亚太经合组织gydF4y2Ba 主动和被动电子元件gydF4y2Ba 1563 - 5031gydF4y2Ba 0882 - 7516gydF4y2Ba Hindawi出版公司gydF4y2Ba 901076年gydF4y2Ba 10.1155 / 2012/901076gydF4y2Ba 901076年gydF4y2Ba 研究文章gydF4y2Ba 退火时间对性能的影响与ZrO OTFT的玻璃gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba作为闸极介电层gydF4y2Ba 唐gydF4y2Ba w·M。gydF4y2Ba 1、2gydF4y2Ba HelandergydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 他一一gydF4y2Ba m . T。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 陆gydF4y2Ba z H。gydF4y2Ba 1、3gydF4y2Ba NggydF4y2Ba w·T。gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 攒gydF4y2Ba 萧W。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 材料科学与工程系gydF4y2Ba 多伦多大学gydF4y2Ba 学院街184号gydF4y2Ba 多伦多gydF4y2Ba 在gydF4y2Ba 加拿大gydF4y2Ba m5 3 e4gydF4y2Ba utoronto.cagydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 电子与计算机工程系gydF4y2Ba 多伦多大学gydF4y2Ba 国王学院10路gydF4y2Ba 多伦多gydF4y2Ba 在gydF4y2Ba 加拿大gydF4y2Ba m5 3 g4gydF4y2Ba utoronto.cagydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 物理系gydF4y2Ba 云南大学gydF4y2Ba 2 Cuihu BeilugydF4y2Ba 云南gydF4y2Ba 昆明650091gydF4y2Ba 中国gydF4y2Ba ynu.edu.cngydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba 07年gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba 06gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba 2012年gydF4y2Ba 版权©2012 W。m . et al。gydF4y2Ba 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2Ba

铜phthalocyanine-based有机薄膜晶体管(OTFTs)与氧化锆(ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba)作为闸极介电层玻璃基板上制作。闸极介电层退火在NgydF4y2Ba2gydF4y2Ba在不同的时间(5、15、40和60分钟)调查的影响退火时间OTFTs的电气性能。实验结果表明,OTFT退火时间越长,性能越好。在设备研究,OTFTs闸极介电层退火在350°C NgydF4y2Ba2gydF4y2Ba60分钟表现出最佳的设备性能。他们有一个较小的阈值电压−0.58 V,低阈下的斜率为0.8 V / 10年,当前0.73 nA和低断开状态。这些特征表明,制造设备适用于低压和低功耗操作。相比,5分钟的TFT样品退火,退火60分钟高出20%的流动性和小近两倍的阈下的斜率和断开的电流。延长退火能有效减少high-k电影和产生一个更好的绝缘子缺陷/有机界面。这将导致低的载流子散射和大CuPc谷物运输载体。gydF4y2Ba

 1。介绍gydF4y2Ba

由于重量轻、机械的灵活性和低成本制造、有机薄膜晶体管(OTFTs)有广泛的应用,如传感器、平板显示器和RFID标签(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba]。第一个OTFT基于有机半导体polythiophene是在1986年报道的(gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba]。重掺杂硅基质通常用于制造OTFT的传导性能好,可以作为门的设备。此外,高品质的闸极介电层SiOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba可以直接热生长在硅衬底上。然而,对于下一代的OTFTs和氧化物日前捏造的玻璃或塑料基板,金属栅电极是必要的。通过捏造OTFTs软塑料基板,是一个潜在的未来生产上卷显示器可以集成到一个小装置如一支笔。有三个主要类型的介质用于OTFTs:无机介质、聚合物电介质,自组装层。对于无机介电材料,二氧化硅是常用的OTFT的门口绝缘子。然而,这种OTFT需要相对较高的电压(100 V)操作。为了降低操作电压,因此功耗high-k材料通常是用作OTFTs闸极介电层。几个high-k电介质被用来制造OTFT,例如,高频振荡器gydF4y2Ba2gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba),阿尔gydF4y2Ba2gydF4y2BaOgydF4y2Ba3gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba),TiOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba),助教gydF4y2Ba2gydF4y2BaOgydF4y2Ba5gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba],BaTiOgydF4y2Ba3gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba]。有机晶体管的性能很大程度上取决于门的质量绝缘子,绝缘子/有机界面形态的有机薄膜,和电荷注入的过程。有必要开发一个合适的和高质量的门绝缘子用适当的形态实现平滑绝缘子/有机界面。的as-deposited high-k电影通常松散,含有杂质和氧空位等缺陷,氧气插页式广告,和/或缺氧(gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba]。这些缺陷和杂质会导致瞬态电荷俘获high-k电介质和泄漏电流(gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba]。各种表面钝化方法被开发出来以达到高质量high-k OTFTs,退火等紫外(UV)臭氧和氮化气体、表面处理与octadecyltrichlorosilane (OTS)、有机玻璃(PMMA),聚醋酸乙烯酯和离子束辐照,使用堆栈绝缘子的结构。在这项研究中,其中一个最有前途的high-k介质广泛应用,氧化锆(ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba),作为闸极介电层。ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba是一种稳定的金属氧化物具有高介电常数(~ 15 - 25)gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba)和一个大带隙(5.8 eV)。据报道,ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba泄漏电流(最低gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba]。此外,它是一种很有前途的材料制造的大面积柔性显示,因为ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba电影可以是透明的和有良好的附着力和塑料基板gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba]。ZrO的影响gydF4y2Ba2gydF4y2Ba退火处理时间在氮气环境CuPc-based有机薄膜晶体管的电特性研究。设备的电气和物理特性。gydF4y2Ba

 2。实验的细节gydF4y2Ba

康宁2947玻璃基板(25×25毫米gydF4y2Ba2gydF4y2Ba)被用于这项研究,因为它们是机械稳定,成本低,与大面积应用,如等离子电视兼容。基质是清洁的标准团Alconox,丙酮,甲醇,和去离子水紫外线臭氧治疗15分钟紧随其后。基板被加载到一个溅射室底面压力为2.5×10gydF4y2Ba−6gydF4y2Ba托。150纳米厚铝门然后放置在室温沉积速率为0.4 /秒。一个40 nm厚ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba当时的溅射沉积锆目标(纯度99.95%)的功率在混合Ar 130 W / OgydF4y2Ba2gydF4y2Ba环境(Ar OgydF4y2Ba2gydF4y2Ba率= 4:1)。沉积期间燃烧室压力为5.67毫托。然后样品进行退火在电炉在350°C NgydF4y2Ba2gydF4y2Ba对于不同的持续时间(0分钟,5分钟,15分钟,40分钟,和60分钟)。一层40 nmgydF4y2Ba pgydF4y2Ba型半导体,铜酞菁(CuPc)然后通过真空蒸发沉积有图案的影子在室温下面具。CuPc是一个稳定和有前途的gydF4y2Ba pgydF4y2Ba类型有机半导体与主要航空公司收费漏洞。它可以很容易地获得大量和纯度高,因此特别有吸引力的低成本应用于染料加工、化学传感器和光学数据存储(gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba]。源和漏黄金垫,50 nm厚,然后沉积在有机层的顶部通过热蒸发不锈钢面具通道长度gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 36gydF4y2Ba μgydF4y2Bam和通道宽度gydF4y2Ba WgydF4y2Ba 961年gydF4y2Ba μgydF4y2Bam。OTFT的截面结构如图gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba。电流电压(gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba )的特点是由一个惠普4155 a测量半导体参数分析。所有被测量在室温下探针台的环境氛围。原子力显微镜(3100年Veeco维度)在开发模式来分析表面形貌、晶粒尺寸和均方根粗糙度的high-k ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba和CuPc电影。gydF4y2Ba

CuPc晶体管的原理图。gydF4y2Ba

 3所示。结果与讨论gydF4y2Ba

图gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba显示的输出特征与ZrO OTFTsgydF4y2Ba2gydF4y2Ba薄膜退火0分钟和60分钟。典型的gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba VgydF4y2Ba dgydF4y2Ba 曲线得到当一个负面的gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 被应用到设备。−3 V的栅电压和漏极电压−4.5 V, ZrO的设备gydF4y2Ba2gydF4y2Ba薄膜退火0分钟77 nA的漏极电流,而一个退火60分钟107 nA的一个更大的漏极电流。OTFT的工作原理是相似的传统gydF4y2Ba pgydF4y2Ba型MOSFET。当前在源极和栅极之间的流动是由栅电压调制gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 。饱和政权的载流子迁移率的设备可以使用以下公式计算:gydF4y2Ba μgydF4y2Ba =gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba lgydF4y2Ba (gydF4y2Ba ∂gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba /gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba /gydF4y2Ba ∂gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba )gydF4y2Ba WgydF4y2Ba CgydF4y2Ba 牛gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba CgydF4y2Ba 牛gydF4y2Ba 是单位绝缘子和电容gydF4y2Ba μgydF4y2Ba 载流子迁移率。图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba显示了转移的特点gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba 与gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 在一个固定的gydF4y2Ba VgydF4y2Ba dgydF4y2Ba −2.5 V的设备。阈下的斜率,gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 对OTFTs,是一个非常重要的参数,因为这可以用来评估OTFTs的开关特性。gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 被定义为gydF4y2Ba ∂gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba /gydF4y2Ba ∂gydF4y2Ba 日志ydF4y2Ba ggydF4y2Ba 10gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba )gydF4y2Ba 评估最陡的坡的阴谋。从gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 最大密度的表面状态gydF4y2Ba NgydF4y2Ba 马克斯gydF4y2Ba 在有机半导体/介质界面可以估计gydF4y2Ba NgydF4y2Ba 马克斯gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba =gydF4y2Ba (gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba 日志gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba ⁡gydF4y2Ba (gydF4y2Ba egydF4y2Ba )gydF4y2Ba (gydF4y2Ba kgydF4y2Ba TgydF4y2Ba /gydF4y2Ba 问gydF4y2Ba )gydF4y2Ba - - - - - -gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba ]gydF4y2Ba CgydF4y2Ba ogydF4y2Ba 问gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba 问gydF4y2Ba 是电子电荷,gydF4y2Ba kgydF4y2Ba 波尔兹曼常数,gydF4y2Ba TgydF4y2Ba 在开尔文温度。gydF4y2Ba

输出特性曲线与ZrO OTFTsgydF4y2Ba2gydF4y2Ba闸极介电层退火在NgydF4y2Ba2gydF4y2Ba(一)0分钟,(b) 60分钟。gydF4y2Ba

传输特性曲线与ZrO OTFTsgydF4y2Ba2gydF4y2Ba闸极介电层为各种时间退火。gydF4y2Ba

设备的重要参数提取总结了晶体管特性表gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba。发现的表演OTFTs包括流动性、阈下斜坡,表面态密度,断开的电流gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 从gydF4y2Ba 改善与退火时间。这应该是由于这一事实OTFT退火在更长时期内可以有密集的ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba电影和一个厚界面层(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba]interface-trap密度较低的压制与high-k材料相关的泄漏。此外,长时间退火可以消除更多的深陷阱,ZrO氧化指控,不饱和键gydF4y2Ba2gydF4y2Ba介质,从而导致显著减少gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba ,gydF4y2Ba NgydF4y2Ba 马克斯gydF4y2Ba 和gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba 从gydF4y2Ba 。据报道,电介质表面粗糙度会影响OTFT的性能(gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba]。图gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba显示了ZrO的AFM图像gydF4y2Ba2gydF4y2Ba电影与不同退火时间。发现延长退火时间从0分钟到60分钟可以减少闸极介电层表面粗糙度(9%来衡量使用AFM)。这可能有助于减少陷阱,界面缺陷,表面散射载流子导致更高的机动性和较小的阈下斜坡。顺畅的绝缘子表面也更有利于更好的质量有机薄膜的生长导致更大的谷物CuPc电影ZrO表面生长gydF4y2Ba2gydF4y2Ba大(~ 9%)。这降低了晶界的传导渠道提高移动设备的(gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 22gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

OTFTs的设备参数。gydF4y2Ba

0分钟gydF4y2Ba 5分钟gydF4y2Ba 15分钟gydF4y2Ba 40分钟gydF4y2Ba 60分钟gydF4y2Ba
μgydF4y2Ba (×10gydF4y2Ba−3gydF4y2Ba厘米gydF4y2Ba2gydF4y2Ba/ Vs)gydF4y2Ba 1.19gydF4y2Ba 1.21gydF4y2Ba 1.23gydF4y2Ba 1.31gydF4y2Ba 1.43gydF4y2Ba
年代gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba (V / 10)gydF4y2Ba 1.53gydF4y2Ba 1.45gydF4y2Ba 1.11gydF4y2Ba 1.03gydF4y2Ba 0.8gydF4y2Ba
我gydF4y2Ba 从gydF4y2Ba (nA)gydF4y2Ba 2.59gydF4y2Ba 1.73gydF4y2Ba 1.39gydF4y2Ba 0.76gydF4y2Ba 0.73gydF4y2Ba
NgydF4y2Ba 马克斯gydF4y2Ba (×10gydF4y2Ba13gydF4y2Ba厘米gydF4y2Ba−2gydF4y2Ba)gydF4y2Ba 6.89gydF4y2Ba 6.51gydF4y2Ba 4.92gydF4y2Ba 4.54gydF4y2Ba 3.47gydF4y2Ba

AFM图像(2的扫描区域gydF4y2Ba μgydF4y2Bam×2gydF4y2Ba μgydF4y2Ba米)的ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba表面与不同退火处理时间:0分钟,15分钟(b)和(c) 60分钟。gydF4y2Ba

 4所示。结论gydF4y2Ba

总之,CuPc-based OTFT在玻璃衬底上high-k ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba栅极绝缘层被伪造和研究。退火时间的影响电气性能的设备。研究表明ZrOgydF4y2Ba2gydF4y2Ba是一个有前途的栅介质材料获取低操作电压和低功耗。实验结果表明,与ZrO OTFTsgydF4y2Ba2gydF4y2Ba闸极介电层退火60分钟流动性高20%,50%较小的阈下斜坡,断开的当前和最大密度较小的50%低72%比退火0分钟表面状态。可能的原因是较长的退火时间可以增强ZrO的致密化gydF4y2Ba2gydF4y2Ba电影,ZrO的介电性能gydF4y2Ba2gydF4y2Ba电影,CuPc / ZrO的质量gydF4y2Ba2gydF4y2Ba接口,导致更少的载体散射和更好的晶粒生长。gydF4y2Ba

 承认gydF4y2Ba

作者要感谢赞助的研究自然科学和工程研究理事会(NSERC)的加拿大,云南省和科技推广项目(批准号2009 ci130和2007 a0017z)。gydF4y2Ba

 马赫gydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 罗德里格斯gydF4y2Ba 美国J。gydF4y2Ba NortrupgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba WiltziusgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 罗杰斯gydF4y2Ba j . A。gydF4y2Ba 单片集成、灵活显示盛行polymer-dispersed液晶驱动的有机薄膜晶体管gydF4y2Ba 应用物理快报gydF4y2Ba 2001年gydF4y2Ba 78年gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba 3592年gydF4y2Ba 3594年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0035806046gydF4y2Ba 10.1063/1.1377312gydF4y2Ba 哈利克gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba KlaukgydF4y2Ba H。gydF4y2Ba ZschieschanggydF4y2Ba U。gydF4y2Ba 施密德gydF4y2Ba G。gydF4y2Ba DehmgydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 舒兹gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba MalschgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba EffenbergergydF4y2Ba F。gydF4y2Ba BrunnbauergydF4y2Ba M。gydF4y2Ba StellaccigydF4y2Ba F。gydF4y2Ba 低压有机晶体管无定形分子闸极介电层gydF4y2Ba 自然gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 431年gydF4y2Ba 7011年gydF4y2Ba 963年gydF4y2Ba 966年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 7244254578gydF4y2Ba 10.1038 / nature02987gydF4y2Ba SomeyagydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 樱井gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 有机场效应晶体管和集成橡胶为人造皮肤应用压力传感器gydF4y2Ba 《IEEE国际电子设备的会议gydF4y2Ba 2003年12月gydF4y2Ba 203年gydF4y2Ba 206年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0842288277gydF4y2Ba TsumuragydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba KoezukagydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 安藤gydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 大分子的电子设备:polythiophene薄膜场效应晶体管gydF4y2Ba 应用物理快报gydF4y2Ba 1986年gydF4y2Ba 49gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba 1210年gydF4y2Ba 1212年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 36549104948gydF4y2Ba 10.1063/1.97417gydF4y2Ba 迟到的gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba ErouelgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba DemangydF4y2Ba a . L。gydF4y2Ba GagnairegydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba TeodorescugydF4y2Ba V。gydF4y2Ba BlanchingydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba CanutgydF4y2Ba B。gydF4y2Ba BaraugydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba ZaharescugydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 有机薄膜晶体管高频振荡器gydF4y2Ba2gydF4y2Bahigh-k闸极介电层增加了阳极氧化或由溶胶-凝胶沉积gydF4y2Ba 微电子的可靠性gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 47gydF4y2Ba 2 - 3gydF4y2Ba 372年gydF4y2Ba 377年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33846571443gydF4y2Ba 10.1016 / j.microrel.2006.01.012gydF4y2Ba 古gydF4y2Ba j·B。gydF4y2Ba LimgydF4y2Ba j·W。gydF4y2Ba 金gydF4y2Ba s . H。gydF4y2Ba 云gydF4y2Ba 美国J。gydF4y2Ba KugydF4y2Ba c . H。gydF4y2Ba LimgydF4y2Ba s . C。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba j . H。gydF4y2Ba 并五苯薄膜晶体管逆变器和plasma-enhanced atomic-layer-depositedgydF4y2Ba2gydF4y2BaOgydF4y2Ba3gydF4y2Ba闸极介电层gydF4y2Ba 薄固体电影gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 515年gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 3132年gydF4y2Ba 3137年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33845920334gydF4y2Ba 10.1016 / j.tsf.2006.08.037gydF4y2Ba 王gydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 摩西gydF4y2Ba D。gydF4y2Ba HeegergydF4y2Ba a·J。gydF4y2Ba 张gydF4y2Ba h . M。gydF4y2Ba 纳史木汗gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba DemaraygydF4y2Ba r·E。gydF4y2Ba 保利(3-hexylthiophene)场效应晶体管具有高介电常数门绝缘子gydF4y2Ba 应用物理杂志gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 95年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 316年gydF4y2Ba 322年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0942268359gydF4y2Ba 10.1063/1.1630693gydF4y2Ba BarticgydF4y2Ba C。gydF4y2Ba 詹森gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba CampitelligydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba BorghsgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 助教gydF4y2Ba2gydF4y2BaOgydF4y2Ba5gydF4y2Ba作为低压有机薄膜晶体管的栅极绝缘层材料gydF4y2Ba 有机电子gydF4y2Ba 2002年gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 65年gydF4y2Ba 72年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0013102366gydF4y2Ba 10.1016 / s1566 - 1199 (02) 00034 - 4gydF4y2Ba HiroshibagydF4y2Ba N。gydF4y2Ba KumashirogydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 一gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba TakenobugydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 埃瓦萨gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba KotanigydF4y2Ba K。gydF4y2Ba KawayamagydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba TonouchigydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 红荧烯单晶外延BaTiO场效应晶体管gydF4y2Ba3gydF4y2Ba高k门绝缘子gydF4y2Ba 应用物理快报gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 89年gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33750020597gydF4y2Ba 10.1063/1.2360207gydF4y2Ba 152110年gydF4y2Ba NahargydF4y2Ba r·K。gydF4y2Ba 辛格gydF4y2Ba V。gydF4y2Ba 沙玛gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 研究微观结构及电气性能的高介电氧化铪薄膜的金属氧化物半导体设备gydF4y2Ba 材料科学杂志gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 615年gydF4y2Ba 619年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 34247153439gydF4y2Ba 10.1007 / s10854 - 006 - 9111 - 6gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba b . H。gydF4y2Ba 首歌gydF4y2Ba s . C。gydF4y2Ba 崔gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 樱桃酒gydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 金属电极/高gydF4y2Ba κgydF4y2Ba电介质gate-stack的电源管理技术gydF4y2Ba IEEE电子设备gydF4y2Ba 2008年gydF4y2Ba 55gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 37749026017gydF4y2Ba 10.1109 / TED.2007.911044gydF4y2Ba 富尔顿gydF4y2Ba C . C。gydF4y2Ba 库克gydF4y2Ba t E。gydF4y2Ba LucovskygydF4y2Ba G。gydF4y2Ba NemanichgydF4y2Ba r . J。gydF4y2Ba ZrO界面不稳定性和电子性质gydF4y2Ba2gydF4y2Ba在硅(100)gydF4y2Ba 应用物理杂志gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 96年gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 2665年gydF4y2Ba 2673年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 4944219625gydF4y2Ba 10.1063/1.1776313gydF4y2Ba 气gydF4y2Ba w·J。gydF4y2Ba NiehgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba b . H。gydF4y2Ba 康gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 全gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 馆gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba NgaigydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 巴纳吉gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba j . C。gydF4y2Ba 使用ZrO MOSCAP和MOSFET特征gydF4y2Ba2gydF4y2Ba直接在Si闸极介电层沉积gydF4y2Ba 《1999年IEEE国际会议设备(IEDM)gydF4y2Ba 1999年12月gydF4y2Ba 145年gydF4y2Ba 148年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0033312228gydF4y2Ba 气gydF4y2Ba w·J。gydF4y2Ba NiehgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba b . H。gydF4y2Ba 馆gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 康gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 全gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba j . C。gydF4y2Ba KaushikgydF4y2Ba V。gydF4y2Ba NeuyengydF4y2Ba b . Y。gydF4y2Ba 您正在gydF4y2Ba lgydF4y2Ba EisenbeisergydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 仪gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 的性能和超细ZrO mosfetgydF4y2Ba2gydF4y2Ba、锆硅酸门电介质gydF4y2Ba 学报2000年研讨会上超大规模集成技术gydF4y2Ba 2000年6月gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba 41gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0033698931gydF4y2Ba 卡茨gydF4y2Ba h·E。gydF4y2Ba 未完成的作品gydF4y2Ba lgydF4y2Ba DodabalapurgydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 合成、材料特性和晶体管的性能高度纯噻吩寡聚物gydF4y2Ba 化学材料gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba 2235年gydF4y2Ba 2237年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33751155255gydF4y2Ba 卡茨gydF4y2Ba h·E。gydF4y2Ba DodabalapurgydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 未完成的作品gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 老gydF4y2Ba D。gydF4y2Ba 前体合成、耦合和TFT评价end-substituted噻吩五个一gydF4y2Ba 化学材料gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba 2238年gydF4y2Ba 2240年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33751155985gydF4y2Ba 江gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 谢gydF4y2Ba e . Q。gydF4y2Ba 王gydF4y2Ba z F。gydF4y2Ba 内氧气对界面层形成的影响高频振荡器gydF4y2Ba2gydF4y2Ba闸极介电层gydF4y2Ba 材料科学杂志gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 42gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba 7343年gydF4y2Ba 7347年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 34547372293gydF4y2Ba 10.1007 / s10853 - 007 - 1584 - zgydF4y2Ba 佩雷拉gydF4y2Ba lgydF4y2Ba BarquinhagydF4y2Ba P。gydF4y2Ba FortunatogydF4y2Ba E。gydF4y2Ba 马丁斯gydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 低温处理氧化铪:结构和电气性能gydF4y2Ba 在半导体材料科学处理gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 1125年gydF4y2Ba 1132年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33846115181gydF4y2Ba 10.1016 / j.mssp.2006.10.031gydF4y2Ba KnippgydF4y2Ba D。gydF4y2Ba 街gydF4y2Ba r。gydF4y2Ba VolkelgydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 何gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 并五苯薄膜晶体管无机电介质:形态、结构特性、和电子传输gydF4y2Ba 应用物理杂志gydF4y2Ba 2003年gydF4y2Ba 93年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 347年gydF4y2Ba 355年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0037245896gydF4y2Ba 10.1063/1.1525068gydF4y2Ba SteudelgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba De vus开头gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba ·德容gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 詹森gydF4y2Ba D。gydF4y2Ba VerlaakgydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba GenoegydF4y2Ba J。gydF4y2Ba HeremansgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 影响介电粗糙度的并五苯晶体管的性能gydF4y2Ba 应用物理快报gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 85年gydF4y2Ba 19gydF4y2Ba 4400年gydF4y2Ba 4402年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 10844231822gydF4y2Ba 10.1063/1.1815042gydF4y2Ba 关颖珊gydF4y2Ba m . C。gydF4y2Ba 程gydF4y2Ba k . H。gydF4y2Ba 赖gydF4y2Ba p . T。gydF4y2Ba 切gydF4y2Ba c . M。gydF4y2Ba 提高并五苯TFT的NH的载流子迁移率gydF4y2Ba3gydF4y2Ba退火的闸极介电层gydF4y2Ba 固体电子学gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 51gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 77年gydF4y2Ba 80年gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33846586960gydF4y2Ba 10.1016 / j.sse.2006.11.005gydF4y2Ba 程gydF4y2Ba k . H。gydF4y2Ba 唐gydF4y2Ba w·M。gydF4y2Ba 邓gydF4y2Ba l F。gydF4y2Ba 梁gydF4y2Ba c . H。gydF4y2Ba 赖gydF4y2Ba p . T。gydF4y2Ba 切gydF4y2Ba c . M。gydF4y2Ba 载流子迁移率之间的相关性并五苯薄膜晶体管的栅极绝缘层的表面钝化gydF4y2Ba 应用物理杂志gydF4y2Ba 2008年gydF4y2Ba 104年gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 58149242216gydF4y2Ba 10.1063/1.3040004gydF4y2Ba 116107年gydF4y2Ba