1。介绍gydF4y2Ba
在过去的三十年中,许多简化的神经元模型从古典Hodgkin-Huxley奇异扩展模型(gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba]重建神经电活动的主要动力特性(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba),其中的两个——和三维Hindmarsh-Rose(人力资源)神经元模型是有效的和可用于动态分析在生物神经元的电活动gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba]。在过去的几年里,各种各样的人力资源神经元模型,如原始三维人力资源模型(gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
16gydF4y2Ba),扩展或非线性反馈耦合人力资源模型gydF4y2Ba
17gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba),时间延迟人力资源模型(gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
22gydF4y2Ba(),分数阶人力资源模型gydF4y2Ba
23gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba),和基于忆阻器的人力资源模式下电磁辐射(gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
25gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
27gydF4y2Ba),已经提出,并进一步研究了分岔分析方法对于理解在神经元电活动的动态gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba]。出于这个原因,分岔分析理论中扮演着重要的角色在描述模式飙升和破裂的神经电活动之间的转换(gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
27gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba
灵感来自于三维HR神经元模型的构建方法(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba),一种新颖的三维记忆性人力资源提出了神经元模型,可用于更好地描述复杂的神经电活动的动态特性与电磁感应或进一步表现出一些未被发现的复杂动力学行为神经电活动。有趣的是,我们建议的记忆性人力资源神经元模型没有平衡点,可以归类为一个特定的动力系统与隐藏的振荡模式(gydF4y2Ba
28gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
31日gydF4y2Ba]。此外,共存的非对称流动的行为也可以观察到在这样的记忆性人力资源神经元模型,表明双稳态动力学的出现,它被发现在一些指定的神经元模型gydF4y2Ba
32gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
35gydF4y2Ba]。然而,隐藏的共存的现象没有之前发布的非对称流动人力资源神经元模型。gydF4y2Ba
本文组织如下。节gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba基于人力资源上的简短评论神经元模型,提出了一种三维记忆性人力资源神经元模型,在数值显示哪些隐藏共存的非对称流动相图和时间序列及其双稳态动力学证实的吸引力盆地与初始值有关。节gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba,隐藏共存的非对称流动的行为证明了分岔图、李雅普诺夫指数和动态地图,各种各样的共存的非对称流动很容易观察到。此外,物理实现电路制作和案板实验进行确认隐藏的不对称截面的吸引子共存gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba。总结了结论部分gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
2。三维记忆性人力资源神经元模型gydF4y2Ba
2.1。简短的评论HR神经元模型gydF4y2Ba
通过简化古典Hodgkin-Huxley模型(gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba),二维Hindmarsh-Rose(人力资源)神经元模型和罗斯提出了欣德马什(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba)1982年,由两个一阶常微分方程描述gydF4y2Ba
(1)gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
bgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
cgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
在这两个变量gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
是膜电位和恢复变量(也称为变量飙升),分别和一个词gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
外部应用电流。的参数gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
bgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
cgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
四正的常数,通常被认为是哪一个gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
bgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
cgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
分别为(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
11gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
14gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba
允许大量的动力学行为,例如,混沌动力学,膜电位的一个额外的第三个方程和玫瑰引入欣德马什(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba]在1984年提高二维神经元模型(gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba),它是由三阶常微分方程表示的gydF4y2Ba
(2)gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
bgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
cgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
rgydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
的变量gydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
破裂变量和常数吗gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
是模型的静态电位。新添加的参数gydF4y2Ba
rgydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
两个积极的常数,但gydF4y2Ba
rgydF4y2Ba
非常小。因此,一个新的变量gydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
一个缓慢发展的当前,耦合到第一个方程的二维模型(gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba)优化外部应用电流gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
。如果三维神经元模型(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba)是在发射状态,的价值gydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
增加(gydF4y2Ba
24gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba
2.2。构建记忆性人力资源神经元模型gydF4y2Ba
出于上述模型的构建方法gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba),一个三维的记忆性人力资源神经元模型通过引入flux-controlled与电磁感应效应提出了理想的忆阻器的第一个方程模型(gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba),它可以数学建模gydF4y2Ba
(3)gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
bgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
cgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
的新变量gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
是表明磁膜电位的时间积分gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
。新添加的项gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
代表了外部应用电磁感应和gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
电磁感应的强度。gydF4y2Ba
重要的是要强调,介绍了忆阻器的(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)是理想和flux-controlled。根据理想的记忆电阻的定义依赖终端电压之间的欧姆定律gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
和终端当前gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
36gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
37gydF4y2Ba),一个理想flux-controlled记忆电阻gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
因此作为gydF4y2Ba
(4)gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
在memductancegydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
可以解释为flux-dependent变化率。因此,memductancegydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
利用(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba可以写的)gydF4y2Ba
(5)gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
的系数gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
是正的。gydF4y2Ba
表现出三个特征指纹的磁滞回线的忆阻器模型(gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba)[gydF4y2Ba
38gydF4y2Ba),一个正弦电压源gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
罪gydF4y2Ba
gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
πgydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
τgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
忆阻器的输入端子连接,在哪里gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
分别振幅和频率。让gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
。当gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
保持不变,gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
被指定为0.1、0.2和0.5,分别的gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
图如图所示gydF4y2Ba
1(一)gydF4y2Ba,而当gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.1gydF4y2Ba
是固定的,gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
确定3、4和5,分别的gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
图如图所示gydF4y2Ba
1 (b)gydF4y2Ba。从图gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba这一gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
情节是磁滞回路掐在原点。磁滞回线是捏无论刺激振幅但收缩成一个线性函数在无限频率及其叶面积随频率增大而减小。计算结果如图gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba表明的忆阻器模型(gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba)可以表现三个指纹识别记忆电阻器(gydF4y2Ba
38gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba
捏flux-controlled理想的忆阻器的磁滞回路。(一)gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
与gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.1gydF4y2Ba
、0.2和0.5。(b)gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.1gydF4y2Ba
与gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
4和5。gydF4y2Ba
在接下来的工作中,三维记忆性人力资源神经元模型给出了(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)被认为是。应该说,感兴趣的可调参数gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
,他们的地区是记者的第一象限参数空间(gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
>gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
>gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)。对于任何不确定的参数gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
,任何平衡点的存在是不允许三维记忆性人力资源神经元模型,既不稳定也不稳定。只有在当前的应用gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
将模型显示一个平衡点,这不是在考虑参数区域。本例中经常遇到各种各样的非线性动力系统已知的生成指定隐藏吸引子(gydF4y2Ba
28gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
31日gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba
2.3。共存的非对称流动gydF4y2Ba
当最初的参数选择gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
bgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
cgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
分别为(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba),对模型(一个例子gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba),gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.9gydF4y2Ba
给出如图gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba,轨道的红色和蓝色颜色的初始值(0,0,−2)和(0,0,2),分别。在图gydF4y2Ba
2(一个)gydF4y2Ba阶段的肖像gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
平面显示隐藏的共存不对称的双稳态现象由混沌吸引子和极限环吸引子的记忆性人力资源神经元模型,而在图gydF4y2Ba
2 (b)gydF4y2Ba膜电位的时间序列gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
演示混乱和周期性的共存的记忆性人力资源峰值神经元模型。相应地,三个李雅普诺夫指数的初始值(0,0,−2)是0.0782,0,和−3.0684,分别而(0,0,0,2)−0.2717,分别和−2.8556。的话,狼等人的方法(gydF4y2Ba
39gydF4y2Ba]和MATLAB ODE113算法用来计算三个李雅普诺夫指数。gydF4y2Ba
隐藏共存的非对称流动从初始值(0,0,−2)和(0,0,2)。(a)阶段的肖像gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机。(b)的时间序列变量gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
共存的非对称流动图所示gydF4y2Ba
2(一个)gydF4y2Ba盆地中,相应的吸引力gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
飞机的初始值是在数字gydF4y2Ba
3(一个)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
3 (b)gydF4y2Ba,混沌吸引子的吸引盆和周期性的极限环是彩色的樱红色和青色区域,分别。结果有效地显示双稳态现象的出现记忆性人力资源神经元模型。gydF4y2Ba
吸引盆地在两个不同的飞机gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.9gydF4y2Ba
,表明双稳态现象的出现。(一)gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
飞机与gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
。(b)gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
飞机与gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
尤其是新兴共存的非对称流动不与任何平衡点,表明记忆性人力资源神经元模型总是在隐藏的振荡模式(gydF4y2Ba
28gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
31日gydF4y2Ba]。此外,有趣的是,就像自激不对称双曲型的吸引子共存基于忆阻器的Hopfield神经网络(gydF4y2Ba
32gydF4y2Ba),这种隐藏的记忆性共存的非对称流动的人力资源也由电磁感应神经元模型,这说明了复杂动力学行为的发生与电磁感应在神经元电活动。gydF4y2Ba
3所示。隐藏的共存的非对称流动的行为gydF4y2Ba
当应用当前gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
和电磁感应强度gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
被认为是两个分岔参数,隐藏共存的不对称行为记忆性人力资源神经元模型数值研究了MATLAB数值算法在初始值两组(0,0,−2)和(0,0,2)。gydF4y2Ba
3.1。分岔行为与增加< inline-formula > < mml:数学xmlns: mml = " http://www.w3.org/1998/Math/MathML " id = " M76 " > < mml: mrow > < mml: mi > k < / mml: mi > < / mml: mrow > < / mml:数学> < / inline-formula >gydF4y2Ba
图gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba给的分岔图gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
和前两个李雅普诺夫指数gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.5 ~ 1.4,如图gydF4y2Ba
4(一)gydF4y2Ba轨道的红色和蓝色颜色的初始值(0,0,−2)和(0,0,2),分别在图gydF4y2Ba
4 (b)gydF4y2Ba李雅普诺夫指数的红色和紫红色的颜色对应于初始值(0,0,−2)和标志的蓝色和绿色的颜色对应于(0,0,2)。从图可以看出gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba复杂动力学出现在记忆性人力资源神经元模型,在混沌吸引子具有不同拓扑结构,极限环具有不同周期的研究,倍周期分岔的路线,切分叉的路线,危机场景,可以找到共存的分岔模式等等。因此,介绍了忆阻器的电磁感应引发众多复杂的膜电位动力学gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
,特别是包括隐藏共存不对称行为。gydF4y2Ba
的初始值(0,0,−2)和(0,0,2),隐藏的共存与不对称的行为gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.5 ~ 1.4。(一)的分岔图gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
。前两个李雅普诺夫指数(b)。gydF4y2Ba
的担心地共存行为非对称流动主要定位在两个参数区域gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0.718,0.736gydF4y2Ba
]gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0.754,0.909gydF4y2Ba
]gydF4y2Ba
,一些不同类型的隐藏共存的非对称流动发生。当gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.735gydF4y2Ba
和0.81,分别相的肖像gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机的其他两种类型的隐藏共存的非对称流动是描绘在图gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba。详细图gydF4y2Ba
5(一个)gydF4y2Ba展品隐藏的混沌吸引子的共存和隐藏的极限环,和图gydF4y2Ba
5 (b)gydF4y2Ba显示两个隐藏的极限环的共存与不同周期的研究。gydF4y2Ba
阶段的肖像gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机的其他两种类型的隐藏的共存的非对称流动。(一)gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.735。(b)gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.81。gydF4y2Ba
3.2。分岔行为与增加< inline-formula > < mml:数学xmlns: mml = " http://www.w3.org/1998/Math/MathML " id = " M94 " > < mml: mrow > < mml: mi >我< / mml: mi > < / mml: mrow > < / mml:数学> < / inline-formula >gydF4y2Ba
图gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba演示的分岔图gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
和前两个李雅普诺夫指数gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 0 ~ 2.4gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9,不同颜色的轨道图的初始值gydF4y2Ba
6(一)gydF4y2Ba和不同颜色的李雅普诺夫指数图gydF4y2Ba
6 (b)gydF4y2Ba符合中使用的那些数据吗gydF4y2Ba
4(一)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
4 (b)gydF4y2Ba。同样,它可以观察到从图gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba复杂的动态记忆性人力资源创造的神经元模型,反映了外部应用当前的动态效果gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
在神经元。gydF4y2Ba
的初始值(0,0,−2)和(0,0,2),隐藏的共存与不对称的行为gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 0 ~ 2.4gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9。(一)的分岔图gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
。前两个李雅普诺夫指数(b)。gydF4y2Ba
参数区域gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0.98,1.65gydF4y2Ba
]gydF4y2Ba
共存的利益行为的非对称流动,在几种不同类型的隐藏共存的非对称流动可以明显发现。当gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9是固定的gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
设置为1.15和1.62,分别的阶段肖像吗gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
两种类型的飞机隐藏共存的非对称流动绘制在图gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba,在图gydF4y2Ba
7(一)gydF4y2Ba隐藏的混沌吸引子共存的显示和隐藏期1极限环,并在图gydF4y2Ba
7 (b)gydF4y2Ba隐藏的共存时期2极限环和隐藏的混沌吸引子与大尺寸。gydF4y2Ba
阶段的肖像gydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机的其他两种类型的隐藏的共存的非对称流动。(一)gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1.15,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9。(b)gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1.62,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9。gydF4y2Ba
3.3。在参数空间共存不对称行为gydF4y2Ba
直观地展现了共存的非对称流动行为记忆性人力资源神经元模型,动态地图描绘的最大李雅普诺夫指数在两组数值策划在初始值gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
参数空间(gydF4y2Ba
40gydF4y2Ba),如图gydF4y2Ba
8(一个)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
8 (b)gydF4y2Ba,明亮的黄色,红色和黑色颜色的区域代表混乱,周期,分别和不同的行为。图gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba表明动态演化的电磁感应强度gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
和应用当前gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
影响共存的行为在不同的初始值。当两个参数gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
是进化而来的,有些混乱的区域嵌入在周期性区域;然而,不同的混沌区域出现在参数空间的数据gydF4y2Ba
8(一个)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
8 (b)gydF4y2Ba造成的,共存的非对称流动的行为在不同的初始值。计算结果如图gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba说明动态行为描述的最大李雅普诺夫指数基于动态地图也同意披露的分岔行为数据gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
在gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
参数空间、动态地图描绘的最大李雅普诺夫指数在不同的初始值。(一)动态地图的初始值(0,0,−2)。(b)动态地图的初始值(0,0,2)。gydF4y2Ba
它应该是显著的动态映射图gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba混沌吸引子的混乱地区的不同的地方有不同的拓扑结构和周期性区域的极限环在不同的位置有不同的周期的研究。具体来说,除了几种类型的共存不对称行为如图gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba,另一种类型的混沌吸引子共存不对称行为和不同的轨道也可以发现,这意味着另一种形式的双稳态中存在记忆性人力资源神经元模型。gydF4y2Ba
4所示。电路设计和电路试验板实验gydF4y2Ba
4.1。物理电路设计和参数选择gydF4y2Ba
flux-controlled理想忆阻器gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
特点是(gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba)及其构建三维记忆性人力资源(表达的神经元模型gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)可以通过使用物理地实现电子通过模拟乘法器电路,运算放大器与电阻或电容(gydF4y2Ba
41gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
43gydF4y2Ba),在数据绘制gydF4y2Ba
9(一个)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
9 (b)gydF4y2Ba,分别。当然,这三维记忆性人力资源神经元模型还可以数字化在现场可编程门阵列(FPGA)实现(gydF4y2Ba
44gydF4y2Ba,gydF4y2Ba
45gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba
物理电子电路实现记忆性人力资源神经元模型。(一)实现理想flux-controlled忆阻器的电路。(b)主电路的记忆性人力资源神经元模型。gydF4y2Ba
的实现电路flux-controlled理想的忆阻器图gydF4y2Ba
9(一个)gydF4y2Ba包含一个积分器与时间常数gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
、逆变器、乘数gydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
,和一个电阻gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
。的输入电压gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
和输出电流gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
忆阻器的数学模型,仿真器可以很容易地给出gydF4y2Ba
(6)gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
·gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
˙gydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
·gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
在哪里gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
忆阻器的内部变量模拟器和吗gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
乘数的收获吗gydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
记忆性的主电路HR神经元模型图gydF4y2Ba
9 (b)gydF4y2Ba有两个整合渠道实现的第一和第二方程(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)。根据基尔霍夫电流定律和电路元件的电气性能,图的电路方程gydF4y2Ba
9 (b)gydF4y2Ba被编写为gydF4y2Ba
(7)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
tgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
tgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
tgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
在哪里gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
两个电路变量,gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
是两个应用电压,然后呢gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
乘数的收益吗gydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
,分别。gydF4y2Ba
考虑到动态的振幅恢复变量gydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
在数值模拟超过运算放大器的线性操作范围和乘数,下面的线性变换gydF4y2Ba
(8)gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
⟶gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
2.5gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
应该减少的动态电压振幅gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
电路方程的记忆性人力资源神经元模型。因此,通过比较(gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba),收益率gydF4y2Ba
(9)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2.5gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
2.5gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
让时间常数gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
= 10 kΩ×33 nF = 330gydF4y2Ba
μgydF4y2Ba年代;也就是说,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
= 10 kΩ和gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
= 33 nF和乘数收益gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
= 0.1,gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
= 1。根据(gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba),电路参数的试验板实验记忆性人力资源神经元模型可以计算表中列出gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
电路参数的记忆性人力资源神经元模型试验板实验。gydF4y2Ba
| 参数gydF4y2Ba |
断章取义gydF4y2Ba |
值gydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
10 kΩgydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
10 kΩ(可调)gydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
1.11 kΩ(可调)gydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
4 kΩgydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
3.3 kΩgydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
1 kΩgydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
5 kΩgydF4y2Ba |
|
RgydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
|
电阻gydF4y2Ba |
25 kΩgydF4y2Ba |
|
CgydF4y2Ba
|
电容gydF4y2Ba |
33 nFgydF4y2Ba |
|
VgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
|
直流电压gydF4y2Ba |
1 VgydF4y2Ba |
|
ggydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
|
乘数增加gydF4y2Ba |
0.1gydF4y2Ba |
|
ggydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
|
乘数增加gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
4.2。从试验板的实验结果了gydF4y2Ba
根据电路图如图gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba和电路参数表gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba,硬件电路使用商业上离散的组件可以焊接在案板上。的运算放大器AD711JN和模拟乘数AD633JN由±15 V电压选择模块。直流电压gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
ygydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
由2326年美国泰克PWS提供直流电源和实验结果是衡量美国泰克TDS 3054 c数字荧光示波器。记忆性的连贯地实验原型的照片HR神经元模型显示在图gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
实验电路试验板和典型的混沌吸引子的照片被数字示波器。gydF4y2Ba
对实验测量的磁滞回路的记忆电阻模拟器在图gydF4y2Ba
9(一个)gydF4y2Ba正弦电压源gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
罪gydF4y2Ba
gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
πgydF4y2Ba
fgydF4y2Ba
tgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
由美国泰克二自由度陀螺仪3102 c函数发生器与忆阻器的输入终端模拟器,在物理频率计算gydF4y2Ba
fgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
。为gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 1,可变电阻gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 10 kΩ。当振幅和频率的正弦电压源中使用数值模拟图gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba雇佣,捏磁滞回路对应的振幅和频率捕获,如图gydF4y2Ba
(11日)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
11 (b)gydF4y2Ba分别实验验证指纹特征记忆电阻的模拟器。应该解决,为了更好的观察实验结果,所有的输出电流电流探针所感觉到的放大了十倍。gydF4y2Ba
实验测量了滞后循环记忆电阻的模拟器。(一)gydF4y2Ba
一个gydF4y2Ba
与不同频率= 4 V。(b)gydF4y2Ba
fgydF4y2Ba
与不同的振幅= 303.03赫兹。gydF4y2Ba
表中列出的电路参数gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba使用和三个电容器是随机的不同初始电压感觉到通过重复打开和关闭实验电源(gydF4y2Ba
46gydF4y2Ba]。对于典型的电路参数表gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba,两个可调电路参数gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
对应于模型参数可调的gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1,gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9。对应图gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba阶段的肖像gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机的时间序列变量gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
出现在不同的初始电压实验获得,如图gydF4y2Ba
12gydF4y2Ba。实验结果表明,隐藏共存的非对称流动也可以测量的试验板实验记忆性人力资源神经元模型。gydF4y2Ba
实验测量了隐藏共存的非对称流动而反复打开和关闭试验电源。(一)阶段的肖像gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机。(b)的时间序列变量gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
当应用当前gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
= 1,即阻力gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
是固定的10 kΩ阻力gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
设置kΩkΩ1.36和1.23,分别的阶段画像吗gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机被捕获,如图gydF4y2Ba
(13日)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
13 (b)gydF4y2Ba。此外,当电磁感应强度gydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 0.9,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 1.11 kΩ和gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
设置kΩkΩ8.70和6.17,分别的阶段画像吗gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机被捕获,如图gydF4y2Ba
13 (c)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
13 (d)gydF4y2Ba。忽略一些细小的差异数值模拟和电路试验板实验由于计算误差和寄生电路参数,实验结果几乎是一样的数值模拟,这意味着共存的非对称流动的行为,从记忆性人力资源神经元模型可以通过实验进行验证。gydF4y2Ba
实验测量阶段的肖像gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
xgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
φgydF4y2Ba
飞机隐藏共存的非对称流动在不同电路参数。(一)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
= 10 kΩ和gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 1.36 kΩ。(b)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
= 10 kΩ和gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 1.23 kΩ。(c)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
= 8.70 kΩ和gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 1.11 kΩ。(d)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
= 6.17 kΩ和gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
kgydF4y2Ba
= 1.11 kΩ。gydF4y2Ba