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763572年

10.1155 / 2012/763572

763572年

研究文章

Thermal-Aware测试进度和TAM共同改进三维集成电路

施

Chi-Jih

¹ 许

Chih-Yao

¹ 郭

淳一

¹ 李

詹姆斯

¹ 劳

Jiann-Chyi

² Chakrabarty

Krishnendu

³ Ghibaudo

杰拉德

^{1

国立台湾大学电机工程系

台北10617

台湾

ntu.edu.tw} ^{2

电气工程系,淡江大学

新台北市25137

台湾

tku.edu.tw} ^{3

电子与计算机工程系,杜克大学,杜伦大学

数控27708

美国

duke.edu}

2012年

28 11 2012年

2012年 27 04 2012年 07年 10 2012年 18 10 2012年

2012年

这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。

测试被认为是最困难的挑战之一的三维集成电路(3 d ICs)。在本文中,我们想要优化的成本TAM(测试访问机制)和3 d IC测试时间。我们使用贪婪算法和模拟退火算法来解决这个优化问题。我们比较两个假设的结果:<我t一个lic> soft-die模式和<我t一个lic> hard-die模式。死前假设DfT无法改变,而后者假设DfT可以调整模具。结果表明,thermal-aware cooptimization是至关重要的决定最优TAM和测试进度。盲目添加TAM不能减少测试总成本由于温度的限制。另一个结论是,soft-die模式比hard-die模式更有效减少为3 d IC测试总成本。

1。介绍</t我tle> <p>三维集成电路(3 d ICs)提供了一种很有前途的解决方案来处理缩放和异构系统集成<xref ref-type="bibr" rid="B1"> 1</xref>- - - - - -<xref ref-type="bibr" rid="B3"> 3</xref>]。尽管许多优点,3 d ICs仍有许多挑战。其中,高温可能是最关键的一个问题,因为在3 d ICs垂直散热路径长比2 d IC (<xref ref-type="bibr" rid="B4"> 4</xref>- - - - - -<xref ref-type="bibr" rid="B7"> 7</xref>]。因此,高温导致严重的产量损失问题在测试3 d ICs。</p> <p>许多论文的测试调度优化算法2 d IC (<xref ref-type="bibr" rid="B8"> 8</xref>,<xref ref-type="bibr" rid="B9"> 9</xref>),包括thermal-aware测试调度(<xref ref-type="bibr" rid="B10"> 10</xref>- - - - - -<xref ref-type="bibr" rid="B13"> 13</xref>]。在[<xref ref-type="bibr" rid="B10"> 10</xref>),提出了两种优化算法,试图在一个芯片加热更均匀传播通过布局信息和进步的权函数。一个矩形2 d本包装可以解决测试调度问题,考虑动态热配置文件(<xref ref-type="bibr" rid="B11"> 11</xref>]。资源冲突图thermal-safe测试调度方法用于优化(<xref ref-type="bibr" rid="B12"> 12</xref>]。测试进度后,2 d热阻模型应用于检查热约束是否满足。这种技术,然而,不考虑TAM约束。使用的热阻模型,叠加原理引入了2 d IC测试调度优化(<xref ref-type="bibr" rid="B13"> 13</xref>]。许多技术使用整数线性规划(独立)找到一个最佳的解决方案。然而,当热约束被认为,会有一个指数级增长的问题大小因为需要评估所有可能的组合。一个文明程度的测试调度方法提出了对3 d IC在以前的工作<xref ref-type="bibr" rid="B14"> 14</xref>]。在他们的工作,他们解决问题的测试调度减少整体测试时间堆栈测试以及postbond测试没有温度的考虑。先前的研究在这方面缺乏考虑热约束在处理试验时间和TAM宽度权衡。</p> <p>本文的目的是提出一个测试调度方法postbond 3 d IC测试来确定最佳的测试时间和温度下TAM宽度约束。两种优化模式可以选择:<我t一个lic> hard-die模式</我t一个lic>和<我t一个lic> soft-die模式</我t一个lic>。hard-die模式假设一个固定的DfT架构,扫描链和TAM作业的数量不能改变。DfT soft-die模式假定一个可配置的架构,扫描链和TAM作业的数量可以改变。在优化过程中,一个简单的热阻模型用于快速估计最高温度。最终的温度测试进度由学术热模拟验证,<我t一个lic> 热点</我t一个lic>(<xref ref-type="bibr" rid="B15"> 15</xref>]。本文的贡献如下。<list> <list-item> <label>(我)</label> </list-item> </list></p> <p>thermal-aware测试调度和TAM共同改进方法对3 d ICs。</p> <list-item> <label>(2)</label> <p>两种优化模式是支持不同的3 d集成电路配置。</p> </list-item> <list-item> <label>(3)</label> <p>简化和准确性热阻模型温度估计加快优化过程。</p> </list-item> <p></p> <p>Thermal-aware开的是至关重要的决定最优TAM作业和测试调度。本文显示了三个重要的结果。<list> <list-item> <label>(我)</label> </list-item> </list></p> <p>当TAM的数量小于一个阈值,测试时间<我t一个lic> TAM有限</我t一个lic>。在这个阶段,添加TAM有助于减少测试时间。</p> <list-item> <label>(3)</label> <p>当TAM的数量大于阈值,测试时间<我t一个lic> 温度限制</我t一个lic>。在这个阶段,添加TAM是浪费资源没有贡献减少测试时间。</p> </list-item> <list-item> <label>(3)</label> <p>与hard-die模式相比,soft-die模式产生更有效的降低测试成本。每个核心的DfT架构应该一起优化整个3 d IC。</p> </list-item> <p></p> <p>本文组织如下。部分<xref ref-type="sec" rid="sec2"> 2</xref>介绍了我们的假设和定义问题。部分<xref ref-type="sec" rid="sec3"> 3</xref>描述的细节提出测试调度技术。部分<xref ref-type="sec" rid="sec4"> 4</xref>展示了我们的实验结果在三个3 d ICs。最后,部分<xref ref-type="sec" rid="sec5"> 5</xref>本文总结道。</p> <p></p> <p></p> <p></p> <p></p> <p></p> </sec> <sec id="sec2"> <title>2。假设和模型</t我tle> <sec id="sec2.1"> <title>2.1。假设</t我tle> <p>我们假设每个核心都有相同的测试时间,力量,TAM宽度在不同的温度。核心的力量在测试模式高于功能模式(<xref ref-type="bibr" rid="B20"> 16</xref>]。在本文中,我们只考虑温度问题在测试模式。我们不考虑这个测试中的prebond测试调度。热问题不是严重prebond测试部分,因为没有死堆积,和部分原因是pre-bond测试通常是执行速度慢。</p> <p>在我们提出的技术,整个测试调度分为许多<我t一个lic> 槽</我t一个lic>,或<我t一个lic> 测试会话</我t一个lic>。图<xref ref-type="fig" rid="fig1"> 1</xref>显示了两个温度测试调度,没有约束的例子,在测试会话由垂直的酒吧。每个矩形对应一个<我t一个lic> 核心测试下</我t一个lic>——高度代表了TAM宽度而宽度代表了测试时间。TAM限制(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>显示为虚线图)<xref ref-type="fig" rid="fig1"> 1</xref>。所有核心在同一个槽都假定开始在同一时间。核心在同一个槽同时开始测试。因为我们采用IEEE 1500兼容的核心包装器(<xref ref-type="bibr" rid="B16"> 17</xref>),被测试的核心应该是通过配置<我t一个lic> 我们连锁店</我t一个lic>在测试会话的开始核测试。我们链是一个扫描链连接包装指令寄存器(我们)不同的核心。图<xref ref-type="fig" rid="fig1a"> 1(一)</xref>显示了一个没有温度约束优化的测试进度。因为许多核心测试在测试会话,这是过热(以红色突出显示)。图<xref ref-type="fig" rid="fig1b"> 1 (b)</xref>显示了优化的测试进度,不过热,尽管其测试时间稍长于最初的测试进度。图<xref ref-type="fig" rid="fig1"> 1</xref>显示测试调度与热约束对3 d IC很重要。</p> <fig-group id="fig1"> <p>一个示例测试进度:(a)没有温度约束和(b)随温度约束。</p> <fig id="fig1a"> <label>(一)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.001a"></graphic> </fig> <fig id="fig1b"> <label>(b)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.001b"></graphic> </fig> </fig-group> <p>在这项工作中,我们假定没有使用散热器为降低成本在生产测试。在生产测试中,散热器,散热器不安装节省测试成本。结果,测试调度必须考虑温度约束,以避免过热在测试模式。在本文中,我们只考虑稳态温度在优化。这是因为毫秒内动态温度可以解决,这是短于一个测试会话。我们假设所产生的热量只有核心测试下的功耗,忽略TSV司机的力量,这是很少的数量。</p> <p>在hard-die优化模式中,我们给出了一个3 d IC完全<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M2"> <mml:mrow> <mml:mi> 米</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>死了,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M3"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>TAM。自从DfT体系结构是固定的,每个核心的测试时间优化期间保持不变。考虑到最高温度限制,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M4"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>,这个共同的目标的问题是找到最低的测试成本的考虑测试时间和TAM宽度。</p> </sec> <sec id="sec2.2"> <title>2.2。热模型对3 d IC</t我tle> <p>在优化过程中,每当一个新的测试生成调度,峰值温度估计。测试进度的峰值温度的最高温度是每个测试会话在测试计划。精确的热模拟是非常耗时的一个简单的3 d IC温度估计是必要的。在这项工作中,我们采用热阻模型(<xref ref-type="bibr" rid="B15"> 15</xref>),垂直热流被建模为电流和温度建模为电电压。垂直的两个相邻模之间的热传导是建模为热阻。</p> <p>三维集成电路分为一个二维数组<我t一个lic> 瓷砖栈</我t一个lic>。图<xref ref-type="fig" rid="fig2"> 2</xref>(一个)显示了一个示例3 d集成电路分为三层<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M5"> <mml:mn> 3</米米l:mn> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mn> 2</米米l:mn> </mml:math> </inline-formula>瓷砖堆栈。一砖一瓦堆栈(图<xref ref-type="fig" rid="fig2"> 2</xref>(b))包含三层砖。每一层代表一个死去,而每个方块都代表一个单位面积死(<我t一个lic> 决议</我t一个lic>热估计)。图<xref ref-type="fig" rid="fig2"> 2</xref>(c)显示了对应的一砖一瓦堆栈的热模型。瓷砖的功耗<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M6"> <mml:mrow> <mml:mi> 我</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M7"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> P</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 我</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)被认为是一个电流源,而温度(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M8"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 我</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)被认为是电压。瓷砖的热阻<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M9"> <mml:mrow> <mml:mi> 我</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>被建模为一个电阻(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M10"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 我</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M11"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> b</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>表现为周围的阻力。环境温度(由用户指定)被建模为一个电压源,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M12"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 环境</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>。</p> <fig id="fig2"> <label>图2</label> <p>(一)<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M13"> <mml:mn> 3</米米l:mn> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mn> 2</米米l:mn> </mml:math> </inline-formula>瓷砖栈的数组。(b)一个瓷砖堆栈。(c)的热阻模型瓷砖堆栈。</p> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.002"></graphic> </fig> <p>在我们的热模型中,热流假设单向,从下到上。因为访问I / O引脚底部的三维集成电路模型,热火只能消散从我们的三维集成电路模型。我们假设将连接板底部,加热的先前的测试,所以热传播模底部被忽略。一砖一瓦的峰值温度堆栈图<xref ref-type="fig" rid="fig2"> 2</xref>(c)是<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M14"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 0</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>底部死,这可以由以下公式计算:<d我年代p- - - - - -formula> <mml:math display="block" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M15"> <mml:mtable> <mml:mlabeledtr id="EEq1"> <mml:mtd> <mml:mtext> (1)</米米l:mtext> </mml:mtd> <mml:mtd> <mml:maligngroup></mml:maligngroup> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 0</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo id="EEAABAAABAA0YB0AA"> =</米米l:mo> <mml:malignmark></mml:malignmark> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> P</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:mo class="left"> (</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 3</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> b</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mo class="right"> )</米米l:mo> </mml:mrow> <mml:mo linebreak="newline" indentalign="id" indenttarget="EEAABAAABAA0YB0AA"></mml:mo> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> P</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:mo class="left"> (</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 3</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> b</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mo class="right"> )</米米l:mo> </mml:mrow> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> P</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 3</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:mo class="left"> (</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 3</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> R</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> b</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mo class="right"> )</米米l:mo> </mml:mrow> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 环境</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> 。</米米l:mo> </mml:mtd> </mml:mlabeledtr> </mml:mtable> </mml:math> </disp-formula></p> <p>在我们的热模型中,我们假设每个模具的厚度是50<我t一个lic> μ</我t一个lic>m。每个模具的热电阻率直接来源于热硅的电阻率。但粘结界面的热电阻率计算。我们使用<我t一个lic> benzocyclobutene</我t一个lic>(BCB)粘结界面材料的热电阻率是3.45。我们做一个假设,TSV死总面积的1%。因此,粘结界面的平均热导率可以由以下公式计算。热电阻率是热导率的倒数:<d我年代p- - - - - -formula> <mml:math display="block" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M16"> <mml:mtable> <mml:mlabeledtr id="EEq2"> <mml:mtd> <mml:mtext> (2)</米米l:mtext> </mml:mtd> <mml:mtd> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> κ</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> avg</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> =</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> κ</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> TSV</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mfrac> <mml:mrow> <mml:mtext> 是</米米l:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext> 一个</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> TSV</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 是</米米l:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext> 一个</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 总</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:mfrac> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> κ</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> BCB</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:mo class="left"> (</米米l:mo> <mml:mrow> <mml:mn mathvariant="normal"> 1</米米l:mn> <mml:mo> - - - - - -</米米l:mo> <mml:mfrac> <mml:mrow> <mml:mtext> 是</米米l:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext> 一个</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> TSV</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 是</米米l:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext> 一个</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 总</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:mfrac> </mml:mrow> <mml:mo class="right"> )</米米l:mo> </mml:mrow> <mml:mo> ,</米米l:mo> </mml:mtd> </mml:mlabeledtr> </mml:mtable> </mml:math> </disp-formula>在这个方程,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M17"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> κ</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> TSV</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>铜的导热系数,这是400年,然后呢<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M18"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> κ</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> BCB</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>是BCB的导热系数。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M19"> <mml:mtext> 是</米米l:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext> 一个</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> TSV</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> </inline-formula>的面积是TSV,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M20"> <mml:mtext> 是</米米l:mtext> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext> 一个</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 总</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> </inline-formula>是死的总面积。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M21"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> κ</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> avg</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>粘结界面的平均热导率。</p> <p>请注意,我们的测试调度技术是独立的热模型。我们可以包括下行热传播向董事会或者还包括横向热传播通过添加更多的热电阻进入我们的热模型(<xref ref-type="bibr" rid="B15"> 15</xref>]。通过这种方式,我们的热模型的准确性将会改善。</p> </sec> </sec> <sec id="sec3"> <title>3所示。建议测试时间安排技术</t我tle> <sec id="sec3.1"> <title>3.1。整体流</t我tle> <p>我们共同改进工具支持两种模式:hard-die模式和soft-die模式。hard-die模式使用贪婪算法来最小化总TAM宽度和hard-die模式流图的测试时间<xref ref-type="fig" rid="fig3"> 3</xref>。用户可以指定一个TAM限制(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M22"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)和温度极限(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M23"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)。我们初始化一个约束(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M24"> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ≤</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> </inline-formula>),我们安排一次一个核心使用贪婪算法。我们核心根据考试时间降序排列。我们选择的第一个核心测试时间最长的,把它放在第一个位置。一个槽完成后,我们估计所有死亡的最高温度(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M25"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>使用热模型)。我们还需要计算TAM的宽度(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M26"> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)所使用的所有死亡。我们需要验证是否满足温度和TAM约束:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M27"> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> ≤</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> </inline-formula>和<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M28"> <mml:mi> W</米米l:mi> <mml:mo> ≤</米米l:mo> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> </inline-formula>。如果任何核心违反了上述两个条件,我们重新安排核心到另一个位置。核心都完成后,我们估计测试总成本。然后,我们增加<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M29"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>一个单位和重做整个过程,直到所有<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M30"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>已经试过了。在整个优化,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M31"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>总是固定的,但是呢<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M32"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>可以在每个迭代中调整。</p> <fig id="fig3"> <label>图3</label> <p>整个流程。</p> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.003"></graphic> </fig> <p>从hard-die soft-die模式略有不同模式在soft-die模式流图<xref ref-type="fig" rid="fig3"> 3</xref>。鉴于hard-die时间表,我们执行模拟退火改善温度下的测试时间和TAM约束。不像hard-die模式,核心的宽度和长度是固定的,在soft-die模式我们可以调整的宽度和长度核心,只要测试数据量(长度宽度倍)保持不变。</p> <p>有四个输入文件到我们的优化工具。第一个文件提供信息的每个核心设计。第二个文件描述了平面布置图等信息每个核心的位置。第三个文件提供了测试信息,如扫描链的数量,测试针的数量,测试周期的数量。最后一个文件提供3 d IC热模型,如热电阻和环境温度。</p> </sec> <sec id="sec3.2"> <title>3.2。贪婪算法</t我tle> <p>这是一个简单的<我t一个lic> 首先满足包装</我t一个lic>算法。<list> <list-item> <label>(1)</label> </list-item> </list></p> <p>首先,我们根据它的降序排序的核心测试时间。</p> <list-item> <label>(2)</label> <p>第一核心数量最大的测试时间是安排在第一个槽里。</p> </list-item> <list-item> <label>(3)</label> <p>选择下一个核心和进度到现有的插槽是否“适合”;否则,核心是计划一个新的空槽。在该算法中,一个核心符合一个槽意味着温度和TAM约束得到满足。</p> </list-item> <list-item> <label>(4)</label> <p>重复步骤3,直到所有的核心计划。</p> </list-item> <p></p> </sec> <sec id="sec3.3"> <title>3.3。模拟退火算法</t我tle> <p>在soft-die模式中,贪婪算法后,我们使用模拟退火优化解决方案。模拟退火算法在算法描述<xref ref-type="other" rid="alg1"> 1</xref>。</p> <p id="alg1"> <list list-content="algorithm"> <title><大胆>算法1 < /大胆></t我tle> <list-item></list-item> </list></p> <p>开始</p> <list-item> <p>得到一个初始化<我t一个lic> 时间表</我t一个lic> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M33"> <mml:mo stretchy="false"> (</米米l:mo> <mml:mn> 0</米米l:mn> <mml:mo stretchy="false"> ]</米米l:mo> </mml:math> </inline-formula>;</p> </list-item> <list-item> <p>得到一个初始化温度<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M34"> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>> 0;</p> </list-item> <list-item> <p>设置温度阈值<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M35"> <mml:mrow> <mml:msup> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> ′</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msup> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>;</p> </list-item> <list-item> <p>设置衰减率<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M36"> <mml:mrow> <mml:mi> r</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>< 1;</p> </list-item> <list-item> <p>而<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M37"> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula><<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M38"> <mml:mrow> <mml:msup> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> ′</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msup> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>做</p> </list-item> <list-item> <p>1≦<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M39"> <mml:mrow> <mml:mi> 我</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>≦<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M40"> <mml:mrow> <mml:mi> P</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>做</p> </list-item> <list-item> <p> <italic> 下一个</我t一个lic> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M41"> <mml:mrow> <mml:mo> ←</米米l:mo> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>一个随机选择的扰动<我t一个lic> 当前的</我t一个lic></p> </list-item> <list-item> <p> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M42"> <mml:mi mathvariant="normal"> Δ</米米l:mi> <mml:mi> E</米米l:mi> </mml:math> </inline-formula> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M43"> <mml:mrow> <mml:mo> ←</米米l:mo> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>值(<我t一个lic> 下一个</我t一个lic>)−值(<我t一个lic> 当前的</我t一个lic>]</p> </list-item> <list-item> <p>如果<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M44"> <mml:mi mathvariant="normal"> Δ</米米l:mi> <mml:mi> E</米米l:mi> </mml:math> </inline-formula>< 0然后当前的<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M45"> <mml:mrow> <mml:mo> ←</米米l:mo> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula> <italic> 下一个</我t一个lic></p> </list-item> <list-item> <p>其他的<我t一个lic> 当前的</我t一个lic> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M46"> <mml:mrow> <mml:mo> ←</米米l:mo> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula> <italic> 下一个</我t一个lic>只有概率<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M47"> <mml:mrow> <mml:msup> <mml:mrow> <mml:mi> e</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi mathvariant="normal"> Δ</米米l:mi> <mml:mi mathvariant="normal"> E</米米l:mi> <mml:mi> </mml:mi> <mml:mo> /</米米l:mo> <mml:mo> - - - - - -</米米l:mo> <mml:mi mathvariant="normal"> T</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msup> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula></p> </list-item> <list-item> <p> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M48"> <mml:mi> T</米米l:mi> <mml:mo> ←</米米l:mo> <mml:mi> r</米米l:mi> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:math> </inline-formula>;</p> </list-item> <list-item> <p>结束了</p> </list-item> <list-item> <p>结束时</p> </list-item> <p></p> <p>值(<我t一个lic> 下一个</我t一个lic>是测试计划的成本扰动后,和价值<我t一个lic> 当前的</我t一个lic>是扰动前的测试调度的成本。计算出的值是一个成本函数,它将显示在(<xref ref-type="disp-formula" rid="EEq3"> 3</xref>在本节后面)。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M49"> <mml:mrow> <mml:mi> E</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>的区别是当前价值和未来价值。</p> <p>在soft-die模式中,四种类型的扰动被用于模拟退火:<我t一个lic> 交换</我t一个lic>,<我t一个lic> move-to-existing-slot</我t一个lic>,<我t一个lic> move-to-empty-slot</我t一个lic>,<我t一个lic> 调整</我t一个lic>。交换扰动交流两个核心在两个不同的时段,我们描述这种交换摄动图<xref ref-type="fig" rid="fig4"> 4</xref>。两个参与扰动被指示为核心<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M50"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>和<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M51"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>。在交换之前,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M52"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>结束了TAM宽度约束。交换后,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M53"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>和<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M54"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>都是担下宽度约束。</p> <fig id="fig4"> <label>图4</label> <p>交换扰动。</p> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.004"></graphic> </fig> <p>move-to-existing-slot扰动运动的核心包含至少一个测试现有的槽。图<xref ref-type="fig" rid="fig5"> 5</xref>显示了一个示例的扰动。这两个核参与这个扰动是表示<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M55"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>和<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M56"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M57"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>是搬到一个槽了吗<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M58"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 2</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>。原来的槽被<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M59"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>现在是空,所以这个扰动可以减少测试时间。</p> <fig id="fig5"> <label>图5</label> <p>Move-to-existing-slot扰动。</p> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.005"></graphic> </fig> <p>虽然上述两个扰动可以减少总测试时间,模拟退火可能陷入局部最优。因此,move-core-to-empty-slot扰动逃离局部最优。图<xref ref-type="fig" rid="fig6"> 6</xref>显示了move-to-empty-slot扰动。一个核心<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M60"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>选择并移动到一个空槽吗<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M61"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> 年代</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>。虽然这增加了总测试时间,这种扰动可能帮助逃离局部最优和找到一个更好的解决方案。</p> <fig id="fig6"> <label>图6</label> <p>Move-to-empty-slot扰动。</p> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.006"></graphic> </fig> <p>第四扰动所选择的核心<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M62"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> C</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mn> 1</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>必须是一个柔软的核心。软核有约束的纵横比(TAM宽度:测试时间)。在我们解析每个核心的测试信息文件,我们可以得到每个核心的总测试数据。总测试数据等于TAM宽度乘以每个核心的测试时间。调整我们的扰动,允许最大TAM宽度变化是5。TAM宽度变化在这个扰动是随机生成的。这一限制避免太多的变化对一个核心。因为生成的解决方案是不太远从当前解,模拟退火算法可能会达到一个局部最优解。图<xref ref-type="fig" rid="fig7"> 7</xref>显示了调整扰动。</p> <fig id="fig7"> <label>图7</label> <p>调整扰动。</p> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.007"></graphic> </fig> <p>为了估计成本,我们定义一个成本函数<d我年代p- - - - - -formula> <mml:math display="block" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M63"> <mml:mtable> <mml:mlabeledtr id="EEq3"> <mml:mtd> <mml:mtext> (3)</米米l:mtext> </mml:mtd> <mml:mtd> <mml:mtext> 成本</米米l:mtext> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mtext> 函数</米米l:mtext> <mml:mo> =</米米l:mo> <mml:mi> α</米米l:mi> <mml:mfrac> <mml:mrow> <mml:mtext> 测试</米米l:mtext> <mml:mi> </mml:mi> <mml:mi> 周期</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> AVG</米米l:mtext> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mtext> 测试</米米l:mtext> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mi> 周期</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:mfrac> <mml:mo> +</米米l:mo> <mml:mi> β</米米l:mi> <mml:mfrac> <mml:mrow> <mml:mtext> TAM</米米l:mtext> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mtext> 宽度</米米l:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> AVG</米米l:mtext> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mtext> TAM</米米l:mtext> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mo> </mml:mo> <mml:mtext> 宽度</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:mfrac> <mml:mo> 。</米米l:mo> </mml:mtd> </mml:mlabeledtr> </mml:mtable> </mml:math> </disp-formula></p> <p>规范化的测试时间和TAM宽度,一百年我们第一次执行随机测试调度。分母是测试周期的平均数量和平均TAM一百随机测试调度。的<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M64"> <mml:mrow> <mml:mi> α</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>和<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M65"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>权重系数的测试时间和TAM宽度,分别。如果<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M66"> <mml:mrow> <mml:mi> α</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>大于<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M67"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>,程序将尝试减少TAM的测试时间减少。</p> <p>决定:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M68"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>比,在这篇文章中,我们引用的数字<xref ref-type="bibr" rid="B17"> 18</xref>的一个典型的3 d IC。一个死去的测试时间是6秒,测试成本是0.23美元。假设有5个死堆在3 d IC, 3 d IC测试成本是1.15美元。一个晶圆有1278死亡,所以总生产成本是2779美元。所有tsv在一个晶片的制造总成本是190美元。因此总制造五3 d IC(2279 + 190)×5/1,278 = 11.6美元。如果我们假设一个单一的TAM需要10%,1%,和0.1%的面积开销,然后的比例:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M69"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>1:可以设置为1:10日1和10:1,分别。比例:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M70"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>= 1:10意味着高TAM成本对测试时间。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M71"> <mml:mrow> <mml:mi> α</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M72"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>TAM = 10: 1意味着低成本测试时间。<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M73"> <mml:mrow> <mml:mi> α</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M74"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>= 1:1意味着测试时间和TAM大约是相同的。实际的比例:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M75"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>用户可以调整基于真实数据。</p> <p>请注意,在这篇文章中,我们只考虑postbond测试prebond测试和探索成本不包括死亡。TSV互连测试时间很短所以忽略了在我们的测试成本。</p> </sec> </sec> <sec id="sec4"> <title>4所示。实验结果</t我tle> <sec id="sec4.1"> <title>4.1。3 d IC测试用例</t我tle> <p>在本文中,我们展示三个3 d IC测试用例的结果,每一个都包括五个死了,索引从0到4。死亡数字零(# 0)被放置在底部的3 d IC和死4号(# 4)放置在顶部。虽然没有散热器在生产测试中,散热器应该是安装在顶部死4号(# 4)系统。在3 d IC,<我t一个lic> 成键</我t一个lic> <italic> 接口</我t一个lic>上下模之间的粘合材料。每个模具的厚度是50<我t一个lic> μ</我t一个lic>m,粘结界面的厚度是2<我t一个lic> μ</我t一个lic>m。每个模具的热阻是0.01 (k×m / W)和粘结界面是0.25 (k×m / W) (<xref ref-type="bibr" rid="B18"> 19</xref>]。</p> <p>第一个测试用例是一个<我t一个lic> 异构</我t一个lic>三维集成电路,其中包含逻辑死和内存死于不同的技术。每个模具的信息列在表<xref ref-type="table" rid="tab1"> 1</xref>。每个模具的面积是相同的5毫米×5毫米。第二列显示了每个模电路,使用的技术流程和第三列列表为每个死去。第四列显示每个模具的总功耗。第五列是核心的数量在每一个死。第六列显示扫描链的数量,和第七列是测试模式的数量。第八列TAM宽度对于每一个电路,最后一列是测试时间(由测试周期)的数量为一个核心。手臂的死是一个真正的设计和测试数据从商业测试生成工具。选择的逻辑核心从IWLS 05基准电路的测试数据是通过商业工具。我们假设存储器BIST内存内核。 The test time for memories is calculated by the following equation, given by a TurboBIST Memory:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M76"> <mml:mi> T</米米l:mi> <mml:mi> e</米米l:mi> <mml:mi> 年代</米米l:mi> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> t</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> <mml:mi> 我</米米l:mi> <mml:mi> 米</米米l:mi> <mml:mi> e</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> =</米米l:mo> <mml:mn> 13</米米l:mn> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mi> 一个</米米l:mi> <mml:mi> d</米米l:mi> <mml:mi> d</米米l:mi> <mml:mi> r</米米l:mi> <mml:mi> e</米米l:mi> <mml:mi> 年代</米米l:mi> <mml:mi> 年代</米米l:mi> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:mi> p</米米l:mi> <mml:mi> 一个</米米l:mi> <mml:mi> t</米米l:mi> <mml:mi> t</米米l:mi> <mml:mi> e</米米l:mi> <mml:mi> r</米米l:mi> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> n</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> n</米米l:mi> <mml:mi> u</米米l:mi> <mml:mi> 米</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:math> </inline-formula>,在那里<我t一个lic> 地址</我t一个lic>是一个核心的地址大小,<我t一个lic> pattern_num</我t一个lic>是型号。每个核心是相同的测试用例。</p> <table-wrap id="tab1"> <label>表1</label> <p>第一个测试用例。</p> <table> <thead> <tr> <th align="left">死</th> <th align="center">电路</th> <th align="center">技术<bre一个k></break>(nm)</th> <th align="center">死的权力(W)</th> <th align="center">不。的核心</th> <th align="center">不。扫描链</th> <th align="center">不。测试模式</th> <th align="center">TAM宽度<bre一个k></break>(hard-die模式)</th> <th align="center">测试时间(没有。测试周期)</th> </tr> </thead> <tbody> <tr> <td align="left">死4</td> <td align="center">逻辑</td> <td align="center">180年</td> <td align="center">36.0</td> <td align="center">9</td> <td align="center">15</td> <td align="center">130年</td> <td align="center">17</td> <td align="center">76440年</td> </tr> <tr> <td align="left">死3</td> <td align="center">逻辑</td> <td align="center">180年</td> <td align="center">36.0</td> <td align="center">9</td> <td align="center">15</td> <td align="center">130年</td> <td align="center">17</td> <td align="center">76440年</td> </tr> <tr> <td align="left">死2</td> <td align="center">ARM9</td> <td align="center">180年</td> <td align="center">6.0</td> <td align="center">2</td> <td align="center">20.</td> <td align="center">300年</td> <td align="center">22</td> <td align="center">210000年</td> </tr> <tr> <td align="left">死1</td> <td align="center">静态存储器</td> <td align="center">90年</td> <td align="center">0.65</td> <td align="center">25</td> <td align="center">N /一个</td> <td align="center">N /一个</td> <td align="center">2</td> <td align="center">425984年</td> </tr> <tr> <td align="left">死0</td> <td align="center">动态随机存取记忆体</td> <td align="center">32</td> <td align="center">0.3</td> <td align="center">1</td> <td align="center">N /一个</td> <td align="center">N /一个</td> <td align="center">2</td> <td align="center">500000年</td> </tr> </tbody> </table> </table-wrap> <p>除了第一个异构的测试用例,我们还手工制作的两个<我t一个lic> 均匀</我t一个lic>测试用例,包括纯粹的逻辑电路。我们选择十ITC的02 SOC基准(<xref ref-type="bibr" rid="B19"> 20.</xref>在这两个测试用例)电路。大部分的基准电路只有测试长度的信息可以在ITC基准网站,我们必须假设其他信息:区域,力量,平面布置图。每个核心的面积总和计算的输入插脚,输出引脚,和扫描细胞,乘以面积密度,<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M77"> <mml:mn> 3.18</米米l:mn> <mml:mo> ×</米米l:mo> <mml:msup> <mml:mrow> <mml:mn> 10</米米l:mn> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mo> - - - - - -</米米l:mo> <mml:mn> 4</米米l:mn> </mml:mrow> </mml:msup> </mml:math> </inline-formula>(毫米<年代up>2</年代up>/数量),这是获得的平均台积电180纳米技术合成的结果。测试电源功率密度的计算,1.4 (W /毫米<年代up>2</年代up>),乘以核心区域。每个模具的平面布置图使用工具生成<我t一个lic> HotFloorplan</我t一个lic>(<xref ref-type="bibr" rid="B15"> 15</xref>]。</p> <p>表<xref ref-type="table" rid="tab2"> 2</xref>和<xref ref-type="table" rid="tab3"> 3</xref>显示信息的第二个和第三个3 d IC测试用例。第三列是每个死去的总面积。最后一列显示每个模具的总测试功耗。我们堆死于增加的死亡力量,从下到上。</p> <table-wrap id="tab2"> <label>表2</label> <p>第二个测试用例。</p> <table> <thead> <tr> <th align="left">死</th> <th align="center">电路</th> <th align="center">死区(毫米<年代up>2</年代up>)</th> <th align="center">死的权力(W)</th> </tr> </thead> <tbody> <tr> <td align="left">死4</td> <td align="center">p93791</td> <td align="center">7.30×4.21</td> <td align="center">42.97</td> </tr> <tr> <td align="left">死3</td> <td align="center">p22810</td> <td align="center">3.37×2.92</td> <td align="center">13.79</td> </tr> <tr> <td align="left">死2</td> <td align="center">p34392</td> <td align="center">2.54×2.86</td> <td align="center">10.16</td> </tr> <tr> <td align="left">死1</td> <td align="center">f2126</td> <td align="center">3.29×1.32</td> <td align="center">6.09</td> </tr> <tr> <td align="left">死0</td> <td align="center">d695</td> <td align="center">1.33×1.97</td> <td align="center">3.63</td> </tr> </tbody> </table> </table-wrap> <table-wrap id="tab3"> <label>表3</label> <p>第三个测试用例。</p> <table> <thead> <tr> <th align="left">死</th> <th align="center">电路</th> <th align="center">死区(毫米<年代up>2</年代up>)</th> <th align="center">死的权力(W)</th> </tr> </thead> <tbody> <tr> <td align="left">死4</td> <td align="center">t512505</td> <td align="center">4.92×4.95</td> <td align="center">34.08</td> </tr> <tr> <td align="left">死3</td> <td align="center">a586710</td> <td align="center">3.72×3.69</td> <td align="center">17.22</td> </tr> <tr> <td align="left">死2</td> <td align="center">q12710</td> <td align="center">2.99×2.79</td> <td align="center">11.65</td> </tr> <tr> <td align="left">死1</td> <td align="center">h953</td> <td align="center">1.09×1.61</td> <td align="center">2.46</td> </tr> <tr> <td align="left">死0</td> <td align="center">g1023</td> <td align="center">1.23×1.32</td> <td align="center">2.28</td> </tr> </tbody> </table> </table-wrap> <p>环境温度设置为25°C。环境阻力模型的接口3 d IC和周围的环境。这个参数决定了包。在我们的实验中,我们将它设置为4°C / W,假设一个中等定价方案。用户可以根据不同情况改变这些参数。此外,我们必须添加温度约束优化的过程。我们的实验中,我们将它设置为90°C,这是其他论文一样在2 d IC测试调度。</p> </sec> <sec id="sec4.2"> <title>4.2。Hard-Die模式优化的结果</t我tle> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig8"> 8</xref>显示了优化案例1的结果。在这种情况下,当系数比值<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M78"> <mml:mrow> <mml:mi> α</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>和<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M79"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>中,我们选择10:1、最优总TAM宽度是52岁。</p> <fig-group id="fig8"> <p>案例1的结果。</p> <fig id="fig8a"> <label>(一)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.008a"></graphic> </fig> <fig id="fig8b"> <label>(b)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.008b"></graphic> </fig> <fig id="fig8c"> <label>(c)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.008c"></graphic> </fig> <fig id="fig8d"> <label>(d)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.008d"></graphic> </fig> </fig-group> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig8a"> 8(一个)</xref>显示了最大和平均温度的优化测试进度。温度限制<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M80"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> T</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>设置为90°C (363°K)在这个实验。我们可以看到,温度达到高峰<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M81"> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mtext> 限制</米米l:mtext> </mml:mrow> </mml:msub> <mml:mo> =</米米l:mo> <mml:mn> 75年</米米l:mn> </mml:math> </inline-formula>。TAM总允许的最大数量是75。</p> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig8b"> 8 (b)</xref>显示测试周期的数量(测试时间)我们的共同结果。谭总宽度小于75时,这3 d IC测试时间<我t一个lic> TAM有限</我t一个lic>。谭总宽度大于75时,这3 d IC测试时间<我t一个lic> 温度限制</我t一个lic>。增加超过75 TAM宽度不减少测试时间。当TAM宽度等于75,就这两个阶段的边界。</p> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig8c"> 8 (c)</xref>显示了<我t一个lic> TAM用法</我t一个lic>对TAM约束(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M82"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>)。TAM使用定义为使用的TAM数量除以<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M83"> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mi> W</米米l:mi> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:mi> 马克斯</米米l:mi> <mml:mo></mml:mo> </mml:mrow> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>。最大TAM曲线(菱形)显示了最大TAM使用在所有插槽,而平均TAM曲线(正方形)显示了在所有时段平均TAM用法。</p> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig8d"> 8 (d)</xref>显示了我们的共同结果的最优总成本(规范化的最大成本)。三个不同:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M84"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>ratios-10: 1(平方曲线),1:1(钻石曲线),和1:2(三角形曲线)——显示为低,中,和高TAM的硬件成本。我们看到的最优测试成本发生在不同的TAM宽度不同:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M85"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>比率。:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M86"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>= 1:1(钻石曲线),测试成本是一个凸曲线和最优成本发生在总TAM宽度等于50。添加更多的TAM宽度50后的硬件资源的一种浪费。这个案例表明,最优TAM宽度取决于测试的相对成本和硅区域。</p> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig9"> 9</xref>案例2显示了结果。在这种情况下,当周围的温度极限和TAM-limit边界TAM等于100。:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M87"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>比率是一样的案例1的实验。因为这里有许多小核心,TAM使用率相当高与例1相比,这只包含几大核心。这种情况表明,由于温度极限,测试时间并不能提高通过添加更多的TAM。</p> <fig-group id="fig9"> <p>第二种情况的结果。</p> <fig id="fig9a"> <label>(一)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.009a"></graphic> </fig> <fig id="fig9b"> <label>(b)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.009b"></graphic> </fig> <fig id="fig9c"> <label>(c)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.009c"></graphic> </fig> <fig id="fig9d"> <label>(d)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.009d"></graphic> </fig> </fig-group> <p>图<xref ref-type="fig" rid="fig10"> 10</xref>案例3显示了结果。在这种情况下,测试功率非常高,所以它总是temperature-limited不管有多少TAM宽度增加。测试总成本是由测试时间,所以添加更多的TAM在这种情况下,只增加了测试总成本改善测试时间。这个案例表明,散热测试一些3 d ICs的关键因素。</p> <fig-group id="fig10"> <p>案例3的结果。</p> <fig id="fig10a"> <label>(一)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.0010a"></graphic> </fig> <fig id="fig10b"> <label>(b)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.0010b"></graphic> </fig> <fig id="fig10c"> <label>(c)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.0010c"></graphic> </fig> <fig id="fig10d"> <label>(d)</label> <graphic xlink:href="//www.newsama.com/downloads/journals/apec/2012/763572.fig.0010d"></graphic> </fig> </fig-group> </sec> <sec id="sec4.3"> <title>4.3。Soft-Die模式优化的结果</t我tle> <p>在表<xref ref-type="table" rid="tab4"> 4</xref>,它比较soft-die和hard-die优化的结果。有两个比率(<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M88"> <mml:mrow> <mml:mi> α</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>:<我nline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M89"> <mml:mrow> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:mrow> </mml:math> </inline-formula>= 1:1和10:1)三种情况。在hard-die模式中,我们展示TAM的最优规模的结果。在soft-die模式中,我们进一步优化的结果hard-die模式。案例1,soft-die后没有显著降低测试成本优化。不容易优化测试成本通过调整任何单一核心的谭总宽度,因为每一个核心的大小大约是相同的。在2和3的情况下,我们看到显著改善(20% ~ 46%),降低测试成本。多元化的核心更容易调整模拟退火的测试成本。</p> <table-wrap id="tab4"> <label>表4</label> <p>soft-die模式的结果。</p> <table> <thead> <tr> <th colspan="2" align="center">类型</th> <th align="center" colspan="2">案例1</th> <th align="center" colspan="2">案例2</th> <th align="center" colspan="2">案例3</th> </tr> <tr> <th colspan="2" align="center"> <inline-formula> <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M90"> <mml:mi> α</米米l:mi> <mml:mo> :</米米l:mo> <mml:mi> β</米米l:mi> </mml:math> </inline-formula></th> <th align="center">1:1</th> <th align="center">10:1</th> <th align="center">1:1</th> <th align="center">10:1</th> <th align="center">1:1</th> <th align="center">10:1</th> </tr> </thead> <tbody> <tr> <td align="left" rowspan="3">Hard-die模式</td> <td align="center">不。的测试周期</td> <td align="center">1823944年</td> <td align="center">882200年</td> <td align="center">1216486年</td> <td align="center">1181825年</td> <td align="center">86509578年</td> <td align="center">86509576年</td> </tr> <tr> <td align="center">TAM公司的选择。</td> <td align="center">38</td> <td align="center">113年</td> <td align="center">138年</td> <td align="center">162年</td> <td align="center">31日</td> <td align="center">31日</td> </tr> <tr> <td align="center">标准化的测试成本</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">1.00</td> </tr> <tr> <td align="left" colspan="8"> <hr></td> </tr> <tr> <td align="left" rowspan="3">Soft-die模式</td> <td align="center">不。的测试周期</td> <td align="center">1823944年</td> <td align="center">882200年</td> <td align="center">766191年</td> <td align="center">611629年</td> <td align="center">23142087年</td> <td align="center">41852141年</td> </tr> <tr> <td align="center">TAM公司的选择。</td> <td align="center">38</td> <td align="center">113年</td> <td align="center">138年</td> <td align="center">162年</td> <td align="center">30.</td> <td align="center">27</td> </tr> <tr> <td align="center">标准化的测试成本</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">1.00</td> <td align="center">0.69 (−31%)</td> <td align="center">0.59 (−41%)</td> <td align="center">0.54 (−46%)</td> <td align="center">0.80 (−20%)</td> </tr> </tbody> </table> </table-wrap> </sec> <sec id="sec4.4"> <title>4.4。精度验证</t我tle> <p>来验证我们的热模型的准确性,我们使用热点模拟3 d IC和测试计划。在热点模拟中,我们使用相同的设置,如核心能力、核心位置,每个模具的热阻,和环境的热阻。表<xref ref-type="table" rid="tab5"> 5</xref>比较的最大热阻模型和热点温度仿真结果。第二列是最高温度模拟的热点,第三列是我们提出的模型获得的最高温度。最后一列显示了这两个温度之间的误差。温度之间的差异提出了热模型和热点非常小。最大的错误是略低于3%。</p> <table-wrap id="tab5"> <label>表5</label> <p>温度比较hard-die模式。</p> <table> <thead> <tr> <th align="left">测试用例</th> <th align="center">热点(°K)</th> <th align="center">提出(°K)</th> <th align="center">错误</th> </tr> </thead> <tbody> <tr> <td align="left">案例1</td> <td align="center">362.10</td> <td align="center">362.68</td> <td align="center">0.16%</td> </tr> <tr> <td align="left">案例2</td> <td align="center">354.98</td> <td align="center">356.86</td> <td align="center">0.52%</td> </tr> <tr> <td align="left">案例3</td> <td align="center">361.47</td> <td align="center">362.89</td> <td align="center">0.39%</td> </tr> </tbody> </table> </table-wrap> </sec> </sec> <sec id="sec5"> <title>5。结论</t我tle> <p>thermal-aware测试进度和TAM共同改进技术提出了3 d IC。两种优化模式:支持hard-die模式和soft-die模式。我们使用一个简化的热阻模型快速估计的温度没有模拟的测试进度。</p> <p>结果表明,thermal-aware开的是重要的决定最优TAM宽度和调度。最优TAM宽度设计和测试调度是非常相关的。盲目添加TAM宽度并不一定减少测试时间由于温度约束。另一个重要的结论是,soft-die优化大大减少了测试时间所以每个核心的DfT架构应该一起优化整个3 d IC。</p> <p>未来可能的工作包括prebond测试的考虑,更复杂的热模型,更现实的成本模型。</p> </sec> <back> <ref-list> <ref id="B1" content-type="article"> <label>1</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 戴维斯</年代urn一个米e> <given-names> w·R。</given-names> </name> <name> <surname> 威尔逊</年代urn一个米e> <given-names> J。</given-names> </name> <name> <surname> 米克</年代urn一个米e> <given-names> 年代。</given-names> </name> <name> <surname> 徐</年代urn一个米e> <given-names> J。</given-names> </name> <name> <surname> 华</年代urn一个米e> <given-names> H。</given-names> </name> <name> <surname> Mineo</年代urn一个米e> <given-names> C。</given-names> </name> <name> <surname> Sule</年代urn一个米e> <given-names> a . M。</given-names> </name> <name> <surname> 引导</年代urn一个米e> <given-names> M。</given-names> </name> <name> <surname> ”弗兰从</年代urn一个米e> <given-names> p D。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 揭秘3 d ICs:垂直的利弊</一个rt我cle-title> <source> <italic> IEEE计算机的设计和测试</我t一个lic> <year> 2005年</year> <volume> 22</volume> <issue> 6</我年代年代ue> <fpage> 498年</fpage> <lpage> 510年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 28344452134</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / MDT.2005.136</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B2" content-type="inproceedings"> <label>2</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Marinissen</年代urn一个米e> <given-names> e . J。</given-names> </name> <name> <surname> Zorian</年代urn一个米e> <given-names> Y。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 测试3 d芯片包含在矽通过</一个rt我cle-title> <conf-name> 国际测试会议(ITC诉讼' 09)</conf-name> <conf-date> 2009年11月</conf-date> <supplement> 纸ET1.1</年代upplement> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 76549094242</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / TEST.2009.5355573</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B3" content-type="article"> <label>3</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 帕蒂</年代urn一个米e> <given-names> r S。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 三维集成电路和芯片系统设计的未来</一个rt我cle-title> <source> <italic> IEEE学报》</我t一个lic> <year> 2006年</year> <volume> 94年</volume> <issue> 6</我年代年代ue> <fpage> 1214年</fpage> <lpage> 1224年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 33947407658</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / JPROC.2006.873612</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B4" content-type="inproceedings"> <label>4</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 达斯</年代urn一个米e> <given-names> 年代。</given-names> </name> <name> <surname> 切卓卡山</年代urn一个米e> <given-names> 一个。</given-names> </name> <name> <surname> 赖夫</年代urn一个米e> <given-names> R。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 时间、精力和热三维集成电路的性能</一个rt我cle-title> <conf-name> 诉讼的ACM大湖研讨会上超大规模集成(GLSVLSI ' 04)</conf-name> <conf-date> 2004年4月</conf-date> <fpage> 338年</fpage> <lpage> 343年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 2942658001</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B5" content-type="inproceedings"> <label>5</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 即时通讯</年代urn一个米e> <given-names> 年代。</given-names> </name> <name> <surname> 巴纳吉</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 全芯片的热分析平面(二维)和垂直整合(3 d)高性能集成电路</一个rt我cle-title> <conf-name> 学报IEEE国际电子设备会议(IEDM ' 00)</conf-name> <conf-date> 2000年12月</conf-date> <fpage> 727年</fpage> <lpage> 730年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 0034452632</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B6" content-type="inproceedings"> <label>6</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Puttaswamy</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> Loh</年代urn一个米e> <given-names> g . H。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 热分析的3 d die-stacked高性能微处理器</一个rt我cle-title> <conf-name> 诉讼的ACM大湖研讨会上超大规模集成(GLSVLSI 06年)</conf-name> <conf-date> 2006年5月</conf-date> <fpage> 19</fpage> <lpage> 24</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 33750922540</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B7" content-type="inproceedings"> <label>7</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 太阳</年代urn一个米e> <given-names> C。</given-names> </name> <name> <surname> 商</年代urn一个米e> <given-names> l</given-names> </name> <name> <surname> 迪克</年代urn一个米e> <given-names> r P。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 三维多处理器芯片系统热优化</一个rt我cle-title> <conf-name> 第五届国际会议上硬件/软件学报》合作设计和系统合成</conf-name> <conf-date> 2007年10月</conf-date> <fpage> 117年</fpage> <lpage> 122年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 38849163462</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1145/1289816.1289846</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B8" content-type="article"> <label>8</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Chakrabarty</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 测试调度为核心系统使用整数线性规划</一个rt我cle-title> <source> <italic> IEEE计算机辅助设计的集成电路和系统</我t一个lic> <year> 2000年</year> <volume> 19</volume> <issue> 10</我年代年代ue> <fpage> 1163年</fpage> <lpage> 1174年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 0034292688</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109/43.875306</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B9" content-type="inproceedings"> <label>9</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Iyengar</年代urn一个米e> <given-names> V。</given-names> </name> <name> <surname> Chakrabarty</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> </person-group> <article-title> Precedence-based,先发制人,电量有限测试调度系统级芯片</一个rt我cle-title> <conf-name> 学报19 IEEE VLSI测试研讨会(VTS的01)</conf-name> <conf-date> 2001年5月</conf-date> <fpage> 368年</fpage> <lpage> 374年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 0034995151</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B10" content-type="inproceedings"> <label>10</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 刘</年代urn一个米e> <given-names> C。</given-names> </name> <name> <surname> Veeraraghavan</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> Iyengar</年代urn一个米e> <given-names> V。</given-names> </name> </person-group> <article-title> Thermal-aware测试调度和热点温度为核心系统的最小化</一个rt我cle-title> <conf-name> 诉讼20 IEEE国际研讨会在VLSI系统缺陷和容错(DFT 05)</conf-name> <conf-date> 2005年10月</conf-date> <fpage> 552年</fpage> <lpage> 560年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 28444473414</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B11" content-type="inproceedings"> <label>11</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 余</年代urn一个米e> <given-names> t E。</given-names> </name> <name> <surname> Yoneda</年代urn一个米e> <given-names> T。</given-names> </name> <name> <surname> Chakrabarty</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> 藤原</年代urn一个米e> <given-names> H。</given-names> </name> </person-group> <article-title> Thermal-safe开了soc测试访问机制和包装器</一个rt我cle-title> <conf-name> 学报》第16届亚洲测试研讨会(ATS ' 07)</conf-name> <conf-date> 2007年10月</conf-date> <fpage> 187年</fpage> <lpage> 192年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 48049090934</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / ATS.2007.4388007</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B12" content-type="article"> <label>12</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 罗辛</年代urn一个米e> <given-names> P。</given-names> </name> <name> <surname> 哈希</年代urn一个米e> <given-names> b . M。</given-names> </name> <name> <surname> Chakrabarty</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> </person-group> <article-title> Thermal-safe测试调度为核心soc集成电路</一个rt我cle-title> <source> <italic> IEEE计算机辅助设计的集成电路和系统</我t一个lic> <year> 2006年</year> <volume> 25</volume> <issue> 11</我年代年代ue> <fpage> 2502年</fpage> <lpage> 2511年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 33750582453</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / TCAD.2006.873898</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B13" content-type="article"> <label>13</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 姚</年代urn一个米e> <given-names> C。</given-names> </name> <name> <surname> Saluja</年代urn一个米e> <given-names> K·K。</given-names> </name> <name> <surname> 拉马纳坦</年代urn一个米e> <given-names> P。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 权力和热测试调度在深亚微米技术的限制</一个rt我cle-title> <source> <italic> IEEE计算机辅助设计的集成电路和系统</我t一个lic> <year> 2011年</year> <volume> 30.</volume> <issue> 2</我年代年代ue> <fpage> 317年</fpage> <lpage> 322年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 78951480723</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / TCAD.2010.2079350</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B14" content-type="inproceedings"> <label>14</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 无聊</年代urn一个米e> <given-names> B。</given-names> </name> <name> <surname> Chakrabarty</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> Marinissen</年代urn一个米e> <given-names> e . J。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 优化方法post-bond die-internal /外部测试在3 d堆叠ICs</一个rt我cle-title> <conf-name> 学报》第41届国际测试会议(ITC’10)</conf-name> <conf-date> 2010年11月</conf-date> <fpage> 1</fpage> <lpage> 10</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 79951605430</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / TEST.2010.5699219</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B15" content-type="article"> <label>15</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Skadron</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> 斯坦</年代urn一个米e> <given-names> m·R。</given-names> </name> <name> <surname> Sankaranarayanan领导</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> 黄</年代urn一个米e> <given-names> W。</given-names> </name> <name> <surname> Velusamy</年代urn一个米e> <given-names> 年代。</given-names> </name> <name> <surname> Tarjan</年代urn一个米e> <given-names> D。</given-names> </name> </person-group> <article-title> Temperature-aware微体系结构:建模和实现</一个rt我cle-title> <source> <italic> ACM交易架构和代码优化</我t一个lic> <year> 2004年</year> <volume> 1</volume> <issue> 1</我年代年代ue> <fpage> 94年</fpage> <lpage> 125年</lpage> </nlm-citation> </ref> <ref id="B20" content-type="article"> <label>16</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> 吉拉尔</年代urn一个米e> <given-names> P。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 超大规模集成电路的低功耗测试的调查</一个rt我cle-title> <source> <italic> IEEE计算机的设计和测试</我t一个lic> <year> 2002年</year> <volume> 19</volume> <issue> 3</我年代年代ue> <fpage> 82年</fpage> <lpage> 92年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 0036575414</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / MDT.2002.1003802</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B16" content-type="inproceedings"> <label>17</label> <nlm-citation publication-type="confproc"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Marinissen</年代urn一个米e> <given-names> e . J。</given-names> </name> <name> <surname> Verbree</年代urn一个米e> <given-names> J。</given-names> </name> <name> <surname> Konijnenburg</年代urn一个米e> <given-names> M。</given-names> </name> </person-group> <article-title> 结构化和可伸缩性测试访问架构TSV-based 3 d堆叠ICs</一个rt我cle-title> <conf-name> 学报》第28届IEEE VLSI测试研讨会(VTS的10)</conf-name> <conf-date> 2010年4月</conf-date> <fpage> 269年</fpage> <lpage> 274年</lpage> <pub-id pub-id-type="other"> 2 - s2.0 - 77953905291</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> <pub-id pub-id-type="doi"> 10.1109 / VTS.2010.5469556</pub- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -- - - - - -我d> </nlm-citation> </ref> <ref id="B17" content-type="article"> <label>18</label> <nlm-citation publication-type="journal"> <person-group person-group-type="author"> <name> <surname> Taouli</年代urn一个米e> <given-names> M。</given-names> </name> <name> <surname> Hamdioui</年代urn一个米e> <given-names> 年代。</given-names> </name> <name> <surname> Beenakker</年代urn一个米e> <given-names> K。</given-names> </name> <name> <surname> Marinissen</年代urn一个米e> <given-names> e . 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