本文介绍了基于SMIC 0.18的集成霍尔开关传感器 <一世talic>
μ.
近几十年来,霍尔传感器与当今的半导体集成电路制造技术兼容。使用CMOS技术生产的集成霍尔开关传感器具有稳定的性能,体积小,寿命长,价格低,导致他们在许多领域的验收。然而,使用CMOS技术生产的霍尔元件具有低灵敏度和弱霍尔电压信号。通常,在1毫秒的弱磁场和1 V偏置电压下,霍尔元件仅产生大约几十微伏的霍尔电压[ 在本研究中,我们通过优化霍尔元件的结构来提高其灵敏度并减少其偏移量。此外,采用双霍尔元件正交耦合和自旋电流技术有效降低了偏置电压。采用自归零技术抑制电路偏置。采用时钟控制微功率技术,在不影响低速霍尔开关芯片性能的前提下降低功耗。在部分
霍尔元素的剖视图和顶视图如图所示
在没有磁场的情况下,由于生产技术的缺陷,机械应力和环境温度,当霍尔元件的控制端存在激励源时,其输出端存在非零差(一世。E.。那the offset voltage<一世NL.一世NE.-F要么mula>
如果电阻<一世NL.一世NE.-F要么mula>
采用正交耦合技术对霍尔传感器进行静态补偿。如图所示
但是惠斯通电桥模型中的其他三个电阻并不能保证完全相同,这大大降低了正交耦合补偿的影响。为了提高效果,通常采用大量的霍尔元件进行正交耦合,如四个霍尔元件,但这样会增加芯片面积和成本。
与纺丝电流技术相比,正交耦合技术可以更有效地抑制静态偏移。然而,需要在霍尔元件具有正交对称结构的前提下建立通过正交耦合技术偏移的霍尔元件的抑制,并且该方法不能抑制由高阶效应引起的偏移。因此,纺丝电流技术已应用于霍尔传感器以消除动态偏移[ 当偏置电流从左到右流动时,霍尔元素的输出电压如下: 当偏置电流旋转90°并从上到下流动时,输出电压如下: 可以通过在这两个阶段中添加输出电压来抑制偏移电压。 结合正交耦合技术和纺纱电流技术,我们可以有效地抑制霍尔元素的偏移,并获得较小的残余偏移[ 当CLK0低时,M1和M4打开。H1和H3是控制端,H2和H4是输出端。输出电压如下: 当CLK1低时,将打开M2和M3。H2和H4是控制端,H1和H3是输出端。输出电压如下: 由磁场产生的霍尔电压设定为100 <一世talic>
μ. 结果表明,电路与正交耦合和纺纱电流技术相结合,可以有效地抑制霍尔元素的静态和动态偏移。
霍尔开关传感器电路结构如图所示 如图所示 时钟控制的微功率技术用于开发低功耗霍尔开关传感器[ 设计的霍尔开关传感器是全极性磁场开关。换句话说,它应该正常工作在N极磁场和S极磁场中。如图所示 假设磁场<一世NL.一世NE.-F要么mula>
当<一世NL.一世NE.-F要么mula>
如图所示 电路的总体时间序列如图所示
中芯国际0.18<一世talic>
μ. 数字 在设计的霍尔开关传感器芯片上使用了数字逻辑模块,以实现两种模式,即唤醒模式和睡眠模式,从而降低了功耗。交换机唤醒用于手动控制芯片的工作状态,以便测试其功耗。数字 测试结果见表
中芯国际0.18<一世talic>
μ.
作者声明他们没有利益冲突。
这项工作得到了中国国家自然科学基金的支持,授予否定。61404030。