终的设备没有密封。太阳能电池样本与太阳模拟器辐照从ITO(凸肚)与100 mW /厘米gydF4y2Ba2gydF4y2Ba辐射强度。电流电压(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba 在环境条件下)测量记录。gydF4y2Ba

3所示。结果与讨论gydF4y2Ba

P3HT产品完全溶解时合成与反应时间的0.5 MW和1 h。然而,当反应时间是2小时,有一个不溶性沉淀所需的最终产品,索氏提取分离的可溶性部分产品。没有MW P3HT的合成,反应时间的产品可溶性0.5和1 h,和更长的反应时间(2和24 h)导致形成不溶性沉淀。P3HT的不溶性部分应该是那些分子量较高的大分子或交叉连接。基于可溶性聚合物反应收益率计算,表中列出gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba。三个反应时间,0.5 h, 1 h, 2 h, P3HT产品合成没有MW显示产量低于P3HT产品合成MW,指示,正如所料,MW辐射促进更快的反应。gydF4y2Ba

反应率和最大分解温度P3HT的产品有或没有微波辐射合成(MW)不同的反应时间。gydF4y2Ba

反应时间(h)gydF4y2Ba 收益率(%)gydF4y2Ba 最大分解温度(°C)gydF4y2Ba
0.5gydF4y2Ba 49gydF4y2Ba 478年gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba 84年gydF4y2Ba 480年gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba 86年,提取gydF4y2Ba 476年gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba 86年,提取gydF4y2Ba 500年gydF4y2Ba
0.5(兆瓦)gydF4y2Ba 54gydF4y2Ba 476年gydF4y2Ba
1(兆瓦)gydF4y2Ba 92年gydF4y2Ba 476年gydF4y2Ba
2(兆瓦)gydF4y2Ba 88年,提取gydF4y2Ba 481年gydF4y2Ba

当反应时间更短的像0.5 h,这两种合成方法做了一个低收益率(49 - 54%),表明该反应的反应是没有完成的时间。反应时间延长导致更大的产量,使用或废弃MW最高产量的反应时间的影响。没有兆瓦,获得最高产量为2 h反应。延长反应时间等24小时仅保持相同的没有进一步增加产量。因此,在没有兆瓦的合成,不需要24小时的反应时间执行传统的反应。另一方面,兆瓦的使用减少了反应时间达到最高产量。反应时间的1 h MW辐射下,获得最高产量P3HT的产品(92%),类似于之前的研究,获得了1 h在CHgydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba(93%)(gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba]。很明显,兆瓦的使用减少了反应时间,提高产量。此外,试剂消耗监控使用薄层色谱法和1 h被确定为最优时间在CH P3HT的聚合gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba溶剂。在前面的工作中,最佳的聚合时间也是1 h用氯仿为溶剂gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba),这表明这两个溶剂有效MW供热介质。gydF4y2Ba

P3HT产品的热稳定性进行了分析通过TGA技术和结果如图gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba。可以看出样品合成没有MW热比合成更稳定的电能。200°C,所有样本显示出类似的稳定,但温度高于样品合成MW显示小体重从200°C到340°C(大约7%),这可能是低分子量的损失一部分P3HT的产品(gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba]。第二和P3HT的最大分解阶段产品发生在温度476至500°C(表gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba)。P3HT合成为24小时没有MW显示最高的降解温度(500°C)在所有的聚合物产品,因为最高的产品含有的分子大小或重量,因为它将显示在表gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

分子量和多分散性P3HT的数据产品合成有或没有微波(MW)辐射。gydF4y2Ba

反应时间(h)gydF4y2Ba 锰gydF4y2Ba 兆瓦gydF4y2Ba PDgydF4y2Ba
0.5gydF4y2Ba 17816年gydF4y2Ba 40436年gydF4y2Ba 2.27gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba 29089年gydF4y2Ba 65016年gydF4y2Ba 2.24gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba 29454年gydF4y2Ba 71163年gydF4y2Ba 2.42gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba 32662年gydF4y2Ba 80295年gydF4y2Ba 2.46gydF4y2Ba
0.5与兆瓦gydF4y2Ba 13662年gydF4y2Ba 40295年gydF4y2Ba 2.95gydF4y2Ba
1兆瓦gydF4y2Ba 14648年gydF4y2Ba 40438年gydF4y2Ba 2.76gydF4y2Ba
2兆瓦gydF4y2Ba 31069年gydF4y2Ba 92008年gydF4y2Ba 2.96gydF4y2Ba

TGA曲线P3HT产品的合成有或没有MW辐射。gydF4y2Ba

表gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba给出了测量分子量和多分散性P3HT的产品。结果表明,通过增加反应时间,增加产品的分子量有或没有兆瓦。1小时的反应时间,分子量较小的进行合成时在兆瓦的存在。2 h的反应时间、微波合成产品的分子量是类似于没有获得24 h MW的反应时间。另一方面,MW显示更高的多分散性的P3HT聚合物合成与合成在缺乏MW相比,这可能源于MW辐照下的快速聚合动力学。大的多分散性MW P3HT产品意味着它们含有更大比例的高分子分子量较低,证实了TGA结果相同的样本。最后,从应用程序的角度来看,聚合物分子量是一个重要的参数制造的高效有机光电(口服脊髓灰质炎疫苗)设备(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba]。散装异质结的设备,该设备性能随P3HT分子量。这个结果将会探测。gydF4y2Ba

的结构规律P3HT的产品进行检测gydF4y2Ba1gydF4y2BaH NMR光谱(图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)。2.4 - -2.9 ppm的光谱显示两座山峰地区(2.54 ppm, 2.78 ppm),由于gydF4y2Ba αgydF4y2BachgydF4y2Ba2gydF4y2Ba质子直接连接到噻吩环。因此,在2.78 ppm信号对应于头/尾(HT)二的配置,为2.54 ppm (HH)一个头/头。6.9和7.1 ppm之间对应的信号gydF4y2Ba βgydF4y2Ba包括质子(或质子在四工位)噻吩环和揭示了三位一体的配置。三合会从峰值区域出现的比率估计约6.98(头/尾根/尾,HT-HT), 7.00(头/尾根头,HT-HH), 7.02(尾/尾根尾巴,TT-HT)和7.05(尾尾根/头,TT-HH) ppm (gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba]。二分体和三合会的内容不同P3HT产品如表所示gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

双(HT和HH)和三(HT-HT, TT-HT、HT-HH TT-HH) P3HT的内容产品在CH合成gydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba有或没有MW辐射。gydF4y2Ba

反应时间在CHgydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba(h)gydF4y2Ba HT (%)gydF4y2Ba HH (%)gydF4y2Ba HT-HT (%)gydF4y2Ba TT-HT (%)gydF4y2Ba HT-HH (%)gydF4y2Ba TT-HH (%)gydF4y2Ba
0.5gydF4y2Ba 77.6gydF4y2Ba 22.4gydF4y2Ba 67.36gydF4y2Ba 12.76gydF4y2Ba 13.28gydF4y2Ba 6.6gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba 77.5gydF4y2Ba 22.5gydF4y2Ba 66.92gydF4y2Ba 10.74gydF4y2Ba 9.64gydF4y2Ba 12.7gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba 79.5gydF4y2Ba 20.5gydF4y2Ba 68.72gydF4y2Ba 13.28gydF4y2Ba 9.36gydF4y2Ba 8.64gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba 78.2gydF4y2Ba 21.8gydF4y2Ba 70.42gydF4y2Ba 14.32gydF4y2Ba 7.53gydF4y2Ba 7.73gydF4y2Ba
0.5兆瓦gydF4y2Ba 77.3gydF4y2Ba 22.7gydF4y2Ba 66.55gydF4y2Ba 14.35gydF4y2Ba 7.54gydF4y2Ba 11.56gydF4y2Ba
1兆瓦gydF4y2Ba 79.1gydF4y2Ba 20.9gydF4y2Ba 68.97gydF4y2Ba 10.16gydF4y2Ba 10.12gydF4y2Ba 10.75gydF4y2Ba
2兆瓦gydF4y2Ba 74.3gydF4y2Ba 25.7gydF4y2Ba 62.36gydF4y2Ba 9.46gydF4y2Ba 11.32gydF4y2Ba 16.86gydF4y2Ba

1gydF4y2BaH NMR光谱P3HT聚合物合成有或没有MW辐射。gydF4y2Ba

P3HT产品获得的两种合成方法显示的最大内容HT二分体和反应时间。P3HT的合成没有兆瓦,一对被放弃的增加反应时间为2 h,给予最大的二分体的比例79.5%。以上2 h的反应,这一比例下降较长的反应时间。P3HT的MW-assisted合成,二分体的最大百分比给出反应时间的1 h(79.1%)然后减少反应时间长,给2 h反应减少了4.8%。至于三合会的内容,最大HT-HT反应的内容得到24 h P3HT的情况下产品的合成没有兆瓦。最大的黑社会内容P3HT产品MW得到的反应时间1 h。自从HT-HT三合会不间断的接合部分,他们是导电阶段内P3HT的产品。因此,最佳电导率的反应时间应该是1 h MW辐射下如果P3HT的产品合成。如果相同的产品没有兆瓦,合成的最佳时间应该是24小时。gydF4y2Ba

的红外光谱谱P3HT产品(图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba),这是肯定的,MW辐射不生成任何子积的形成。红外光谱谱相同,另一方面,可以帮助评估P3HT分子链共轭长度,文献[所显示gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba]。图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba显示的红外光谱谱P3HT产品的范围1300到1600厘米gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba。对称环拉伸的强度比为1455厘米gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba在1510厘米不对称环拉伸gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba )每个P3HT的产品列在表中gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba。在文献[gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba),确认再共轭长度的聚合物骨干在较小的结果gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 比率。据,大多数P3HT的共轭长度相似产品合成和没有兆瓦(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba = 3.0 - 3.2),除了样本合成为0.5 h不兆瓦(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba = 3.9)含有共轭长度短。相比HT-HT三合会(表内容gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba)相同的产品,不同的从70%到62,似乎由红外光谱谱共轭长度的估计接近的结果gydF4y2Ba1gydF4y2BaH NMR光谱。gydF4y2Ba

对称环拉伸的强度比率为1455厘米gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba在1510厘米不对称环拉伸gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba )P3HT的产品合成为不同的反应时间有或没有兆瓦。gydF4y2Ba

反应时间(h)gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 一个gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ygydF4y2Ba 米gydF4y2Ba
0.5gydF4y2Ba 3.9gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba 3.1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba 3.0gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba 3.0gydF4y2Ba
0.5(兆瓦)gydF4y2Ba 3.1gydF4y2Ba
1(兆瓦)gydF4y2Ba 3.1gydF4y2Ba
2(兆瓦)gydF4y2Ba 3.2gydF4y2Ba

红外光谱谱P3HT的产品的范围1300到1600厘米gydF4y2Ba−1gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

P3HT薄膜的光学特性进行了研究,通过分析其紫外吸收及光致发光(PL)光谱数据gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba,分别。的最大吸收峰P3HT电影都在约513海里(2.41 eV),对应gydF4y2Ba πgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba πgydF4y2Ba ∗gydF4y2Ba 乐队,和两个电子振动的吸收的肩膀出现在550海里(2.25 eV)和600海里(2.07 eV)(图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba)。电子振动的特征的外观的签名关闭包装P3HT凝聚相中的高分子链(gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba),这表明有小点的链P3HT的电影。此外,513海里的吸收峰值转向更高的波长被样品合成1 h和没有兆瓦,建议减少相关的能隙增加共轭链(gydF4y2Ba 29日gydF4y2Ba]。MW辐射似乎没有影响光的吸光度P3HT的产品。gydF4y2Ba

归一化(a)紫外可见和(b)光致发光(PL)光谱的原始P3HT薄膜。P3HT产品合成有或没有MW辐射。gydF4y2Ba

图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba显示了规范化PL光谱如图同一P3HT的电影gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba从600年到800纳米波长地区430海里入射光激发下室温。低于600海里,有锋利的截止滤光片的山峰没有对应的荧光光度计P3HT样本。PL光谱给电子振动的排放最大峰值位于656 nm波长(0 - 0发射峰)和肩膀在702 nm(0 - 1发射峰)。固体的电子振动的结构与有序结晶相(gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba]。电子振动的结构中观察到的辐射复合的PL光谱是由于激子的底部附近gydF4y2Ba vgydF4y2Ba ~gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 乐队,gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba vgydF4y2Ba (gydF4y2Ba vgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba …gydF4y2Ba )对应于峰值发射电子基态与终止gydF4y2Ba vgydF4y2Ba (振动激发态gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

光学能隙(gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba P3HT的)值可以确定薄膜的低能量出现吸收峰图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 33gydF4y2Ba),1.85 P3HT合成1 h,有或没有兆瓦,1.88到1.89 eV的P3HT样本。在PL光谱,另一方面,gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 值相同的P3HT电影对应波长的最大发射峰(图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba),相同的数字在吸收光谱。第二种方法来估计gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 价值观是Tauc情节如果P3HT是半导体材料的直接过渡:(gydF4y2Ba αgydF4y2BahgydF4y2Ba νgydF4y2Ba)gydF4y2Ba2gydF4y2Ba与hgydF4y2Ba νgydF4y2Ba(gydF4y2Ba 34gydF4y2Ba),给的1.92到1.93 eV值P3HT产品合成1 h和没有MW和1.95到1.96 eV聚合物样品的其余部分。稍高的gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 值估计Tauc方法可能来自不精确确定线性情节横坐标轴上的十字路口。然而,一致的小带隙值1 h P3HT样本表明,这些电影包含着更多的晶体结构或更长时间比其余的共轭长度P3HT的产品。gydF4y2Ba

确认1 h P3HT样品的微观结构,x射线衍射模式如图gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba,加上24小时样品(没有MW)。定义良好的衍射峰强度最大,2gydF4y2Ba θgydF4y2Ba= 10.6°,宽15.9°,峰值为23.4°被三个体现P3HT样本。这些峰值对应的密勒指数(2 0 0),(3 0 0)和(1 2 0)(确定P3HT粉末衍射的卡片:00-054-2080;水晶系统:斜方晶系的)。这两个角度的山峰在2gydF4y2Ba θgydF4y2Ba= 10.6°和15.9°对应于二、三阶反射的层间间距,分别对应的值gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 间距计算布喇格定律ǺǺ8.4和5.6,分别为(gydF4y2Ba 35gydF4y2Ba]。陈和倪提出广泛的峰值在2gydF4y2Ba θgydF4y2Ba= 23.4°(gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 距:3.8Ǻ)之间的间距可以归因于两个连续叠加平面的共面子链(或intraplanar包装)(gydF4y2Ba 35gydF4y2Ba]。此外,晶体大小P3HT样本可以估计的半宽度(应用)选择在他们的XRD衍射峰模式使用谢瑞方程[gydF4y2Ba 36gydF4y2Ba]。通过选择达到2gydF4y2Ba θgydF4y2Ba= 10.6°,发现1 h P3HT MW平均晶粒大小为11.8 nm, 1 h P3HT示例没有MW平均晶粒大小为10.5 nm,和24小时没有MW P3HT样本合成平均晶粒大小为8.1 nm(表gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba)。gydF4y2Ba

晶体粒度值使用谢瑞方程和半峰全宽峰gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba θgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 10.6gydF4y2Ba °gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

样本gydF4y2Ba 应用(度)。gydF4y2Ba 晶粒大小(nm)gydF4y2Ba
P3HT 1 hgydF4y2Ba 0.8775gydF4y2Ba 10.5gydF4y2Ba
P3HT 1 h MWgydF4y2Ba 0.7904gydF4y2Ba 11.8gydF4y2Ba
P3HT 24小时gydF4y2Ba 1.1052gydF4y2Ba 8.1gydF4y2Ba

x射线衍射模式P3HT产品及其与卡P3HT的斜方晶系的晶系(00-054-2080)。gydF4y2Ba

XRD结果表明,这两个参数,合成时间和微波辐射,影响了P3HT结晶度。首先,当合成进行没有兆瓦,缩短合成时间产生更高的结晶度。第二,MW辐射产生较高的结晶度合成产品相比,那些没有兆瓦。结晶度与分子量有关,与克莱恩et al。gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba]。他们发现低分子量电影结晶度高于高分子量的电影。这项工作的结果支持,观察。低分子量(表之间的直接相关gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)和更大的晶粒大小(表gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba)存在P3HT提到的三个样品。gydF4y2Ba

三个由XRD分析的样本选择建立光伏设备和光伏性能评估使用以下配置:ITO / CdS-f P3HT / CP-Au。图gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba显示gydF4y2Ba JgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba 曲线和开路电压的值(gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ogydF4y2Ba cgydF4y2Ba ),短路电流密度(gydF4y2Ba JgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba cgydF4y2Ba ),填充因子(FF)、效率(gydF4y2Ba ηgydF4y2Ba )不同的光伏设备表中列出gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba。P3HT合成1 h MW显示最低的gydF4y2Ba JgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba cgydF4y2Ba ,而样本合成24 h MW显示最高的。此外,P3HT合成为1 h MW显示最高的gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ogydF4y2Ba cgydF4y2Ba 。因此,最高的效率得到设备基于P3HT合成24 h MW。gydF4y2Ba

cd / P3HT混合太阳能电池的光电参数与不同P3HT的产品。gydF4y2Ba

反应时间gydF4y2Ba JgydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba cgydF4y2Ba (mA /厘米gydF4y2Ba2gydF4y2Ba)gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ogydF4y2Ba cgydF4y2Ba (V)gydF4y2Ba FFgydF4y2Ba ηgydF4y2Ba
24小时gydF4y2Ba 0.795gydF4y2Ba 0.599gydF4y2Ba 0.55gydF4y2Ba 0.268gydF4y2Ba
1 hgydF4y2Ba 0.440gydF4y2Ba 0.701gydF4y2Ba 0.4gydF4y2Ba 0.15gydF4y2Ba
1 h MWgydF4y2Ba 0.563gydF4y2Ba 0.803gydF4y2Ba 0.44gydF4y2Ba 0.198gydF4y2Ba

JgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba 基于曲线的cd / P3HT的太阳能电池与P3HT产品合成1 h和没有MW和24 h MW。gydF4y2Ba

传统理论在有机半导体电荷传输预测,更下令或水晶电影应该比less-ordered电荷载流子迁移率高,高分子量。然而,克莱恩et al。gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba)表明,事实上正好相反。less-ordered电影有更高的流动性。的电荷载流子迁移率regioregular P3HT从氯仿降低自旋铸四个数量级时,分子量是减少了一个数量级gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba]。克莱恩等人评论说,intergrain交通严重限制在低分子量电影由于穷人之间的连通性谷物和大量的绝缘晶界。高分子量的电影,没有明确的晶界。由于分子更长的比有序域的大小,单个分子预计数域的一部分。这些连接分子限制邻域之间的错位,并提供一个可能的途径之间的费用去邻域(gydF4y2Ba 38gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba]。这一趋势增加流动性的分子量也观察到在二极管吴作栋et al。gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba]。24 h P3HT样本没有MW分子量最高(表gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)在三个细胞样本,这印证了这一事实设备性能随P3HT分子量由于电荷流动改进(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba),起源于P3HT的增强的分子间排序(p-stacking)阶段。比较两个1 h P3HT样本,没有兆瓦有较高的分子量。然而,它包含低HT和HT-HT内容(表gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba),这可能影响设备效率。总之,高分子量+高regioregularity P3HT提高基于cd / P3HT的太阳能电池的光电性能。gydF4y2Ba

4所示。结论gydF4y2Ba

保利(3-hexylthiophene) (P3HT)被氧化合成方法使用CHgydF4y2Ba2gydF4y2BaClgydF4y2Ba2gydF4y2Ba随着溶剂,没有微波(MW)辐射。P3HT合成与MW显示更高的收益率比没有获得兆瓦。最大双配置确定的合成P3HT MW 1 h和没有为2 h MW。分子量是直接与合成方法的反应时间成比例(有或没有MW);2 h P3HT的合成与反应时间的MW达到所需分子量比得上这些产品获得24 h MW的缺失。多分散性P3HT的合成与没有兆瓦兆瓦高于合成。紫外吸收特性确定,所表现出的最大的蓝移是P3HT合成1 h和没有微波,建议减少能源缺口,可能造成更高的分子排列。此外,P3HT的MW存在合成允许更好的安排P3HT的聚合物链,导致更大的晶粒大小。最后,基于cd / P3HT的光伏设备的能量转换效率与分子量增加结合的百分比HT-HT三合会P3HT产品合成两种方法。导电聚合物的聚合过程的优化起着重要的作用在光电混合太阳能电池的性能。gydF4y2Ba

相互竞争的利益gydF4y2Ba

作者宣称没有利益冲突有关的出版。gydF4y2Ba

确认gydF4y2Ba

作者承认金融支持“洋底扇形CONACYT-SENER-Sustentabilidad Energetica”通过CEMIE-Sol / 27(项目没有。207450)。gydF4y2Ba

JaymandagydF4y2Ba M。gydF4y2Ba HatamzadehbgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba OmidigydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 修改polythiophene的掺入可加工的聚合物链:对合成的最新进展和应用程序gydF4y2Ba 高分子科学的进展gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 47gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba 69年gydF4y2Ba 10.1016 / j.progpolymsci.2014.11.004gydF4y2Ba 金gydF4y2Ba y S。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 金gydF4y2Ba j·K。gydF4y2Ba 搜索引擎优化gydF4y2Ba E.-O。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba E.-W。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba 汉gydF4y2Ba 工程学系。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba 工程学系。gydF4y2Ba 溶剂对聚合物光伏器件的性能和形态gydF4y2Ba 当前应用物理gydF4y2Ba 2010年gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 985年gydF4y2Ba 989年gydF4y2Ba 10.1016 / j.cap.2009.10.013gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77951621719gydF4y2Ba SatapathigydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 吉尔gydF4y2Ba h·S。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 萨缪尔森gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 库马尔gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba MosurkalgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 合成P3HT和PCBM优化形态的纳米粒子聚合物太阳能电池gydF4y2Ba 应用表面科学gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 323年gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba 10.1016 / j.apsusc.2014.07.175gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84919421495gydF4y2Ba Romero-BorjagydF4y2Ba D。gydF4y2Ba MaldonadogydF4y2Ba J.-L。gydF4y2Ba Barbosa-GarciagydF4y2Ba O。gydF4y2Ba 罗德里格斯gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba Perez-GutierrezgydF4y2Ba E。gydF4y2Ba Fuentes-RamirezgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 德·拉·罗萨gydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 聚合物太阳能电池基于P3HT:电脑gydF4y2Ba71年gydF4y2BaBM isocyanate-treated石墨烯的掺杂不同浓度gydF4y2Ba 合成金属gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 200年gydF4y2Ba 91年gydF4y2Ba 98年gydF4y2Ba 10.1016 / j.synthmet.2014.12.029gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84937012925gydF4y2Ba AradillagydF4y2Ba D。gydF4y2Ba EstranygydF4y2Ba F。gydF4y2Ba 卡塞拉gydF4y2Ba F。gydF4y2Ba 过得gydF4y2Ba j . I。gydF4y2Ba 的话gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba All-polythiophene充电电池gydF4y2Ba 有机电子gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba 46gydF4y2Ba 10.1016 / j.orgel.2013.09.044gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84887569449gydF4y2Ba Gustafsson-CarlberggydF4y2Ba j . C。gydF4y2Ba InganasgydF4y2Ba O。gydF4y2Ba 安德森gydF4y2Ba m·R。gydF4y2Ba 展位gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba azen牌gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba GranqvistgydF4y2Ba c·G。gydF4y2Ba 调优的能带隙聚合物智能窗口并显示gydF4y2Ba Electrochimica学报gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba 13 - 14日gydF4y2Ba 2233年gydF4y2Ba 2235年gydF4y2Ba 10.1016 / 0013 - 4686 (95)00169 - fgydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0029393208gydF4y2Ba KuwaharagydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 本gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 近藤gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 下村gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 酶电极的制造polythiophene导数及其应用葡萄糖燃料电池gydF4y2Ba 合成金属gydF4y2Ba 2009年gydF4y2Ba 159年gydF4y2Ba 17 - 18gydF4y2Ba 1859年gydF4y2Ba 1864年gydF4y2Ba 10.1016 / j.synthmet.2009.06.007gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 69449103029gydF4y2Ba NichogydF4y2Ba m E。gydF4y2Ba 胡gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba Lopez-MatagydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 埃斯卡兰特gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba polythiophene衍生物的合成及其应用在电致变色的设备gydF4y2Ba 太阳能材料和太阳能电池gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 82年gydF4y2Ba 1 - 2gydF4y2Ba 105年gydF4y2Ba 118年gydF4y2Ba 10.1016 / j.solmat.2004.01.009gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 1942505337gydF4y2Ba 福尔摩斯gydF4y2Ba n P。gydF4y2Ba UlumgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba SistagydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 伯克gydF4y2Ba k B。gydF4y2Ba 威尔逊gydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba StefangydF4y2Ba m . C。gydF4y2Ba 周gydF4y2Ba X。gydF4y2Ba DastoorgydF4y2Ba p C。gydF4y2Ba 贝尔彻gydF4y2Ba w·J。gydF4y2Ba 聚合物分子量的影响P3HT: PCBM nanoparticulate有机光伏器件性能gydF4y2Ba 太阳能材料和太阳能电池gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 128年gydF4y2Ba 369年gydF4y2Ba 377年gydF4y2Ba 10.1016 / j.solmat.2014.05.046gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84903307532gydF4y2Ba GburekgydF4y2Ba B。gydF4y2Ba 瓦格纳gydF4y2Ba V。gydF4y2Ba 半导体厚度对电荷载流子迁移率的影响在P3HT有机场效应晶体管在柔性基板上平巷架构gydF4y2Ba 有机电子:物理、材料、应用程序gydF4y2Ba 2010年gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 814年gydF4y2Ba 819年gydF4y2Ba 10.1016 / j.orgel.2010.01.023gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77950593789gydF4y2Ba 辛格gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 库马尔gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 辛格gydF4y2Ba r·K。gydF4y2Ba 考尔gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba SoodgydF4y2Ba k . N。gydF4y2Ba RastogigydF4y2Ba r . C。gydF4y2Ba 热处理对聚(3-octylthiophene)的表面形态和物理性质的电影gydF4y2Ba 聚合物gydF4y2Ba 2005年gydF4y2Ba 46gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba 9126年gydF4y2Ba 9132年gydF4y2Ba 10.1016 / j.polymer.2005.07.032gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 24944520388gydF4y2Ba AmougydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 傻瓜gydF4y2Ba O。gydF4y2Ba ShiratogydF4y2Ba K。gydF4y2Ba HayakawagydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 建筑师gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 竹内gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba AsaigydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 头部到尾部的regioregularity保利(3-hexylthiophene)与FeCl氧化偶联聚合gydF4y2Ba3gydF4y2Ba 高分子科学杂志》上的一个部分:高分子化学gydF4y2Ba 1999年gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba 1943年gydF4y2Ba 1948年gydF4y2Ba 10.1002 / (sici) 1099 - 0518 (19990701) 37:13 < 1943:: aid-pola7 > 3.0.co; 2 xgydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0032626043gydF4y2Ba ParodigydF4y2Ba F。gydF4y2Ba AggarwalgydF4y2Ba s . L。gydF4y2Ba RussogydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 微波处理的物理和化学gydF4y2Ba 全面的高分子科学gydF4y2Ba 1996年gydF4y2Ba 第十九章gydF4y2Ba 牛津大学,英国gydF4y2Ba 帕加马出版社;爱思唯尔的科学gydF4y2Ba 669年gydF4y2Ba 728年gydF4y2Ba GedyegydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 史密斯gydF4y2Ba F。gydF4y2Ba WestawaygydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 阿里gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba BaldiseragydF4y2Ba lgydF4y2Ba LabergegydF4y2Ba lgydF4y2Ba RousellgydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 微波炉的使用快速的有机合成gydF4y2Ba 四面体的信gydF4y2Ba 1986年gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 279年gydF4y2Ba 282年gydF4y2Ba 10.1016 / s0040 - 4039 (00) 83996 - 9gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 21744447389gydF4y2Ba GigueregydF4y2Ba r . J。gydF4y2Ba 布雷gydF4y2Ba t . L。gydF4y2Ba 邓肯gydF4y2Ba s M。gydF4y2Ba MajetichgydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 商业微波炉有机合成中的应用gydF4y2Ba 四面体的信gydF4y2Ba 1986年gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba 41gydF4y2Ba 4945年gydF4y2Ba 4948年gydF4y2Ba 10.1016 / s0040 - 4039 (00) 85103 - 5gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 40949144305gydF4y2Ba NichogydF4y2Ba m E。gydF4y2Ba Garcia-EscobargydF4y2Ba c . H。gydF4y2Ba Hernandez-MartinezgydF4y2Ba D。gydF4y2Ba Linzaga-ElizaldegydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba Cadenas-PliegogydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 微波合成聚(3-hexylthiophene)通过与FeCl直接氧化gydF4y2Ba3gydF4y2Ba 材料科学与工程B:固态材料先进技术gydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba 177年gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba 1441年gydF4y2Ba 1445年gydF4y2Ba 10.1016 / j.mseb.2012.02.017gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84866044035gydF4y2Ba 里德比特gydF4y2Ba n E。gydF4y2Ba ToreniusgydF4y2Ba h . M。gydF4y2Ba 离子液体的研究介导微波加热的有机溶剂gydF4y2Ba 有机化学杂志gydF4y2Ba 2002年gydF4y2Ba 67年gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 3145年gydF4y2Ba 3148年gydF4y2Ba 10.1021 / jo016297ggydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0037012872gydF4y2Ba KieboomsgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 梅农gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 手册先进的电子和光子材料和设备gydF4y2Ba 2001年gydF4y2Ba 圣地亚哥,加州,美国gydF4y2Ba 学术出版社gydF4y2Ba h . s . Nalwa编辑gydF4y2Ba 库普曼斯gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 安内利gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba KerepgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba KlinkgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 施密茨gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba SinnwellgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 里特gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 微波高分子化学:heck-reaction,酯交换,Baeyer-Villiger氧化、恶唑啉聚合、丙烯酰胺和多孔材料gydF4y2Ba 四面体gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 62年gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba 4709年gydF4y2Ba 4714年gydF4y2Ba 10.1016 / j.tet.2006.01.102gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33645996399gydF4y2Ba LidstromgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba TierneygydF4y2Ba J。gydF4y2Ba WatheygydF4y2Ba B。gydF4y2Ba 韦斯特曼gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 微波辅助有机synthesis-a审查gydF4y2Ba 四面体gydF4y2Ba 2001年gydF4y2Ba 57gydF4y2Ba 45gydF4y2Ba 9225年gydF4y2Ba 9283年gydF4y2Ba 10.1016 / s0040 - 4020 (01) 00906 - 1gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0035813244gydF4y2Ba 杉本学gydF4y2Ba 不。gydF4y2Ba 武田gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 顾gydF4y2Ba h . B。gydF4y2Ba 吉野gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 制备可溶性polythiophene衍生品利用过渡金属卤化物催化剂和他们的财产gydF4y2Ba 化学表达gydF4y2Ba 1986年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 635年gydF4y2Ba 638年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0022813985gydF4y2Ba 佐藤gydF4y2Ba M.-A。gydF4y2Ba MoriigydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 核磁共振研究在电化学制备聚(3-dodecylthiophene)gydF4y2Ba 大分子gydF4y2Ba 1991年gydF4y2Ba 24gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 1196年gydF4y2Ba 1200年gydF4y2Ba 10.1021 / ma00005a035gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0026415741gydF4y2Ba 麦卡洛gydF4y2Ba r D。gydF4y2Ba 劳gydF4y2Ba r D。gydF4y2Ba 增强导电性在特定选择的合成聚(3-alkylthiophenes)gydF4y2Ba 《化学学会、化学通讯gydF4y2Ba 1992年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 70年gydF4y2Ba 72年gydF4y2Ba 10.1039 / c39920000070gydF4y2Ba 奈尔gydF4y2Ba p K。gydF4y2Ba 奈尔gydF4y2Ba m·t·S。gydF4y2Ba 加西亚gydF4y2Ba 诉M。gydF4y2Ba 竞技场gydF4y2Ba o . 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