亚太经合组织gydF4y2Ba
主动和被动电子元件gydF4y2Ba
1563 - 5031gydF4y2Ba
0882 - 7516gydF4y2Ba
Hindawi出版公司gydF4y2Ba
971936年gydF4y2Ba
10.1155 / 2013/971936gydF4y2Ba
971936年gydF4y2Ba
研究文章gydF4y2Ba
使用单一VD-DIBA Single-Resistance-Controlled正弦波振荡器gydF4y2Ba
普什卡gydF4y2Ba
k . L。gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
0000-0003-3677-7455gydF4y2Ba
普拉萨德gydF4y2Ba
书中gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
KeskingydF4y2Ba
阿里乌米特gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
电子与通信工程系gydF4y2Ba
王公Agrasen理工学院gydF4y2Ba
罗西尼gydF4y2Ba
新德里110086年gydF4y2Ba
印度gydF4y2Ba
mait.ac.ingydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
电子与通信工程系gydF4y2Ba
F / O工程和技术gydF4y2Ba
Jamia Millia IslamiagydF4y2Ba
哈福纳加尔gydF4y2Ba
新德里110025年gydF4y2Ba
印度gydF4y2Ba
jmi.ac.ingydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
16gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
17gydF4y2Ba
01gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
27gydF4y2Ba
03gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
版权©2013 K。l .普什卡等。gydF4y2Ba
这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2Ba
本文提出了一种新的single-resistance-controlled正弦波振荡器(SRCO)。该振荡器使用只有一个电压差分微分输入缓冲放大器(VD-DIBA),两个电阻,两个接地电容器。该配置提供以下优势特点:(i)独立的振荡条件和振荡频率的控制,(2)主动和被动敏感性低,和(3)一个很好的频率稳定。的有效性提出SRCO已经建立了通过香料模拟使用0.35gydF4y2Ba
μgydF4y2Bam MIETEC技术。gydF4y2Ba
1。介绍gydF4y2Ba
实现振荡器和有源滤波器模拟电路设计中已成为重要的研究领域。最近,各种现代化的积极构建模块介绍了gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba],VD-DIBA就是其中之一,正在成为一种非常灵活和通用的构件模拟信号处理和早些时候已经用于实现一些功能。Single-resistance-controlled正弦振荡器(SRCOs)发挥重要作用在控制系统中,信号处理、通信和仪表和测量系统gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba]。SRCOs雇佣不同的积极构建块吸引了相当多的研究者的注意由于他们几个优势传统op-amp-based SRCOs;参见[gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
15gydF4y2Ba)和参考引用。应用、优势和实用性的VD-DIBA现在已经承认在一阶全通滤波器的实现,在模拟电感和实现正弦波振荡器(gydF4y2Ba
16gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba
18gydF4y2Ba]。然而,最好的知识和信仰的作家,没有使用单一SRCOs VD-DIBA迄今为止尚未在文献中提出。因此,本文的目的是提出一个新的SRCO使用单一VD-DIBA连同最少四个被动组件的数量。提出配置提供了(我)独立控制的振荡条件和振荡频率,(ii)主动和被动敏感性低,和(3)一个很好的频率稳定。提出的可加工性SRCO已经建立了通过香料模拟使用0.35gydF4y2Ba
μgydF4y2Bam MIETEC技术。gydF4y2Ba
2。新的振荡器配置gydF4y2Ba
的原理图符号和行为模型VD-DIBA数据所示gydF4y2Ba
1(一)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
1 (b)gydF4y2Ba,分别。模型包括两个来源:控制差动电压控制的电流源gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
,跨导gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
和差动电压控制的电压源gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
电压增益,团结。VD-DIBA可以描述下列方程组:gydF4y2Ba
(1)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
wgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
vgydF4y2Ba
我gydF4y2Ba
wgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
图的常规电路分析gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba收益率以下特征方程:gydF4y2Ba
(2)gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
因此,振荡的条件(CO)和频率的振荡(FO)gydF4y2Ba
(3)gydF4y2Ba
有限公司:gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
≤gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
(4)gydF4y2Ba
:gydF4y2Ba
fgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
πgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
因此,看到佛是独立可控的电阻器gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
并控制的公司gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
(一)原理图符号和(b) VD-DIBA的行为模型。gydF4y2Ba
![]()
![]()
该配置。gydF4y2Ba
![]()
3所示。频率稳定度分析gydF4y2Ba
频率稳定度可能被认为是一个重要的品质因数的振荡器。被定义为的频率稳定性因素gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
ϕgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
ugydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
dgydF4y2Ba
ugydF4y2Ba
,在那里gydF4y2Ba
ugydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
是归一化频率,gydF4y2Ba
ϕgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
ugydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
代表开环传递函数的相位函数的振荡器电路gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
;gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
拟定SRCO发现gydF4y2Ba
(5)gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
FgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
≈gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
为gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
≫gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
因此,对于更大的值gydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
,振荡器享有非常好的频率稳定度。gydF4y2Ba
4所示。不理想的分析和灵敏度性能gydF4y2Ba
让gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
表示的寄生电阻和寄生电容gydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
VD-DIBA的终端。考虑的nonidealities,即电压gydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
终端gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
WgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
,在那里gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
εgydF4y2Ba
pgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
εgydF4y2Ba
pgydF4y2Ba
≪gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
和gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
εgydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
εgydF4y2Ba
ngydF4y2Ba
≪gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
表示的电压跟踪误差gydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
终端和gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
终端的VD-DIBA分别,那么公司和FO的表达式gydF4y2Ba
(6)gydF4y2Ba
有限公司:gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
≤gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
(7)gydF4y2Ba
:gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
左边的gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)所示的组件值部分gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba原来是−0.812依照(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)(< 0)。另一方面,当左边的(gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba)使用组件和寄生值计算部分gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba,它是−0.7992。因此,看到两个值非常接近这些数值的例子;它可以推断出,通过考虑gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
≫gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
≪gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
,(gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba)成为gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
≤gydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
这表明,(gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba)几乎是一样的(gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)。gydF4y2Ba
主动和被动的敏感性可以找到gydF4y2Ba
(8)gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
(9)gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
{gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
(gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
/gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
)gydF4y2Ba
}gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
在理想的情况下,各种敏感性的FO对gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
被发现是gydF4y2Ba
(10)gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
考虑到各种寄生的典型值,例如,gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.81gydF4y2Ba
pF,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
zgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
53gydF4y2Ba
kΩ,gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
随着gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.01gydF4y2Ba
nF,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
kΩ,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
9.5gydF4y2Ba
发现kΩ,各种敏感性gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.4625gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.5gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.03747gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.3681gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.5gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
ZgydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.132gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
+gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.17925gydF4y2Ba
,gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba
βgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
ωgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.0896gydF4y2Ba
这些都是低的。gydF4y2Ba
5。仿真结果gydF4y2Ba
证实理论分析,提出SRCO模拟使用CMOS VD-DIBA(如图gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba)。被选为被动元素gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
CgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
0.01gydF4y2Ba
nF,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
KΩ,gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
9.5gydF4y2Ba
KΩ。的跨导VD-DIBA被偏置电压控制gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
BgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
。PSPICE-generated输出波形表明瞬态和稳态响应数据所示gydF4y2Ba
4(一)gydF4y2Ba和gydF4y2Ba
4 (b)gydF4y2Ba,分别。这些结果,因此,证实该配置的有效性。图gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba显示了输出光谱,总谐波失真(THD)是2.77%。图gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba显示了频率的变化与阻力gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
。比较与其他先前已知SRCOs使用不同的积极构建块已在表gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
提出了CMOS实现VD-DIBA;gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
DDgydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
党卫军gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
V,gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
BgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.44gydF4y2Ba
V,gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
BgydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
BgydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.22gydF4y2Ba
V,gydF4y2Ba
VgydF4y2Ba
BgydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
=gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
0.9gydF4y2Ba
V。gydF4y2Ba
![]()
(一)瞬态输出波形。(b)输出的稳态响应。gydF4y2Ba
![]()
![]()
仿真结果输出的频谱。gydF4y2Ba
![]()
频率的变化与阻力gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
。gydF4y2Ba
![]()
CMOS VD-DIBA使用0.35实现gydF4y2Ba
μgydF4y2Bam MIETEC真正的晶体管模型中列出的盒子gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
<大胆>盒1 < /大胆>gydF4y2Ba
得閒N NMOS (= 3gydF4y2Ba
托克斯=gydF4y2Ba
7.9gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba
NSUB =gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
17gydF4y2Ba
γ= 0.5827871gydF4y2Ba
φ= 0.7gydF4y2Ba
VTO = 0.5445549gydF4y2Ba
δ= 0gydF4y2Ba
UO = 436.256147gydF4y2Ba
η= 0gydF4y2Ba
θ= 0.1749684gydF4y2Ba
KP =gydF4y2Ba
2.055786gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
VMAX =gydF4y2Ba
8.309444gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
k = 0.2574081gydF4y2Ba
RSH = 0.0559398gydF4y2Ba
NFS =gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
12gydF4y2Ba
TPG = 1gydF4y2Ba
XJ =gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
LD =gydF4y2Ba
3.162278gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
11gydF4y2Ba
WD =gydF4y2Ba
7.046724gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba
CGDO =gydF4y2Ba
2.82gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
CGSO =gydF4y2Ba
2.82gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
CGBO = 1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
CJ =gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
PB = 0.9758533gydF4y2Ba
乔丹= 0.3448504gydF4y2Ba
CJSW =gydF4y2Ba
3.777852gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
MJSW = 0.3508721)gydF4y2Ba
得閒P pmo (= 3gydF4y2Ba
托克斯=gydF4y2Ba
7.9gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba
NSUB =gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
17gydF4y2Ba
γ= 0.4083894gydF4y2Ba
φ= 0.7gydF4y2Ba
VTO =−0.7140674gydF4y2Ba
δ= 0gydF4y2Ba
UO = 212.2319801gydF4y2Ba
η=gydF4y2Ba
9.999762gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
θ= 0.2020774gydF4y2Ba
KP =gydF4y2Ba
6.733755gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
VMAX =gydF4y2Ba
1.181551gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
k = 1.5gydF4y2Ba
RSH = 30.0712458gydF4y2Ba
NFS =gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
12gydF4y2Ba
TPG =gydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
XJ =gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
LD =gydF4y2Ba
5.000001gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
13gydF4y2Ba
WD =gydF4y2Ba
1.249872gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
CGDO =gydF4y2Ba
3.09gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
CGSO =gydF4y2Ba
3.09gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
CGBO =gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
CJ =gydF4y2Ba
1.419508gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
PB = 0.8152753gydF4y2Ba
乔丹= 0.5gydF4y2Ba
CJSW =gydF4y2Ba
4.813504gydF4y2Ba
EgydF4y2Ba
- - - - - -gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba
MJSW = 0.5)gydF4y2Ba
纵横比的晶体管用于图gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba给出了在表gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba。gydF4y2Ba
| 晶体管gydF4y2Ba |
WgydF4y2Ba/gydF4y2Ba
lgydF4y2Ba(µm)gydF4y2Ba |
| 米gydF4y2Ba1gydF4y2Ba- mgydF4y2Ba6gydF4y2Ba |
14/1gydF4y2Ba |
| 米gydF4y2Ba7gydF4y2Ba- mgydF4y2Ba9gydF4y2Ba |
14/0.35gydF4y2Ba |
| 米gydF4y2Ba10gydF4y2Ba- mgydF4y2Ba18gydF4y2Ba |
4/1gydF4y2Ba |
| 米gydF4y2Ba19gydF4y2Ba- mgydF4y2Ba22gydF4y2Ba |
7/0.35gydF4y2Ba |
| 参考gydF4y2Ba |
活性成分(s)gydF4y2Ba |
接地gydF4y2Ba电容器gydF4y2Ba |
浮动电容gydF4y2Ba |
电阻gydF4y2Ba |
CO和FO独立可控gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
9gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
4gydF4y2Ba |
没有gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
10gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
11gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
3/2gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
12gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1(几乎接地)gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
是的(仅在第二拓扑表中gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba)gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
13gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1(几乎接地)gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
3gydF4y2Ba |
没有gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
14gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
18gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| (gydF4y2Ba
15gydF4y2Ba]gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
| 提出了gydF4y2Ba |
1gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
0gydF4y2Ba |
2gydF4y2Ba |
是的gydF4y2Ba |
6。结论gydF4y2Ba
最近引入的一个新的应用程序提出了实现SRCO VD-DIBA。提出配置使用最低可能许多被动的元素(即两个电阻和两个接地电容),但提供FO通过电阻器的独立控制gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
通过跨导和COgydF4y2Ba
ggydF4y2Ba
米gydF4y2Ba
(因此,电路有限公司)的电子控制,主动和被动敏感性低,和一个非常好的频率稳定。本文因此增加了一个新的应用电路VD-DIBA-based现有剧目的应用电路。gydF4y2Ba
[
BiolekgydF4y2Ba
D。gydF4y2Ba
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
BiolkovagydF4y2Ba
V。gydF4y2Ba
KolkagydF4y2Ba
Z。gydF4y2Ba
活跃的元素模拟信号处理:分类、评论,和新建议gydF4y2Ba
无线电工程gydF4y2Ba
2008年gydF4y2Ba
17gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
15gydF4y2Ba
32gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 67649214831gydF4y2Ba
]
[
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
新类型的正弦波振荡器gydF4y2Ba
IEEE仪表和测量gydF4y2Ba
1985年gydF4y2Ba
34gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
461年gydF4y2Ba
463年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0022117487gydF4y2Ba
]
[
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
单运放正弦振荡器适合代的频率很低gydF4y2Ba
IEEE仪表和测量gydF4y2Ba
1991年gydF4y2Ba
40gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
777年gydF4y2Ba
779年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0026203021gydF4y2Ba
10.1109/19.85353gydF4y2Ba
]
[
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
新CFOA-based single-element-controlled正弦振荡器gydF4y2Ba
IEEE仪表和测量gydF4y2Ba
2006年gydF4y2Ba
55gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
2014年gydF4y2Ba
2021年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 33947308587gydF4y2Ba
10.1109 / TIM.2006.884139gydF4y2Ba
]
[
辛格gydF4y2Ba
诉K。gydF4y2Ba
沙玛gydF4y2Ba
r·K。gydF4y2Ba
辛格gydF4y2Ba
答:K。gydF4y2Ba
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
两个新的轮唱的single-CFOA振荡器与单电阻控制gydF4y2Ba
IEEE电路和系统IIgydF4y2Ba
2005年gydF4y2Ba
52gydF4y2Ba
12gydF4y2Ba
860年gydF4y2Ba
864年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 30344432078gydF4y2Ba
10.1109 / TCSII.2005.853964gydF4y2Ba
]
[
CelmagydF4y2Ba
年代。gydF4y2Ba
马丁内斯gydF4y2Ba
p。gydF4y2Ba
CarlosenagydF4y2Ba
一个。gydF4y2Ba
最小实现对单个电阻控制使用单一CCII正弦波振荡器gydF4y2Ba
电子信件gydF4y2Ba
1992年gydF4y2Ba
28gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
443年gydF4y2Ba
444年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0026817725gydF4y2Ba
]
[
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
新current-conveyor-based single-resistance-controlled /压控振荡器采用接地电容器gydF4y2Ba
电子信件gydF4y2Ba
1993年gydF4y2Ba
29日gydF4y2Ba
7gydF4y2Ba
612年gydF4y2Ba
614年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0027580815gydF4y2Ba
]
[
李gydF4y2Ba
c . T。gydF4y2Ba
王gydF4y2Ba
h . Y。gydF4y2Ba
最低实现FTFN-based SRCOgydF4y2Ba
电子信件gydF4y2Ba
2001年gydF4y2Ba
37gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba
1207年gydF4y2Ba
1208年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0035959739gydF4y2Ba
10.1049 / el: 20010856gydF4y2Ba
]
[
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
Grounded-capacitor SRCO仅使用一个PFTFNgydF4y2Ba
电子信件gydF4y2Ba
2002年gydF4y2Ba
38gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba
1156年gydF4y2Ba
1157年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0037179910gydF4y2Ba
10.1049 / el: 20020839gydF4y2Ba
]
[
古普塔gydF4y2Ba
美国年代。gydF4y2Ba
SenanigydF4y2Ba
R。gydF4y2Ba
电流型SRCO Grounded-capacitor:小说DVCCC的应用gydF4y2Ba
电子信件gydF4y2Ba
2000年gydF4y2Ba
36gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
195年gydF4y2Ba
196年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0034598676gydF4y2Ba
10.1049 / el: 20000240gydF4y2Ba
]
[
AggarwalgydF4y2Ba
V。gydF4y2Ba
KilincgydF4y2Ba
年代。gydF4y2Ba
凸轮gydF4y2Ba
U。gydF4y2Ba
使用单个DVCCC最小组件SRCO和视频振荡器gydF4y2Ba
模拟集成电路和信号处理gydF4y2Ba
2006年gydF4y2Ba
49gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
181年gydF4y2Ba
185年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 33749994751gydF4y2Ba
10.1007 / s10470 - 006 - 9364 - 2gydF4y2Ba
]
[
OzcangydF4y2Ba
年代。gydF4y2Ba
可能性gydF4y2Ba
一个。gydF4y2Ba
AcargydF4y2Ba
C。gydF4y2Ba
KuntmangydF4y2Ba
H。gydF4y2Ba
CicekoģlugydF4y2Ba
O。gydF4y2Ba
单一resistance-controlled正弦振荡器采用电流差分缓冲放大器gydF4y2Ba
微电子学杂志gydF4y2Ba
2000年gydF4y2Ba
31日gydF4y2Ba
3gydF4y2Ba
169年gydF4y2Ba
174年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0033875138gydF4y2Ba
10.1016 / s0026 - 2692 (99) 00113 - 5gydF4y2Ba
]
[
凸轮gydF4y2Ba
U。gydF4y2Ba
小说single-resistance-controlled正弦波振荡器采用单一操作跨阻放大器gydF4y2Ba
模拟集成电路和信号处理gydF4y2Ba
2002年gydF4y2Ba
32gydF4y2Ba
2gydF4y2Ba
183年gydF4y2Ba
186年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 0036691563gydF4y2Ba
10.1023 /:1019586328253gydF4y2Ba
]
[
普拉萨德gydF4y2Ba
D。gydF4y2Ba
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
辛格gydF4y2Ba
答:K。gydF4y2Ba
实现single-resistance-controlled正弦波振荡器:CDTA的一个新的应用程序gydF4y2Ba
圆柱电子交易gydF4y2Ba
2008年gydF4y2Ba
5gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
257年gydF4y2Ba
259年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 59249107761gydF4y2Ba
]
[
BiolekgydF4y2Ba
D。gydF4y2Ba
KeskingydF4y2Ba
答:U。gydF4y2Ba
BiolkovagydF4y2Ba
V。gydF4y2Ba
接地电容电流模式单一resistance-controlled振荡器使用单一修改电流差分跨导放大器gydF4y2Ba
专业电路、设备和系统gydF4y2Ba
2010年gydF4y2Ba
4gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
496年gydF4y2Ba
502年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 78149396071gydF4y2Ba
10.1049 / iet-cds.2009.0330gydF4y2Ba
]
[
BiolekgydF4y2Ba
D。gydF4y2Ba
BiolkovagydF4y2Ba
V。gydF4y2Ba
一阶电压型全通滤波器雇佣一个有源元件和一个接地电容器gydF4y2Ba
模拟集成电路和信号处理gydF4y2Ba
2010年gydF4y2Ba
65年gydF4y2Ba
1gydF4y2Ba
123年gydF4y2Ba
129年gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 77956782787gydF4y2Ba
10.1007 / s10470 - 009 - 9435 - 2gydF4y2Ba
]
[
普拉萨德gydF4y2Ba
D。gydF4y2Ba
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
普什卡gydF4y2Ba
k . L。gydF4y2Ba
实现新的电子控制和浮动模拟电感电路接地使用电压差分微分输入缓冲放大器gydF4y2Ba
主动和被动电子元件gydF4y2Ba
2011年gydF4y2Ba
2011年gydF4y2Ba
8gydF4y2Ba
2 - s2.0 - 79959969141gydF4y2Ba
10.1155 / 2011/101432gydF4y2Ba
101432年gydF4y2Ba
]
[
普拉萨德gydF4y2Ba
D。gydF4y2Ba
BhaskargydF4y2Ba
d·R。gydF4y2Ba
普什卡gydF4y2Ba
k . L。gydF4y2Ba
电子控制正弦波振荡器采用CMOS VD-DIBAsgydF4y2Ba
ISRN电子gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
2013年gydF4y2Ba
6gydF4y2Ba
823630年gydF4y2Ba
10.1155 / 2013/823630gydF4y2Ba
]