IJELC 国际期刊的电化学 2090 - 3537 2090 - 3529 Hindawi出版公司 271285年 10.1155 / 2012/271285 271285年 评论文章 不同角色的碳化硅纳米材料领域 Sahu T。 1 戈什 B。 1 普拉丹 美国K。 2 Ganguly T。 3 苏尔 Ujjal库马尔 1 物理系 Ramananda大学 西孟加拉邦,Bishnupur bhabi mahato 713104 印度 ramanandacollege.org 2 物理系 Burdwan大学 西孟加拉邦,Golapbag Burdwan 722122 印度 buruniv.ac.in 3 的光谱 印度的培养科学协会 Jadavpur,加尔各答700032 印度 iacs.res.in 2012年 7 8 2012年 2012年 16 02 2012年 09年 06 2012年 2012年 版权©2012 t . Sahu et al。 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。

碳化硅(SiC)是一种很有前途的材料由于其独特的性质采用不同的水晶多种类型的监控带隙和电子和光学性质。尽管是间接带隙半导体,碳化硅用于一些高性能的电子和光学设备。SiC一直被认为是最好的生物相容性材料,特别是心血管和blood-contacting植入物和生物医学设备。在本文中,不同角色的SiC纳米的形式讨论。认为进一步的实验和理论工作将有助于更好的理解这些纳米结构的各种属性为了实现其全部潜力。

1。介绍

在当今时代集团第四半导体,一般来说,不像以前一样受欢迎,在光学和光电领域。的原因在于他们的间接带隙,这使他们在室温下发光效率很低。在光电设备由第三组/ V复合材料如砷化镓主导目前。

1.1。的优越性在硅和碳化硅碳

碳是地球上所有已知生命形式的支柱。在人体,它是第二丰富的元素后,质量的氧气。碳在自然界存在的形式主要是石墨,金刚石和无定形碳。硅集成电路中使用的基本材料和半导体器件的主要组件。硅也是一个至关重要的元素来维持生活。硅和碳的化合物,碳化硅(SiC),半导体与优越的特点,广泛应用于高温、大功率和高频电子应用程序。这也是最好的生物相容性材料之一。

1.2。碳化硅最吸引人的地方是什么?

大部分碳化硅是一种宽禁带IV-IV半导体有趣和著名的物理性质。硅在室温下的带隙1.12 eV而多样化的原文如此,因为它存在于超过200结晶形式,其中最常见的类型是3 c, 6 h,和4 h,带隙2.2,3.02,和3.20 eV,分别 1]。碳化硅是一种很有前途的材料由于其独特的能力采取不同的水晶多种类型的监控带隙的电子和光学性质 2- - - - - - 4]。尽管是间接带隙半导体,碳化硅用于一些高性能的电子和光学设备由于其独特的物理和电子性质。高的化学稳定性促进碳化硅在敌对的环境中应用。此外,碳化硅一直被认为是最好的生物相容性材料( 5),特别是心血管和blood-contacting植入物和生物医学设备。

1.3。适用性的SiC荧光:生物研究的一个重要工具

荧光检测方法应用于生物学研究的各个方面:分析化验,细胞成像,生物传感器,体内细胞定位。因此,生物学和医学的进步强烈依赖于荧光测量的表演。特别是,细胞成像,荧光效率nanoprobes需要探测非常微弱的癌症细胞浓度、为了使早期诊断。high-fluorescence属性相结合,一个高效nanoprobe也必须photostable,单色,弱毒性。基于碳化硅半导体纳米粒子最近被成功地用于活细胞的荧光成像 6]。闻名的化学和热稳定性、SiC适合这个应用程序。

1.4。量子点:更有利代替有机荧光团

半导体纳米晶体的兴趣,或者量子点(量子点),因为他们的增长不寻常的物理特性,报道小于几纳米的粒子直径( 7]。量子点发光越来越多的被用作生物标记和基于成为替代传统有机染料荧光团( 8]。他们的主要优势有机荧光团优越的光漂白和分散相发射波长尺寸稳定。

1.5。在现代时代原因第四组纳米结构占主导地位

随着纳米科学和纳米技术的出现,出现了越来越浓的兴趣从第四组获得高效发光纳米结构有两个原因。首先,广泛的调查表明,荧光效率在第四组纳米结构可以提高几个数量级的散装材料。它们的量子产率可以接近甚至高于一些散装或直接带隙半导体纳米。这种结果大大提高了辐射复合率,抑制或相对减少非辐射的复合率由于空间限制在纳米结构 9]。其次,第四组纳米粒子更良性的人类和环境相比,半导体纳米晶体包含细胞毒性重金属原子。第三,荧光半导体(包括集团(四)纳米晶体,也被称为量子点,展示了他们的巨大的潜力在生物成像和诊断等美德优于传统有机染料高抵抗光漂白,成分/尺度依赖的吸收,和排放,以及广泛的吸收光谱和发射光谱窄(单分散的纳米颗粒) 10, 11]。因此,他们适合长期、多色标记在细胞内过程的监控 12- - - - - - 14]。此外,他们可以作为治疗药物输送平台。在这方面,第四组纳米颗粒带来新的希望良性材料伴随着上述属性,这有利于他们的生物应用。

第四组纳米结构的另一个优点是,他们很容易使水溶性好或通过后续的表面功能化;这是一个应用程序在生理环境的必要条件。此外,所有的第四组材料可以和各种类型的配体特别是生物分子形成化学键( 15]。

根据量子限制效应,半导体粒子的大小减少接近或小于其大部分激子波尔直径,相应的能源缺口将增加与减少大小,和相应的荧光带间的转换所产生的航空公司(电子和空穴)将转向蓝色( 16]。因此,排放在第四组纳米粒子与不同大小将跨越整个从近红外线光谱区可见近紫外线。这种美德是有利于他们的应用程序在生物成像和遥感。

1.6。碳化硅纳米结构对硅纳米材料

功能杂化纳米复合材料的物理性质被集中研究在过去的十年。在所报告的功能,在光学( 17),电子产品( 18,光伏 19),或光电子学 20.很有前途的。就功能而言,活跃的向量由无机半导体纳米晶体。

组成的硅纳米颗粒,尽管是间接带隙材料,可以表现出可见波长的光致发光,影响归因于量子约束( 21]。与直接带隙同行不同的是,硅纳米材料bioinert [ 22),但他们的更广泛的接受替代荧光团目前限于贫穷排放稳定在水环境中( 23]。纳米碳化硅具有独特的属性,这些属性使它有用在微电子、光电子学,生物医学工程,因此吸引了很多的材料和设备的兴趣社区。在微电子工业中,碳化硅被认为是一个有前途的替代硅,特别是在大功率,高温和高频设备( 24, 25]。这宽禁带生物相容性 26材料是最近在纳米结构表现出蓝色/黄色光致发光( 27]。SiC纳米粒子具有通用的属性例如介电行为的界面极化( 28- - - - - - 30.)以及振动和发光性质,指出表面性质的主要作用 3, 4]。

SiC纳米晶体的发光性质已经观察到相当变量和强烈依赖于制造方法,甚至在特定的测量。发射光谱带可以跨宽光谱范围从400到500纳米。没有表现出明显的量子约束的荧光报告直到最近。这与多孔Si ( 21, 31日和硅纳米晶体 32- - - - - - 35从量子限制可以更容易地观察到。二元化合物,碳化硅有复杂的表面状态和结构( 36- - - - - - 39]。量子限制的主要原因是不容易实现原文如此,有许多表面或缺陷状态控制发光,SiC纳米晶体太大( 40]。

在理论方面,调查的结果在SiC纳米结构的结构和电子性质,采用半经验的和第一原理计算( 41- - - - - - 43]表明,SiC纳米结构的带隙有很强的依赖他们的尺寸和表面成分。

1.7。不同种类的SiC纳米结构的魅力

不同种类的SiC纳米结构中,SiC纳米晶体具有潜在应用纳米光发射器是第一个得到广泛关注和研究了在过去的十五年。在室温下光,大部分SiC显示弱发射的间接带隙[ 44]。然而,排放强度时可以显著提高微晶大小减少几个或几十个纳米 21, 45]。这被认为是由于沮丧的局限集群(非辐射的复合 33]。按照量子约束(QC)效应,光致发光(PL)的微晶直径低于批量激子玻尔半径的转移到蓝色减少大小( 46, 47]。因此,wavelength-tunable排放量可以通过制备微晶大小不同。碳化硅的大带隙(2.23 eV 3 c-sic)呈现纳米晶体良好的候选人是蓝色和紫外(UV)光发射器在显示器。这与硅微晶的强大和稳定的排放在这些光谱范围是难以实现 45]。此外,高的化学和热稳定性 48碳化硅的让这些纳米晶体的发光非常稳定使材料在恶劣的使用环境和要求的应用程序。结合他们的良好的生物相容性,特别是血液兼容性,低密度,高刚度( 1, 49),SiC纳米晶体可能是有用的在生物学和医学,例如,在bio-labelling [ 7, 50]。

最近,一维(1 d) SiC纳米结构,如纳米线( 51和纳米管 52吸引了很多的利益,因为他们发挥着至关重要的作用作为构建块在分子电子学 53]。碳化硅纳米线具有优秀的机械性能和高电导率可用于强化复合材料或nanocontacts恶劣的环境。此外,该材料具有良好的场电子发射性能和生物相容性。

纳米级碳化硅结构的光学和电学性质尤其高效和稳定的SiC nanodevices至关重要。SiC纳米线已被证明有稳定的场电子发射特性( 54, 55),这表明材料有潜在领域电子发射器。单壁碳纳米管异质结构和碳化硅纳米棒( 56)在未来的混合nanodevices可能发挥重要作用。强烈的、健壮的、wavelength-tuneable可见发射从3 c-sic纳米晶体表明他们是好光源( 27适用于nanooptoelectronic集成。纳米晶体SiC电影发出可见光( 57也希望在大面积显示。此外,碳化硅是一种生物相容性的材料( 58)和生物传感器由这些材料可能在未来实现。考虑到化学稳定性和水溶性,发光碳化硅纳米晶体可能会发现在生物技术中的应用/医学[ 59]。

大部分碳化硅是一种宽禁带IV-IV半导体有趣和著名的物理性质。纳米工程材料允许相当大的扩展的基本物理化学性质。例如,SiC纳米结构显示更大的弹性和强度比散装SiC ( 60],SiC纳米线的电子场发射阈值与一个基于碳纳米管的材料以及稳定的发射特性( 55]。妞妞和王 61年)最近报道SiC纳米线的应用程序覆盖着铂金作为氢的高效electrocatalyst吸附/解吸和甲醇氧化。各种SiC纳米结构如簇,纳米线,纳米棒,沙粒,甚至nanoflowers开发( 51, 56, 62年- - - - - - 66年]。特别的努力,研究人员面向生长碳化硅纳米颗粒在硅基板 67年, 68年]。结合SiC纳米结构的聚合物矩阵形成新型的复合材料也进行了研究 69年]。例如,在聚合物矩阵包含SiC nanocrystallites线性电光效应实验观察和报道( 70年]。

2。机械合金化:优越的制造技术

通常,金属碳化物由传统粉末冶金路线,液相烧结技术( 71年, 72年)、固体蒸汽反应过程( 73年),或者化学气反应( 74年)需要非常高的温度以及良好的真空条件或超纯惰性气体氛围。一个“自上而下”物理方法制备均匀的纳米晶体金属碳化物是机械合金化(MA) ( 75年- - - - - - 85年]。马有优于其他的伪装技术作为最终产品需要纳米晶体结构具有优越的特性相比,传统的粗粒度的材料。Enayati等人,Abderrazak Abdellaoui报道,纳米晶体SiC可以准备使用MA ( 79年, 85年)与ball-to-powder很高质量比(BPMR ~ 67: 1)。期间Amorphisation Si mechano-synthesis SiC的[几个作者所报道的 86年, 87年]。

2.1。与机械合金化相关现象

马大塑性变形等介绍了高密度的晶格缺陷在准备材料,负责观察到的峰展宽的粉末x射线衍射模式( 88年, 89年]。除了扩大峰值,峰值也可能变得不对称和/或改变对他们的出口量同行由于塑性变形。所有这些影响衍射的球磨样品(cold-worked)相关的一些微观结构参数,如:晶格参数的变化,残余应力、堆积密度、双/生长断层,连贯地衍射域大小(粒度),r.m.s.晶格应变,位错密度和堆垛层错能。

2.2。准备特制的纳米晶体

所有的微观结构参数可以定量估计通过分析球磨样品使用的x射线衍射模式里特维德的结构优化方法。里特维德的基于结构和微观结构改进的分析方法是最好的方法来描述组织的球磨样品含有不同的晶格缺陷。的微观结构参数直接关系到几个材料的物理性质,控制组织领导一个准备“量身定制”材料理想的属性。

Ghosh和普拉丹 90年)机械合金元素Si和C Ar(石墨)粉末在室温下使用高能行星球磨机对不同持续时间,然后连续调查在马的合金化机制修改球磨样品的x射线粉末衍射图样。球磨样品的显微结构的描述,由作者完成,里特维德的分析,表明早期的铣、石墨层分布在Si nano-grain边界非常薄层和完整的纳米晶体的形成SiC阶段观察铣(图15 h后 1)。

(a)粒径的硅和碳化硅阶段在出口量和球磨混合硅和石墨(1:1摩尔)随着研磨时间。(b) HRTEM碳化硅阶段15 h球磨后的显微照片。

3所示。结论:目标尚未达成

随着硅基微电子设备正接近物理极限,不断推高发展更好更快的设备和计算能力促使替代材料的发展。在这方面,在大功率碳化硅是一个很好的候选人,高温、高频应用程序。

广泛研究碳化硅纳米结构,如纳米晶体,纳米线,纳米管和纳米尺度的电影开始于1990年代中期,我们有目标,本文在回顾SiC纳米结构的作用领域的照片科学,广义上说,已经发表在过去的几年中。然而,应该注意的是,研究碳化硅纳米结构仍处于开始阶段。与纳米硅、碳化硅纳米结构受到数量小得多的理论和实验工作致力于光致电子流程的理解。虽然清楚量子约束3 c-sic被观察到的 91年),具体缺陷或表面状态负责观察发光尚未明确确定。需要更多的实验和理论工作。最后,只有一些理论研究碳化硅纳米结构。更好的理解这些纳米结构的各种属性是必要的为了实现其全部潜力。

马德隆能 O。 半导体:数据手册 2004年 3日 柏林,德国 施普林格 贝纳 年代。 Kassiba 一个。 Bulou 一个。 Monthioux M。 Cauchetier M。 多余的碳和振动特性的影响在超细碳化硅粉末 欧洲物理应用物理》杂志上 1999年 8 2 111年 121年 2 - s2.0 - 0033316908 Kassiba 一个。 Makowska-Janusik M。 仿羔皮呢 J。 Bardeau j·F。 Bulou 一个。 Herlin-Boime N。 光致发光特性quasistoichiometric SiC纳米颗粒的拉曼光谱:实验和数值模拟 物理评论B 2002年 66年 15 2 - s2.0 - 0042009146 155317年 Makowska-Janusik M。 Kassiba 一个。 仿羔皮呢 J。 Bardeau j·F。 Kodjikian 年代。 沙漠 一个。 振动在碳化硅纳米颗粒态密度:实验和数值模拟 凝聚态物理学杂志》上 2005年 17 33 5101年 5110年 2 - s2.0 - 23844515032 10.1088 / 0953 - 8984/17/33/014 Santavirta 年代。 高木涉 M。 Nordsletten l 安提拉 一个。 Lappalainen R。 Konttinen y . T。 碳化硅的生物相容性测试体外集落形成。一个有前途的新型陶瓷用力推植入涂层材料 档案矫形和创伤手术 1998年 118年 1 - 2 89年 91年 2 - s2.0 - 0032427807 10.1007 / s004020050319 Botsoa J。 李森科事件 V。 Geloen 一个。 马蒂 O。 矢车菊 j . M。 第5期 G。 应用3 c-sic量子点活细胞成像 应用物理快报 2008年 92年 17 2 - s2.0 - 43049099296 10.1063/1.2919731 173902年 Bruchez M。 Jr。 Moronne M。 杜松子酒 P。 维斯 年代。 Alivisatos 答:P。 半导体纳米晶体作为荧光生物标签 科学 1998年 281年 5385年 2013年 2016年 2 - s2.0 - 0012392952 10.1126 / science.281.5385.2013 Klostranec j . M。 常ydF4y2Ba W·c·W。 量子点在生物学和生物医学研究:最新进展和当前的挑战 先进材料 2006年 18 15 1953年 1964年 2 - s2.0 - 33747502183 10.1002 / adma.200500786 j . C。 Bsiesy 一个。 Gaspard F。 Herino R。 Ligeon M。 穆勒 F。 Romestain R。 麦克法兰 r·M。 机制的可见光发射electro-oxidized多孔硅 物理评论B 1992年 45 24 14171年 14176年 2 - s2.0 - 0000165513 10.1103 / PhysRevB.45.14171 Resch-Genger U。 Grabolle M。 Cavaliere-Jaricot 年代。 ·尼奇克 R。 Nann T。 量子点与有机染料荧光标签 自然方法 2008年 5 9 763年 775年 2 - s2.0 - 50849104529 10.1038 / nmeth.1248 M。 布鲁斯 l 在半导体纳米晶体中发光photophysics 的化学研究 1999年 32 5 407年 414年 2 - s2.0 - 0033052782 10.1021 / ar9700320 T。 Kudera 年代。 Liedl T。 哈维尔 a . M。 吗哪 l Parak w·J。 胶体纳米粒子的发展朝着多功能结构及其生物应用程序可能使用 2005年 1 1 48 63年 2 - s2.0 - 14044274098 10.1002 / smll.200400071 Michalet X。 Pinaud F F。 Bentolila l。 -蔡 j . M。 Doose 年代。 J·J。 Sundaresan G。 a . M。 Gambhir 美国年代。 维斯 年代。 量子点的活细胞,体内成像和诊断 科学 2005年 307年 5709年 538年 544年 2 - s2.0 - 19944433260 10.1126 / science.1104274 Giljohann d . A。 墨金 c。 司机biodiagnostic发展 自然 2009年 462年 7272年 461年 464年 2 - s2.0 - 70849108991 10.1038 / nature08605 Stutzmann M。 加里多 j . A。 Eickhoff M。 布兰德 m . S。 直接biofunctionalization半导体:一项调查 自然史地位苏(A) 2006年 203年 14 3424年 3437年 2 - s2.0 - 34248371218 10.1002 / pssa.200622512 风扇 J。 p K。 第四组纳米粒子:合成、属性和生物应用 2010年 6 19 2080年 2098年 2 - s2.0 - 77957203005 10.1002 / smll.201000543 Yuwono a . H。 J。 J。 h . I。 W。 Y。 白色的 t·J。 透明的纳米晶二氧化钛nanohybrids PMMA具有独特的非线性光学行为 《材料化学 2003年 13 6 1475年 1479年 2 - s2.0 - 0038133455 10.1039 / b211976e Choudhury k·R。 Winiarz j·G。 Samoc M。 普拉萨德 p . N。 有机-无机杂化纳米复合材料的电荷载流子迁移率 应用物理快报 2003年 82年 3 406年 408年 2 - s2.0 - 0037455355 10.1063/1.1537054 欧文 M . M。 Kadavanich 答:V。 麦克布莱德 J。 Kippeny T。 Pennycook 年代。 罗森塔尔 美国J。 基于材料特性的纳米晶体的光伏设备 欧洲物理杂志D 2000年 8 3 275年 277年 2 - s2.0 - 0034258343 仿羔皮呢 J。 Kassiba 一个。 Makowska-Janusik M。 Herlin-Boime N。 雷诺 C。 沙漠 一个。 金刚砂 J。 Bulou 一个。 Sanetra J。 答:一个。 Kodjikian 年代。 杂化纳米复合材料的线性电光行为基于碳化硅纳米晶和聚合物矩阵 物理评论B 2006年 74年 20. 2 - s2.0 - 33751079076 10.1103 / PhysRevB.74.205417 205417年 Canham l . T。 硅量子线阵列制造晶片的电化学和化学溶解 应用物理快报 1990年 57 10 1046年 1048年 2 - s2.0 - 0141775174 10.1063/1.103561 Voskerician G。 碎片 m . S。 Shawgo r S。 冯Recum H。 安德森 j . M。 Cima m·J。 兰格 R。 生物相容性和生物淤积的MEMS药物输送设备 生物材料 2003年 24 11 1959年 1967年 2 - s2.0 - 0037400556 10.1016 / s0142 - 9612 (02) 00565 - 3 华纳 j . H。 星野 一个。 山本 K。 Tilley r D。 水溶性硅量子点发光 《应用化学》 2005年 44 29日 4550年 4554年 2 - s2.0 - 22744432119 10.1002 / anie.200501256 哈里斯 c。I。 野蛮人 年代。 一个。 Bakowski M。 爱立信 P。 碳化硅产品的进展 应用表面科学 2001年 184年 1 - 4 393年 398年 2 - s2.0 - 0035852212 10.1016 / s0169 - 4332 (01) 00525 - 6 马斯里 P。 碳化硅和硅carbide-based结构:外延的物理学 表面科学报告 2002年 48 1 - 4 1 51 2 - s2.0 - 0036843744 Coletti C。 Jaroszeski m·J。 Pallaoro 一个。 霍夫 a . M。 Iannotta 年代。 Saddow s E。 生物相容性和结晶碳化硅和Si表面润湿性 学报IEEE-EMBS第29届国际年会,在医学和生物工程协会(EMBC ' 07) 2007年8月 5849年 5852年 2 - s2.0 - 57649232183 10.1109 / IEMBS.2007.4353678 x L。 风扇 j . Y。 T。 X。 Siu G·G。 p K。 量子限制效应的实验证据3 c-sic nanocrystallites 物理评论快报 2005年 94年 2 2 - s2.0 - 18144430670 10.1103 / PhysRevLett.94.026102 026102年 Kassiba 一个。 Tabellout M。 贝纳 年代。 Herlin N。 金刚砂 j . R。 SiC纳米级材料的传导和介电行为 固态通信 2000年 115年 7 389年 393年 2 - s2.0 - 0033688604 10.1016 / s0038 - 1098 (00) 00195 - 2 Tabellout M。 Kassiba 一个。 Tkaczyk 年代。 拉斯科夫斯基 l Swiatek J。 介电和EPR调查碳化硅纳米粒子的化学计量学和界面效应 凝聚态物理学杂志》上 2006年 18 4 1143年 1155年 2 - s2.0 - 31144443006 10.1088 / 0953 - 8984/18/4/003 Kassiba 一个。 纳米硅粉和复合材料 2002年 弗朗西斯和泰勒(GB) 莱曼 V。 Gosele U。 多孔硅的形成:量子线效果 应用物理快报 1991年 58 8 856年 858年 2 - s2.0 - 1842595981 10.1063/1.104512 海因里希 j·L。 柯蒂斯 c . L。 信条 g . M。 卡瓦纳 k . L。 水手 m·J。 从多孔硅发光胶体硅悬浮液 科学 1992年 255年 5040年 66年 68年 2 - s2.0 - 0001933641 布鲁斯 l E。 Szajowski p F。 威尔逊 w . L。 哈里斯 t D。 Schuppler 年代。 维生素p p . H。 硅纳米晶体的电子光谱和photophysics:批量同单晶硅和多孔硅的关系 美国化学学会杂志》上 1995年 117年 10 2915年 2922年 2 - s2.0 - 0029276051 Belomoin G。 Therrien J。 史密斯 一个。 年代。 Twesten R。 Chaieb 年代。 Nayfeh m . H。 瓦格纳 l mita l 观察一个神奇的离散ultrabright硅纳米颗粒的家庭 应用物理快报 2002年 80年 5 841年 843年 2 - s2.0 - 79956010010 10.1063/1.1435802 勒杜 G。 J。 Huisken F。 Guillois O。 雷诺 C。 光致发光size-separated硅纳米晶体:确认量子约束 应用物理快报 2002年 80年 25 4834年 4836年 2 - s2.0 - 79956021606 10.1063/1.1485302 斯达克 U。 原子结构的六角碳化硅表面 自然史地位苏(B) 1997年 202年 1 475年 499年 2 - s2.0 - 0040645481 Soukiassian P。 立方碳化硅表面重构和Si (C)在原子尺度纳米结构 材料科学与工程B 2002年 96年 2 115年 131年 2 - s2.0 - 0036838502 10.1016 / s0921 - 5107 (02) 00302 - 1 Derycke V。 Soukiassian p·G。 艾米 F。 Chabal y . J。 D天使 m D。 Enriquez h . B。 愚蠢的 m·G。 在原子尺度纳米化学方面揭示了在致半导体表面金属化 自然材料 2003年 2 4 253年 258年 2 - s2.0 - 0038579434 10.1038 / nmat835 Brillson l . J。 Tumakha 年代。 Okojie r S。 M。 Pirouz P。 Electron-excited碳化硅表面和界面的发光 凝聚态物理学杂志》上 2004年 16 17 S1733 S1754 2 - s2.0 - 2442714301 10.1088 / 0953 - 8984/16/17/015 Petrova-Koch V。 Sreseli O。 Polisski G。 Kovalev D。 Muschik T。 科赫 F。 发光增强电化学腐蚀的SiC(6小时) 薄固体电影 1995年 255年 1 - 2 107年 110年 2 - s2.0 - 0029233372 d . H。 Z Z。 t, Q。 X X。 美国问。 量子尺寸效应indirect-gap量子点的激子态 物理评论B 2003年 68年 3 2 - s2.0 - 17944386406 035334年 Reboredo f。 Pizzagalli l 加利 G。 计算工程的稳定性和光学碳化硅量子点的差距 纳米快报 2004年 4 5 801年 804年 2 - s2.0 - 2642553699 10.1021 / nl049876k Rurali R。 碳化硅纳米线的电子和结构属性 物理评论B 2005年 71年 20. 205405年 2 - s2.0 - 28744443242 10.1103 / PhysRevB.71.205405 Devaty r P。 Choyke w·J。 碳化硅多型体的光学特性 自然史地位苏(A) 1997年 162年 1 5 38 2 - s2.0 - 0031192720 天沟 a·G。 Canham l . T。 ·卡尔科特· p·d·J。 多孔硅的结构和发光性能 应用物理杂志 1997年 82年 3 909年 965年 2 - s2.0 - 0001753504 埃弗 a . L。 埃弗 a . L。 间带吸收的光在半导体领域 苏联物理学 1982年 16 7 772年 775年 2 - s2.0 - 0009390584 布鲁斯 l E。 一个简单的模型的电离势,电子亲和能,和水的氧化还原电位小半导体微晶 《物理化学》杂志上 1983年 79年 11 5566年 5571年 2 - s2.0 - 11644280620 Morkoc H。 Strite 年代。 g . B。 m E。 Sverdlov先生 B。 伯恩斯 M。 Large-band-gap碳化硅、氮化III-V族化合物半导体器件ZnSe-based技术 应用物理杂志 1994年 76年 3 1363年 1398年 2 - s2.0 - 21544461610 10.1063/1.358463 卡特 g . E。 Casady j·B。 债券 J。 SiC对硅的生物医学应用程序的初步调查 材料科学论坛 2000年 338年 1149年 1152年 常ydF4y2Ba W·c·W。 年代。 量子点对超灵敏nonisotopic物检测 科学 1998年 281年 5385年 2016年 2018年 2 - s2.0 - 0032566763 10.1126 / science.281.5385.2016 H。 e·W。 y Z。 风扇 年代。 c . M。 硬质合金纳米棒的合成和表征 自然 1995年 375年 6534年 769年 772年 2 - s2.0 - 0029321505 太阳 x H。 c·P。 w·K。 n . B。 c·S。 s T。 张志贤 b K。 碳化硅纳米管的形成,通过反应的硅纳米线(一氧化硅的歧化)与碳纳米管 美国化学学会杂志》上 2002年 124年 48 14464年 14471年 2 - s2.0 - 0037021525 10.1021 / ja0273997 阿佩尔 D。 连接成功 自然 2002年 419年 6907年 553年 555年 2 - s2.0 - 0037057672 10.1038 / 419553 Z。 h·L。 非盟 f·c·K。 X。 W。 W。 N。 c·S。 n . B。 s T。 年代。 面向碳化硅纳米线:合成和场致发射特性 先进材料 2000年 12 16 1186年 1190年 2 - s2.0 - 0034247955 z S。 美国Z。 n S。 J。 J。 J。 针状碳化硅纳米线:合成和场电子发射特性 应用物理快报 2002年 80年 20. 3829年 3831年 10.1063/1.1476703 Y。 Ichihashi T。 Landree E。 Nihey F。 饭岛爱 年代。 异质结构的单壁碳纳米管和纳米碳化作用 科学 1999年 285年 5434年 1719年 1722年 2 - s2.0 - 0033543598 10.1126 / science.285.5434.1719 m B。 名记 美国F。 美国J。 咀嚼 K。 J。 J。 Q。 氢化纳米晶体合成碳化硅电影ECR-CVD及其激烈可见在室温下光致发光 薄固体电影 2000年 377 - 378 177年 181年 2 - s2.0 - 0034515076 10.1016 / s0040 - 6090 (00) 01426 - 7 西塞罗 G。 Catellani 一个。 加利 G。 水与生物相容性表面原子控制:SiC(001)的情况下 物理评论快报 2004年 93年 1 016102年 2 - s2.0 - 3442876399 10.1103 / PhysRevLett.93.016102 贝利 r·E。 史密斯 a . M。 年代。 量子点在生物学和医学 自然史E 2004年 25 1 1 12 2 - s2.0 - 4944224299 10.1016 / j.physe.2004.07.013 e·W。 希恩 p E。 c . M。 Nanobeam力学:弹性、强度和韧性的纳米棒和纳米管 科学 1997年 277年 5334年 1971年 1975年 2 - s2.0 - 0030800875 10.1126 / science.277.5334.1971 妞妞 J·J。 j . N。 克级别的宏观SiC纳米线的合成及其电化学行为与Pt载荷 Acta Materialia 2009年 57 10 3084年 3090年 2 - s2.0 - 65349106573 10.1016 / j.actamat.2009.03.014 Biernacki J·J。 Wotzak g . P。 化学计量学的C + SiO2反应 美国陶瓷协会杂志》上 1989年 72年 1 122年 129年 2 - s2.0 - 0024479004 Kamlag Y。 古森斯 一个。 Colbeck 我。 Schoonman J。 激光CVD立方碳化硅纳米晶体 应用表面科学 2001年 184年 1 - 4 118年 122年 2 - s2.0 - 0035852170 10.1016 / s0169 - 4332 (01) 00486 - x G。 D。 K。 Y。 年代。 碳化硅空心团簇、纳米线和同轴纳米线 化学物理快报 2003年 375年 1 - 2 177年 184年 2 - s2.0 - 0037633047 10.1016 / s0009 - 2614 (03) 00877 - 7 Larpkiattaworn 年代。 Ngernchuklin P。 Khongwong W。 Pankurddee N。 和田 年代。 反应的影响参数对自由Si和C含量的合成纳米碳化硅 陶瓷国际 2006年 32 8 899年 904年 2 - s2.0 - 33748560146 10.1016 / j.ceramint.2005.06.011 g·W。 a s W。 d . J。 韦兰 m E。 三维水晶SiC纳米线的花 纳米技术 2004年 15 8 996年 999年 2 - s2.0 - 4043053558 10.1088 / 0957 - 4484/15/8/023 Markwitz 一个。 约翰逊 年代。 Rudolphi M。 鲍曼 H。 Mucklich 一个。 形成SiC-surface纳米晶体的离子注入和电子束快速热退火 应用物理快报 2005年 86年 1 2 - s2.0 - 19744382743 10.1063/1.1846953 013108年 Milita 年代。 德桑蒂斯 M。 琼斯 D。 Parisini 一个。 巴勒莫 V。 实时调查碳化硅纳米晶体的生长在Si(1 0 0)使用同步加速器x射线衍射 应用表面科学 2008年 254年 7 2162年 2167年 2 - s2.0 - 37749041493 10.1016 / j.apsusc.2007.09.004 北京 P。 Choudhury n R。 Spori D。 Wohlfahrt E。 Wohlschloegel M。 星形聚合物的合成和描述/碳化硅纳米复合材料 材料科学与工程 2006年 434年 1 - 2 360年 364年 2 - s2.0 - 33748046180 10.1016 / j.msea.2006.07.066 仿羔皮呢 J。 Kassiba 一个。 金刚砂 J。 Kityk i V。 Makowska-Janusik M。 Sanetra J。 Herlin-Boime N。 梅恩 M。 当地光电效应的SiC大型nanocrystallites纳入聚合物矩阵 物理快报一节 2002年 302年 4 196年 202年 2 - s2.0 - 0037163845 10.1016 / s0375 - 9601 (02) 00965 - 9 Izhevskyi 诉。 热那亚 l。 Bressiani j . C。 Bressiani A . h。 液相烧结的应用陶瓷 主要工程材料 2001年 189 - 191 173年 180年 2 - s2.0 - 0035157173 Izhevskyi 诉。 热那亚 l。 Bressiani A . h。 Bressiani j . C。 液相烧结碳化硅。处理和转换控制微观结构裁剪 材料研究 2000年 3 4 131年 138年 j . H。 h . M。 j . H。 荣格 y G。 h·S。 斯利瓦斯塔瓦 诉K。 合成和表征石墨基体上non-oxide陶瓷涂料的solid-vapor反应过程 有机涂料的进展 2008年 61年 2 - 4 291年 299年 2 - s2.0 - 38749134133 10.1016 / j.porgcoat.2007.09.033 y . H。 s . C。 j . C。 j . C。 碳化硅的转换机制转换层石墨基质的表格(化学气反应) 陶瓷加工研究杂志》上 2001年 2 129年 133年 Sherif El-Eskandarany M。 Sumiyama K。 铃木 K。 机械固态反应合成的 β碳化硅粉末 材料研究学报 1995年 10 3 659年 667年 2 - s2.0 - 0029270867 田中 T。 石原 k . N。 Shingu p . H。 Ni-C亚稳相的形成 冶金交易一 1992年 23 9 2431年 2435年 2 - s2.0 - 0026923821 10.1007 / BF02658046 Calka 一个。 准备材料的机械合金化:技术和属性 主要工程材料 1993年 81 - 83 17 24 Suryanarayana C。 机械合金化和铣 材料科学进展 2001年 46 1 - 2 1 184年 2 - s2.0 - 0034742774 10.1016 / s0079 - 6425 (99) 00010 - 9 Enayati m . H。 Seyed-Salehi M。 Sonboli 一个。 Fe3C、SiC在机械合金化和Al4C3化合物 材料科学杂志 2007年 42 15 5911年 5914年 2 - s2.0 - 34547337740 10.1007 / s10853 - 007 - 1736 - 1 Lohse b . H。 Calka 一个。 Wexler D。 开始组成对纳米晶体的合成抽搐的影响在铣削的钛和碳 杂志的合金和化合物 2005年 394年 1 - 2 148年 151年 2 - s2.0 - 17644396014 10.1016 / j.jallcom.2004.09.074 Sherif El-Eskandarany M。 结构和性能的纳米晶体抽搐full-density散装合金综合机械反应粉末 杂志的合金和化合物 2000年 305年 1 - 2 225年 238年 2 - s2.0 - 0000706007 10.1016 / s0925 - 8388 (00) 00692 - 7 戈什 B。 普拉丹 美国K。 纳米晶体的微观结构表征Fe3C合成了高能球磨 杂志的合金和化合物 2009年 477年 1 - 2 127年 132年 2 - s2.0 - 67349218723 10.1016 / j.jallcom.2008.09.210 戈什 B。 杜塔 H。 普拉丹 美国K。 纳米晶体的微观结构表征Ni3C合成了高能球磨 杂志的合金和化合物 2009年 479年 1 - 2 193年 200年 2 - s2.0 - 67349204474 10.1016 / j.jallcom.2008.12.133 c·J。 z Q。 在机械合金化Ti-Si-C系统的构造演化 杂志的合金和化合物 2005年 395年 1 - 2 88年 92年 2 - s2.0 - 18144420064 10.1016 / j.jallcom.2004.11.046 Abderrazak H。 Abdellaoui M。 合成和表征纳米碳化硅 材料的信件 2008年 62年 23 3839年 3841年 2 - s2.0 - 45549093565 10.1016 / j.matlet.2008.04.086 x Y。 z W。 y K。 h . Q。 HREM合成过程的观察纳米SiC Si和C的球磨混合粉末 材料科学与工程 2001年 300年 1 - 2 278年 283年 2 - s2.0 - 0035961210 10.1016 / s0921 - 5093 (00) 01293 - 4 Rodriguez-Carvajal J。 最新进展在中子粉末衍射磁结构的决心 自然史B 1993年 192年 1 - 2 55 69年 2 - s2.0 - 0027677473 沃伦 b E。 x射线衍射 1969年 美国大众阅读 韦斯利 瓦格纳 c n G。 科恩 j·B。 Hilliard j·E。 x射线衍射研究了当地的原子安排 1966年 纽约,纽约,美国 戈登和背 戈什 B。 普拉丹 美国K。 纳米晶体的微观结构表征碳化硅合成了高能球磨 杂志的合金和化合物 2009年 486年 1 - 2 480年 485年 2 - s2.0 - 70350089404 10.1016 / j.jallcom.2009.06.170 G。 W。 R。 太阳 J。 P。 G。 l D。 K。 量子限制效应和场发射特性的超薄3 c-sic纳米带 化学物理快报 2008年 461年 4 - 6 242年 245年 2 - s2.0 - 48749108977 10.1016 / j.cplett.2008.07.022