亚太经合组织gydF4y2Ba 主动和被动电子元件gydF4y2Ba 1563 - 5031gydF4y2Ba 0882 - 7516gydF4y2Ba Hindawi出版公司gydF4y2Ba 938987年gydF4y2Ba 10.1155 / 2014/938987gydF4y2Ba 938987年gydF4y2Ba 研究文章gydF4y2Ba 新的实现单OTRA-Based正弦振荡器gydF4y2Ba http://orcid.org/0000 - 0001 - 5604 - 8642gydF4y2Ba 简gydF4y2Ba Hung-ChungydF4y2Ba HornggydF4y2Ba Jiun-WeigydF4y2Ba 电子工程系gydF4y2Ba 金文科技大学gydF4y2Ba 99号,Anzhong道路gydF4y2Ba 新店地区,新23154年台北市gydF4y2Ba 台湾gydF4y2Ba just.edu.twgydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 2013年gydF4y2Ba 03gydF4y2Ba 01gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 06gydF4y2Ba 01gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 版权©2014 Hung-Chun简。gydF4y2Ba 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2Ba

本研究提出了三个新的正弦振荡器基于一个操作跨阻放大器(一部分)。每个提议的振荡器电路由一个其它结合几个被动元件。第一个电路OTRA-based最低RC振荡器。第二电路能够提供独立控制振荡的条件而不影响振荡频率。第三巡回展览通过电容器独立振荡频率的控制。本研究首先介绍了一部分,该振荡器电路的相关公式,然后讨论了非理想的效果,提出了电路的灵敏度分析和频率稳定。该振荡器展览低敏感性和良好的频率稳定性。因为呈现低阻抗输出电路特性,它们可以直接连接到下一个阶段没有级联附加电压缓冲区。HSPICE模拟和实验结果证实了新振荡器电路的可行性。gydF4y2Ba

 1。介绍gydF4y2Ba

正弦振荡器构成众多电子设备中的一个重要单元,包括电子仪器、测量系统、电信、电力转换控制电路和信号处理应用程序(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba]。在过去的几年里,正弦振荡器的典型配置在一个广泛的电路系统结合运算放大器(放大器)和额外的无源元件。各种各样的正弦振荡器使用一个运放作为激活装置是可用的(gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba]。然而,一个运放的有限增益带宽积降低振荡器电路的性能。要解决这个问题,研究人员研究了电流型电路信号处理技术在过去的几十年,因为他们提供的优势更大的精度,更广泛的带宽,和更高的转换速度比电压型(gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba]。以往的研究存在的几个实现正弦振荡器采用当前输送机(CCs)和电流反馈放大器(CFOAs) [gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba文献,包含无数正弦振荡器采用不同类型的现代活动设备(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba]。自1992年引进一部分,它已经成为一个重要的构建块在模拟电路设计gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba]。后续发展导致两个高性能CMOS一部分实现(gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba]。其它也可以使用商用ICs(实现gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba,引发了兴趣OTRA-based模拟信号处理电路的设计。提出了基于其它振荡器电路(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba]。据我们所知,第一个报道振荡器电路使用一部分作为激活装置出现在[gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba]。这项研究首次引入三个单一OTRA-based振荡器电路,然后使用两个其它四个额外的拓扑。然而,这些电路的主要缺点是,它们需要过度活跃的设备和无源元件。为了克服这个问题,一种改进的拓扑构建单一的一部分,三个电阻,和两个电容器随后报道减少组件数量(gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba]。最近的研究提供了一个OTRA-based振荡器与非交互的控制(gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba]。然而,患有复杂的电路设计包括两个其它三个电阻、和三个电容器。文献综述介绍了其他类型的正弦振荡器,如正交振荡器和多相振荡器,使用一部分作为有源器件(gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba]。先前的研究显示,一个可用的方法生成正交振荡器是基于级联全通滤波器技术(gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 22gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba]。尽管单一OTRA-based正弦振荡器出现在先前的报道,许多有效的拓扑是失踪的文献中。因此,本文的主要目的是向这个列表添加三个未发表的计划。一个其它一些被动元件所需的三种拓扑在这项研究。因为OTRA-based应用电路得到了越来越多的关注,我们相信这些全新的电路配置可以是一个不错的选择利用正弦振荡器的设计的一部分。来说明我们提出的新颖的拓扑结构,比较各种解决方案如表所示gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba。应该注意的是,在现有的电路,该振荡器在这项研究功能以下好处:gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 少或相同数量的活跃设备和使用无源元件;gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 独立控制振荡条件(振荡频率)而不影响振荡频率(振荡条件);gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 主动和被动敏感性较低;gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 良好的频率稳定性;gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 寄生参数不敏感;和gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 没有额外的缓冲级联应用程序。本文组织如下。部分gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba首先介绍了活跃的其它设备,然后解释和分析该电路。部分gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba调查不理想的效果,提出了电路的灵敏度分析和频率稳定。部分gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba描述了如何进行仿真和实验测试的例子。部分gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba提出了结论。gydF4y2Ba

比较不同正弦振荡器。gydF4y2Ba

拓扑结构gydF4y2Ba 组件数量和被动组件类型gydF4y2Ba 振荡器的分类gydF4y2Ba OC和独立控制gydF4y2Ba 信号输出模式/缓冲电路的要求gydF4y2Ba 电路实现技术gydF4y2Ba
CCII-based [gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba]gydF4y2Ba CCII×1gydF4y2Ba电阻器×3gydF4y2Ba(接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba度:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba :NAgydF4y2Ba VM /是的gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
CFOA-based [gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba]gydF4y2Ba CFOA×1gydF4y2Ba电阻器×3gydF4y2Ba(只有一个浮动)gydF4y2Ba电容器×3gydF4y2Ba(接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba的:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
CDBA-basedgydF4y2Ba(拓扑如图2所示的gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba])gydF4y2Ba CDBA×1gydF4y2Ba电阻器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 没有gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba:NAgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
FTFN-based [gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba]gydF4y2Ba FTFN×2gydF4y2Ba电阻器×4gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba的:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 厘米/不gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
DVCC-based [gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 培训、×1gydF4y2Ba电阻器×2gydF4y2Ba(接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 没有gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba:NAgydF4y2Ba VM /是的gydF4y2Ba CMOS实现gydF4y2Ba
OTA-basedgydF4y2Ba(拓扑如图2所示的gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba])gydF4y2Ba OTA×1gydF4y2Ba电阻器×4gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 没有gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba:NAgydF4y2Ba VM /是的gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
OTRA-basedgydF4y2Ba(拓扑b在图3的gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba])gydF4y2Ba 其它×1gydF4y2Ba电阻器×4gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba度:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba :NAgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba CMOS实现gydF4y2Ba
OTRA-based [gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 其它×1gydF4y2Ba电阻器×3gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba的:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba CMOS实现gydF4y2Ba
OTRA-based [gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 其它×2gydF4y2Ba电阻器×3gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba电容器×3gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba度:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 的:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
OTRA-based [gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba]gydF4y2Ba 其它×2gydF4y2Ba电阻器×6gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba 通联gydF4y2Ba 没有gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba:NAgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
OTRA-basedgydF4y2Ba(图2的gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba])gydF4y2Ba 一部分gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 电阻器gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ngydF4y2Ba (浮动)gydF4y2Ba电容器gydF4y2Ba ×gydF4y2Ba ngydF4y2Ba (浮动)gydF4y2Ba(gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 步输出)gydF4y2Ba 美索gydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba度:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba :NAgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba 商业ICsgydF4y2Ba
OTRA-basedgydF4y2Ba(提出了图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba)gydF4y2Ba 其它×1gydF4y2Ba电阻器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 没有gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba:NAgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba CMOS实现/商业ICsgydF4y2Ba
OTRA-basedgydF4y2Ba(提出了图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba)gydF4y2Ba 其它×1gydF4y2Ba电阻器×3gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba电容器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2Ba度:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba :NAgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba CMOS实现/商业ICsgydF4y2Ba
OTRA-basedgydF4y2Ba(提出了图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba)gydF4y2Ba 其它×1gydF4y2Ba电阻器×2gydF4y2Ba(浮动)gydF4y2Ba电容器×3gydF4y2Ba(只有一个接地)gydF4y2Ba SSOgydF4y2Ba 是的gydF4y2BaOC: NAgydF4y2Ba的:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba VM /不gydF4y2Ba CMOS实现/商业ICsgydF4y2Ba

OC:振荡条件;:振荡频率;SSO:单相正弦波振荡器;通联:正交正弦波振荡器;美索:多相相正弦波振荡器;娜:没有,VM:电压型;CM:电流型。gydF4y2Ba

 2。电路的描述gydF4y2Ba

其它的设计理念源自商用诺顿放大器(gydF4y2Ba 24gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 25gydF4y2Ba]。然而,诺顿放大器没有引起相当大的关注,因为商业产品不提供一个虚拟的地面在输入终端,他们只允许输入电流在一个方向流动。这些不利条件限制其应用。因此,提出一种改进的设计和重命名操作跨阻放大器(其它)gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba]。一部分是trans-impedance积极构建块和两个电流输入终端类型(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba )和一个电压输出终端(gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ),这意味着输入电流通过跨阻增益控制输出电压。图gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba显示一个线路图的一部分用于这项研究。它的终端关系可以定义为(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba),gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 代表跨阻增益。在理想的情况下,跨阻增益gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 输入电流趋于无穷时,两人被迫相等。然而,这只会发生在一部分用于关闭反馈回路和无限的反馈环路增益可以确保这一点。由于其它的输入终端内部接地,这个活跃的设备是免费的从众多的寄生效应gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba]。使用其它设计模拟电路的另一个优点是,它可以得到一个非常准确的传递函数在级联应用程序(gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba]:gydF4y2Ba (1)gydF4y2Ba (gydF4y2Ba VgydF4y2Ba +gydF4y2Ba VgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ]gydF4y2Ba =gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ]gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba ogydF4y2Ba ]gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

其它线路图。gydF4y2Ba

图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba描绘了一个可行的CMOS一部分组成的差动电流控制电流源(dccc)紧随其后的是一个电压缓冲器(gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba]。dccc单位在这个图是基于晶体管gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 来gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba 来gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 形成了电压缓冲器。此外,一部分可以很容易地使用商用集成电路实现和配置包括两个AD844ANs [gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba)(图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba)。如果终端gydF4y2Ba TgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 第二AD844AN是一个开放的电路、精确的行为可以确定理想的一部分。因为AD844AN集成电路广泛应用于各种模拟电路,实现图中描述gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba提供了一个可行的方法来实现一个其它虽然目前没有这样的装置。gydF4y2Ba

其它的CMOS实现。gydF4y2Ba

使用商业IC AD844ANs其它构造。gydF4y2Ba

图gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba显示了拟议的新振荡器。每个电路由一个单一的一部分和一些被动元件。由于最低被动组件正弦振荡器已经收到了对文学的兴趣(gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba),本研究首先介绍了gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba RgydF4y2Ba +gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 拓扑结构来满足最低RC组件设计(图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba)。假设一个理想的一部分特点是(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba),常规电路分析收益率(表达的特征方程gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)。方程(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba)确定的振荡条件和振荡频率,分别。的振荡条件和振荡频率不能独立控制电路,因为它是一个最低RC振荡器:gydF4y2Ba (2)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (3)gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (4)gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

电路图的单一OTRA-based正弦振荡器。gydF4y2Ba

实现独立控制在不影响振荡频率的振荡条件,第二个拓扑雇佣了一个其它三个电阻和两个电容器(图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba)。方程(gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba)(gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba)推导出特征方程的表达式,这个电路振荡条件和振荡频率。其中,gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 代表相应的另外的电阻gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ,分别。方程(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba)表明,导纳gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 可以控制振荡条件而不影响振荡频率:gydF4y2Ba (5)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (6)gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (7)gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

还可以实现独立控制的振荡频率而不影响振荡条件。在这种情况下,人物gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba表明,改变电阻gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 是一个电容器gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 收益率第三拓扑结构,如图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba。常规电路分析表明,特征方程,该电路的振荡条件和振荡频率表示为gydF4y2Ba (8)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (9)gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (10)gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

这个振荡器可以被认为是一个电容控制振荡器(SCCO)因为振荡频率都可以单独控制gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 。提出的方案在这个研究提供了一个比以前更紧凑的电路拓扑结构设计(单电容控制振荡器)报告(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba]。然而,典型的单电容控制振荡器不能提供一个优秀的振荡频率的优化能力。达到一个高振荡频率的调谐能力,可调电容模拟电路可以应用于解决这个问题(gydF4y2Ba 29日gydF4y2Ba]。与拓扑报告(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba][数据gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba (gydF4y2Ba bgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba (gydF4y2Ba cgydF4y2Ba )gydF4y2Ba ),该振荡器使用相对较少的被动组件实现拓扑独立控制的振荡条件和振荡频率。因为OTRA-based近年来应用电路得到了更多的关注,该振荡器电路可以作为实际应用于其它电路系统的设计。gydF4y2Ba

 3所示。不理想的分析所提出的电路gydF4y2Ba

本节讨论一些不理想的特征决定的影响不理想的对电路的影响。根据数据表(gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba),显示一个AD844AN IC可以建模为一个积极的第二代电流输送(CCII +)级联一个电压缓冲器与固有的寄生电阻和有限的跟踪错误。图gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba揭示了一个更复杂的电路模型的一部分(图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba),gydF4y2Ba RgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 和gydF4y2Ba RgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 是终端寄生电阻。在这个设计中,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 的几十欧姆,而gydF4y2Ba RgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 在一些阻器的范围。gydF4y2Ba βgydF4y2Ba 从终端代表当前的跟踪误差因素gydF4y2Ba TgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 关于反相终端。AD844AN datasheet表明标准的这些参数的值gydF4y2Ba βgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.98gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba xgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 50gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba zgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba 。图gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba包括由此产生的表达式相关的电流。同相终端的寄生电阻和电压反相之间的跟踪误差的影响和同相终端CCII +都消失在地面的电路模型,因为每个CCII +同相连接的终端。gydF4y2Ba

等效电路模型的一部分(图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba)和非理想的寄生效应。gydF4y2Ba

应用不理想的后一部分等效电路模型提出的电路如图gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba乏味的派生导致以下修改的特征方程,振荡条件和振荡频率。图的特征方程gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba就变成了gydF4y2Ba (11)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba βgydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ngydF4y2Ba +gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (gydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba ngydF4y2Ba +gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba (gydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 和gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 代表相应的另外的寄生电阻gydF4y2Ba RgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 和gydF4y2Ba RgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ,分别。修改后的振荡条件和振荡频率gydF4y2Ba (12)gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba kgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (13)gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba 。gydF4y2Ba 的参数gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 被定义为gydF4y2Ba (14)gydF4y2Ba kgydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

方程(gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba)表明,非理想的电流跟踪误差gydF4y2Ba βgydF4y2Ba 和寄生虫另外gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 和gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 影响的振荡条件和振荡频率。然而,参数的影响gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 可以忽略,因为寄生虫导纳吗gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 远远大于gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 在大小。还请注意,寄生导纳gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba 这个电路的振荡频率略有变化。这轻微的偏差可以通过选择补偿gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ≫gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 对电路的影响降到最低。利用(gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba),主动和被动电路(图的敏感性gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba)gydF4y2Ba (15)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba 的条件gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ≫gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 。巡回展览灵敏度性能好,因为所有的主动和被动敏感性都不到统一大小。对图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba电路,修改后的特征方程gydF4y2Ba (16)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba βgydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba 修改后的振荡条件和振荡频率gydF4y2Ba (17)gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (18)gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba /gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba +gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

方程(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba)表明,该参数gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 分别稍微改变了振荡条件和振荡频率。这轻微的偏差可以忽略,因为参数gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 代表了一个非常小的价值提出的电路。这个电路的主动和被动敏感性决定(gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba)。方程(gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba)表明,都是主动和被动敏感性低,因为参数gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 几乎为零:gydF4y2Ba (19)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba /gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba kgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba 在图中描述的电路gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba有以下修改特征方程:gydF4y2Ba (20)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba βgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba 修改后的振荡条件和振荡频率gydF4y2Ba (21)gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba (22)gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

方程(gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba 22gydF4y2Ba)表明,该参数gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 分别影响的振荡条件和振荡频率。然而,非理想的效果的影响几乎可以无视,因为参数gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 是一个非常小的值,在理想情况下趋于零。的主动和被动敏感电路gydF4y2Ba (23)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 。gydF4y2Ba

方程(gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba)显示,当gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba >gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 设置的值gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba 不超过50%。此外,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba 零,因为导纳的方法gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 是一个非常小的值(gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 在理想的情况下)。因此,主动和被动敏感性都低。因此,要消除nonideality效果和降低灵敏度的影响提出了电路,应符合下列条件:gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ≫gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ≫gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba >gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 。在考虑集成方面,该振荡器电路与顶板和底板的寄生参数gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 可能使改变的顺序并更改其振荡频率振荡器电路。减少的影响的顶板和底板寄生参数gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 提出了振子,一个先进的布局技术可以应用于克服这个障碍gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba]。表gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba总结了关键方程提出了振子。gydF4y2Ba

该振荡器的关键方程。gydF4y2Ba

配置gydF4y2Ba 振荡条件和频率gydF4y2Ba 主动和被动敏感gydF4y2Ba 频率稳定度的因素gydF4y2Ba
图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba 理想:gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 不理想的:gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba kgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 条件:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 和gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba ngydF4y2Ba GgydF4y2Ba
图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba 理想:gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 不理想的:gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba /gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba )gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba /gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba kgydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ngydF4y2Ba +gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 条件:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 和gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba ngydF4y2Ba
图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba 理想:gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 不理想的:gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba )gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba kgydF4y2Ba )gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba xgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba βgydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba zgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba ogydF4y2Ba ′gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba (gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba )gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba +gydF4y2Ba ngydF4y2Ba )gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 条件:gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba ngydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba ngydF4y2Ba CgydF4y2Ba GgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba =gydF4y2Ba GgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba

频率稳定度是一个重要的性能标准正弦振荡器(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba]。频率稳定度的因素gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba FgydF4y2Ba 被定义为gydF4y2Ba (24)gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba FgydF4y2Ba =gydF4y2Ba dgydF4y2Ba ΦgydF4y2Ba (gydF4y2Ba μgydF4y2Ba )gydF4y2Ba dgydF4y2Ba μgydF4y2Ba |gydF4y2Ba μgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba μgydF4y2Ba =gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba /gydF4y2Ba ωgydF4y2Ba 0gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba ΦgydF4y2Ba (gydF4y2Ba μgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 代表开环传递函数的相位函数的振荡电路。使用中表达的定义(gydF4y2Ba 24gydF4y2Ba),表gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba给出了该振荡器的频率稳定度因素。这个表显示良好的频率稳定性可以通过选择获得更大的价值gydF4y2Ba ngydF4y2Ba 提出了电路。gydF4y2Ba

 4所示。仿真和实验结果gydF4y2Ba

验证电路的可行性,商业AD844AN ICs采用实现一个其它(图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba)执行实验测试。所有的实验都在±5 V的电源电压。该电路也使用CMOS模拟电路模拟程序HSPICE一部分实现,如图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba。可行的设计过程的振荡条件和振荡频率的振荡器(图gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba)安排如下。对图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba电路,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 第一次分配和一个振荡频率是指定的。因此,值gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 可以确定使用(gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba)。的图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba电路,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba ngydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 被选择。从(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba)和(gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba),gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 可以确定当一个振荡频率分配。最后振荡器(图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba),gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 第一次分配的比例,因此gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba /gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 决定(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba)。随后,的价值gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 可以确定的gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba)当一个振荡频率指定。例如,图中的振荡器gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba设计与gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 2.43gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1.1gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba nF。一起不理想的参数gydF4y2Ba βgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.98gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba xgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 50gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba zgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,这导致94.98 kHz理论振荡频率。实验结果图gydF4y2Ba 6(一)gydF4y2Ba显示97.54 kHz的振荡频率,这是接近的理论预测。理论和实验结果之间的误差百分比是2.62%。图gydF4y2Ba 6 (b)gydF4y2Ba显示相应的频谱。比例总谐波失真(THD)测定2.52%。实验结果显示电路,因为图上的轻微变形gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba与最低RC电路提出了一个简洁的电路拓扑结构设计(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba]。然而,一个额外的辅助振幅控制电路和技术可用于产生低失真的生成的输出信号通过外部手段(gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba]。振荡器的图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba设计与gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 10.83gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 29.6gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.1gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.2gydF4y2Ba nF一起不理想的参数gydF4y2Ba βgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.98gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba xgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 50gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba zgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba 。图gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba显示了输出波形的实验结果和相应的频谱。在这种情况下,振荡频率的理论值为104.16 kHz,而实验结果(图gydF4y2Ba 7(一)gydF4y2Ba)显示一个102.5 kHz的振荡频率。理论和实验结果之间的误差百分比是1.59%。官百分比测定2.64%。gydF4y2Ba

电路(图的实验结果gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba输出波形):(a)和(b)相应的频谱。gydF4y2Ba

电路(图的实验结果gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba输出波形):(a)和(b)相应的频谱。gydF4y2Ba

振荡器在图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba设计与gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.1gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.3gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 12.4gydF4y2Ba nF。振荡频率的理论值决心99.85 kHz。实验结果图gydF4y2Ba 8(一个)gydF4y2Ba揭示101.3 kHz的振荡频率。理论和实验结果之间的误差百分比是1.43%。图gydF4y2Ba 8 (b)gydF4y2Ba显示相应的频谱和拉力测量测量比例2.98%。gydF4y2Ba

电路(图的实验结果gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba输出波形):(a)和(b)相应的频谱。gydF4y2Ba

考虑在CMOS技术成果图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba提出一个替代实现模拟测试的一部分。为此,提出所有的电路如图gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba利用HSPICE模拟程序基于CMOS一部分(图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)。0.35所有模拟都是由台积电gydF4y2Ba μgydF4y2Bam MOS晶体管的参数具有相同的纵横比(gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba]。CMOS的一部分(图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)是有偏见的±2.5 V的电源。偏置电流和电压gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba BgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba μgydF4y2Ba一个,gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba V,gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba V。图gydF4y2Ba 9(一个)gydF4y2Ba显示仿真结果的输出波形图gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba与gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 21.3gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 9.85gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.1gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.1gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 设计比gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 实现良好的频率稳定性。。仿真结果表明,振荡频率是108.48千赫(理论值109.87 kHz),产生一个百分比误差理论和仿真振荡频率之间的只有1.26%的结果。这些电路的振荡频率的微小偏差从理论价值是由CMOS一部分的nonideality造成的。图gydF4y2Ba 9 (b)gydF4y2Ba的仿真结果表明,频谱和官百分比分析2.59%。电路如图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba模拟了以下值:gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.05gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.16gydF4y2Ba nF。在这些设计值、振荡频率的理论值计算148.28 kHz。图gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba显示仿真结果的输出波形及其频谱输出。图gydF4y2Ba 10 ()gydF4y2Ba显示输出波形的振荡频率是150.01 kHz。图gydF4y2Ba 10 (b)gydF4y2Ba官显示百分比分析2.71%,收益率1.15%百分误差理论和模拟结果之间的振荡频率。gydF4y2Ba

电路(图的仿真结果gydF4y2Ba 4(一)gydF4y2Ba使用CMOS一部分(图)gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba输出波形):(a)和(b)相应的频谱。gydF4y2Ba

电路(图的仿真结果gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba使用CMOS一部分(图)gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba输出波形):(a)和(b)相应的频谱。gydF4y2Ba

电路如图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba,被选为被动组件gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.05gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.15gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.1gydF4y2Ba nF。这个设计产量理论106.1 kHz的振荡频率。图gydF4y2Ba (11日)gydF4y2Ba显示了输出波形视图获得HSPICE模拟所选的例子。仿真结果表明105.08 kHz的振荡频率,这是接近的理论预测。百分比误差理论和模拟结果之间的振荡频率是0.96%。图gydF4y2Ba 11 (b)gydF4y2Ba显示相应的输出频谱,百分比近似分析了0.56%。再一次,这些结果验证HSPICE模拟与理论分析有很好的一致性。仿真结果表明,该CMOS OTRA-based较低的解决方案提供更好的输出波形信号失真。关于最高适用该电路的工作频率(图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba),一个实验测试值gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 7.5gydF4y2Ba kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.03gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.1gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.01gydF4y2Ba nF探索这个特征被处决。图gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba显示电路的输出波形的仿真结果(图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba)的振荡频率260.35 kHz,接近261.21 kHz的理论价值。适用的最高工作频率的振荡器只是演示了基于CMOS的近似数百千赫其它电路(图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba)。在这种情况下,理论和实验结果之间的误差百分比是0.79%。展示的属性用于控制振荡频率通过使用电阻,人物gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba电路是用来调查这种现象。通过采用gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.05gydF4y2Ba nF和gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba 0.16gydF4y2Ba nF,gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba =gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba =gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 3gydF4y2Ba =gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 从10 k被分配和不同gydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba 20 kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba 在1 kgydF4y2Ba ΩgydF4y2Ba 步骤。图gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba理论和仿真结果显示了振荡频率的变化。实验结果与理论预测。实验测试表明,该振荡器可以使用商用AD844AN ICs或CMOS技术实现。gydF4y2Ba

电路(图的仿真结果gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba使用CMOS一部分(图)gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba输出波形):(a)和(b)相应的频谱。gydF4y2Ba

仿真结果适用最高的振荡电路(图gydF4y2Ba 4 (c)gydF4y2Ba)。gydF4y2Ba

振荡频率的变化gydF4y2Ba RgydF4y2Ba 电路(图gydF4y2Ba 4 (b)gydF4y2Ba)。gydF4y2Ba

 5。结论gydF4y2Ba

本研究报告三个新的正弦振荡器,尚未开放的文学。每个电路由一个其它一些外部被动元件。第一个最RC元件设计电路特性。第二个和第三个电路提供独立的振荡条件和振荡频率的控制,分别。该电路也表现出较低的主动和被动敏感振荡频率,和大多数的寄生参数提出电路消失由于其它的内部地面输入终端。HSPICE模拟和实验测量研究中验证该电路的有效性。该拓扑为其它设备提供全新的正弦振荡器。由于它的简单性,这些新方案有望在现代模拟电路系统得到广泛应用。gydF4y2Ba

 利益冲突gydF4y2Ba

作者宣称没有利益冲突有关的出版。gydF4y2Ba

 SedragydF4y2Ba 答:S。gydF4y2Ba 史密斯gydF4y2Ba k . C。gydF4y2Ba 微电子电路gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 纽约,纽约,美国gydF4y2Ba 牛津大学出版社gydF4y2Ba BudakgydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 被动和主动网络分析和合成gydF4y2Ba 1974年gydF4y2Ba 纽约,纽约,美国gydF4y2Ba 霍顿•米夫林公司gydF4y2Ba 鲁道夫gydF4y2Ba f·G。gydF4y2Ba 振荡器电路gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 澳大利亚墨尔本gydF4y2Ba NewnesgydF4y2Ba ToumazougydF4y2Ba C。gydF4y2Ba LidegygydF4y2Ba f·J。gydF4y2Ba 黑的gydF4y2Ba D。gydF4y2Ba 模拟集成电路设计:电流型的方法gydF4y2Ba 1990年gydF4y2Ba 彼得Peregrinus新闻gydF4y2Ba 马丁内斯gydF4y2Ba p。gydF4y2Ba CelmagydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 古铁雷斯gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba 使用CCII + Wien-type振荡器gydF4y2Ba 模拟集成电路和信号处理gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 139年gydF4y2Ba 147年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0029271988gydF4y2Ba 10.1007 / BF01239168gydF4y2Ba 苏gydF4y2Ba a . M。gydF4y2Ba 对于新grounded-capacitor电流型振荡器使用CCIISgydF4y2Ba 《电路、系统和电脑gydF4y2Ba 1998年gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 363年gydF4y2Ba 378年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 3042859434gydF4y2Ba Abuelma 'attigydF4y2Ba m . T。gydF4y2Ba Al-ShahranigydF4y2Ba s M。gydF4y2Ba 新CFOA-based正弦振荡器gydF4y2Ba 国际电子杂志gydF4y2Ba 1997年gydF4y2Ba 82年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0002055436gydF4y2Ba 可能性gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba CicekoǧlugydF4y2Ba O。gydF4y2Ba KuntmangydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 在振荡器实现使用一个电流反馈运算放大器gydF4y2Ba 电脑和电子工程gydF4y2Ba 2002年gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 375年gydF4y2Ba 389年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0036722141gydF4y2Ba 10.1016 / s0045 - 7906 (00) 00059 - 8gydF4y2Ba 侯gydF4y2Ba c . L。gydF4y2Ba 黄gydF4y2Ba C . C。gydF4y2Ba 常gydF4y2Ba c . M。gydF4y2Ba 正弦波振荡器采用电流差分缓冲放大器和最小被动组件gydF4y2Ba 先进的工程杂志gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 103年gydF4y2Ba 106年gydF4y2Ba BhaskargydF4y2Ba d·R。gydF4y2Ba SenanigydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 新FTFN-based grounded-capacitor SRCO带有显式电流型产出和减少数量的电阻gydF4y2Ba AEU:国际电子产品和通讯》杂志上gydF4y2Ba 2005年gydF4y2Ba 59gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 48gydF4y2Ba 51gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 13444252406gydF4y2Ba 10.1016 / j.aeue.2004.11.029gydF4y2Ba 侯gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 陈gydF4y2Ba Y.-T。gydF4y2Ba 黄gydF4y2Ba c c。gydF4y2Ba 振荡器使用一个单一的培训gydF4y2Ba 淡江科学与工程》杂志上gydF4y2Ba 2003年gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 183年gydF4y2Ba 187年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 75149162852gydF4y2Ba Abuelma 'attigydF4y2Ba m . T。gydF4y2Ba 汗gydF4y2Ba m . H。gydF4y2Ba 接地电容振荡器使用单一运算跨导放大器gydF4y2Ba 主动和被动电子元件gydF4y2Ba 1996年gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 91年gydF4y2Ba 98年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0029697132gydF4y2Ba 陈gydF4y2Ba j j。gydF4y2Ba 曹gydF4y2Ba H.-W。gydF4y2Ba 陈gydF4y2Ba c c。gydF4y2Ba 操作使用CMOS技术跨阻放大器gydF4y2Ba 电子信件gydF4y2Ba 1992年gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba 22gydF4y2Ba 2087年gydF4y2Ba 2088年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0026931382gydF4y2Ba SalamagydF4y2Ba k . N。gydF4y2Ba 苏gydF4y2Ba a . M。gydF4y2Ba CMOS运算跨阻放大器的模拟信号处理gydF4y2Ba 微电子学杂志gydF4y2Ba 1999年gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 235年gydF4y2Ba 245年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0033089646gydF4y2Ba 可能性gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba OzoguzgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba CicekoglugydF4y2Ba O。gydF4y2Ba AcargydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 电流型全通滤波器使用电流差分缓冲放大器和一个新的高品质因数带通滤波器配置gydF4y2Ba IEEE电路和系统IIgydF4y2Ba 2000年gydF4y2Ba 47gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 949年gydF4y2Ba 954年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0034270921gydF4y2Ba 10.1109/82.868465gydF4y2Ba 罗gydF4y2Ba Y.-K。gydF4y2Ba 简gydF4y2Ba H.-C。gydF4y2Ba 使用其它电流型单稳态多谐振荡器gydF4y2Ba IEEE电路和系统IIgydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 53gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 1274年gydF4y2Ba 1278年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 34547313794gydF4y2Ba 10.1109 / TCSII.2006.882361gydF4y2Ba SalamagydF4y2Ba k . N。gydF4y2Ba 苏gydF4y2Ba a . M。gydF4y2Ba 小说振荡器使用操作跨阻放大器gydF4y2Ba 微电子学杂志gydF4y2Ba 2000年gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba 47gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0033897292gydF4y2Ba 10.1016 / s0026 - 2692 (99) 00087 - 7gydF4y2Ba 凸轮gydF4y2Ba U。gydF4y2Ba 小说single-resistance-controlled正弦波振荡器采用单一操作跨阻放大器gydF4y2Ba 模拟集成电路和信号处理gydF4y2Ba 2002年gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 183年gydF4y2Ba 186年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0036691563gydF4y2Ba 10.1023 /:1019586328253gydF4y2Ba PandeygydF4y2Ba R。gydF4y2Ba PandeygydF4y2Ba N。gydF4y2Ba 库马尔gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba SolankigydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 一本小说为基础的一部分与非交互式控制振荡器gydF4y2Ba 程序的计算机和通信技术国际会议(ICCCT 10)gydF4y2Ba 2010年9月gydF4y2Ba 658年gydF4y2Ba 660年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 78650526290gydF4y2Ba 10.1109 / ICCCT.2010.5640448gydF4y2Ba KilincgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 凸轮gydF4y2Ba U。gydF4y2Ba Cascadable allpass和切口过滤器采用单一操作跨阻放大器gydF4y2Ba 电脑和电子工程gydF4y2Ba 2005年gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 391年gydF4y2Ba 401年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 29144436702gydF4y2Ba 10.1016 / j.compeleceng.2005.06.001gydF4y2Ba PandeygydF4y2Ba R。gydF4y2Ba BothragydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 使用操作trans-resistance放大器多相正弦振荡器gydF4y2Ba 《IEEE工业电子产品和应用研讨会上(ISIEA ' 09)gydF4y2Ba 2009年10月gydF4y2Ba 371年gydF4y2Ba 376年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 76449122001gydF4y2Ba 10.1109 / ISIEA.2009.5356432gydF4y2Ba JaiklagydF4y2Ba W。gydF4y2Ba SilapangydF4y2Ba P。gydF4y2Ba SiripruchyanungydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 一个简单的使用只有CCCDBAs和接地电容正交振荡器gydF4y2Ba 程序的通信和信息技术国际研讨会(ISCIT ' 07)gydF4y2Ba 2007年10月gydF4y2Ba 234年gydF4y2Ba 237年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 46749128231gydF4y2Ba 10.1109 / ISCIT.2007.4392020gydF4y2Ba MetingydF4y2Ba B。gydF4y2Ba 朋友gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba CicekoglugydF4y2Ba O。gydF4y2Ba 全通滤波器使用DDCC MOSFET-based电子电阻gydF4y2Ba 国际期刊的电路理论和应用程序gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba 881年gydF4y2Ba 891年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 79955978746gydF4y2Ba 10.1002 / cta.682gydF4y2Ba 美国国家半导体公司LM3900数据表gydF4y2Ba 美国国家半导体公司LM359数据表gydF4y2Ba 陈gydF4y2Ba j j。gydF4y2Ba 曹gydF4y2Ba H.-W。gydF4y2Ba 刘gydF4y2Ba 机票的。gydF4y2Ba 赵gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba 使用操作跨阻放大器Parasitic-capacitance-insensitive电流型过滤器gydF4y2Ba IEE诉讼:电路、设备和系统gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 142年gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 186年gydF4y2Ba 192年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0029328045gydF4y2Ba 10.1049 / ip-cds: 19951950gydF4y2Ba Abuelma 'attigydF4y2Ba m . T。gydF4y2Ba 基于两个最小组件CCII RC振荡器gydF4y2Ba IEEE电路和系统gydF4y2Ba 1987年gydF4y2Ba 34gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba 980年gydF4y2Ba 981年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0023401336gydF4y2Ba 马丁内斯gydF4y2Ba p。gydF4y2Ba CelmagydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 萨瓦德尔gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 与电流反馈放大器设计正弦振荡器gydF4y2Ba 国际电子杂志gydF4y2Ba 1996年gydF4y2Ba 80年gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 637年gydF4y2Ba 646年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0030148266gydF4y2Ba 吴gydF4y2Ba D.-S。gydF4y2Ba 刘gydF4y2Ba 机票的。gydF4y2Ba 黄gydF4y2Ba Y.-S。gydF4y2Ba 吴gydF4y2Ba Y.-P。gydF4y2Ba 多相正弦波振荡器使用第二代电流传送机gydF4y2Ba 国际电子杂志gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 78年gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 645年gydF4y2Ba 651年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0029292074gydF4y2Ba 模拟设备AD844AN数据表gydF4y2Ba 黑斯廷斯gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 模拟布局的艺术gydF4y2Ba 2001年gydF4y2Ba 新泽西,新泽西,美国gydF4y2Ba 新世纪gydF4y2Ba 冈萨雷斯gydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 振荡器电路设计的基础gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 诺伍德,美国质量gydF4y2Ba Artech房子gydF4y2Ba