ACMPGydF4y2Ba 凝聚物物理学的进展GydF4y2Ba 1687 - 8124GydF4y2Ba 1687 - 8108GydF4y2Ba HindawiGydF4y2Ba 10.1155 / 2021/9990673GydF4y2Ba 9990673GydF4y2Ba 研究文章GydF4y2Ba Si(111)上的微棱锥垂直紫外GaN/AlGaN多量子阱ledGydF4y2Ba https://orcid.org/0000-0002-2026-2724GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba 乐博GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba 洪辉GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba 悬挂GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 姚GydF4y2Ba 万清GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba 槟子GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 仁GydF4y2Ba 元GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 沈GydF4y2Ba 君宇GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba 小杰GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 吴GydF4y2Ba 智能GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba https://orcid.org/0000-0002-4343-0858GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba BaijunGydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 肖GydF4y2Ba 书院GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba 光电子材料与技术国家重点实验室GydF4y2Ba 孙中山大学GydF4y2Ba 广州510275GydF4y2Ba 中国GydF4y2Ba sysu.edu.cnGydF4y2Ba 2GydF4y2Ba 电子与信息技术学院GydF4y2Ba 孙中山大学GydF4y2Ba 广州510006GydF4y2Ba 中国GydF4y2Ba sysu.edu.cnGydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 28GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 21GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 28GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 2021GydF4y2Ba 版权所有©2021刘跃波等。GydF4y2Ba 这是一篇在知识共享署名许可下发布的开放存取的文章，它允许在任何媒体上无限制地使用、传播和复制，只要原始作品被适当地引用。GydF4y2Ba

通过选择性面积的生长制造Si（111）衬底上的微杂氮垂直GaN的紫外（UV）发光二极管（LED），以减少穿线脱位和偏振效应。由于底部位错的漏电流和非频率脱位（TDS）在金字塔的六个平面下，在较低电流下，金字塔的底部和六个平面上没有发光。金字塔的顶部是高亮度区域。微滤网UV LED在小电流注入下具有高光输出强度，单位面积的串联电阻仅是传统垂直LED的四分之一，因此微滤网UV LED将在驱动电路下具有高输出功率。单个微嘧啶UV LED的反向泄漏电流在-10V -10 V.GydF4y2Ba

 广东省重点区域研发计划GydF4y2Ba 2019年b010132001GydF4y2Ba 2019年b010132003GydF4y2Ba 国家自然科学基金项目GydF4y2Ba 澳门科技发展基金GydF4y2Ba 62061160368GydF4y2Ba 国家重点研发计划GydF4y2Ba 2016YFB0400105GydF4y2Ba 2017YFB0403001GydF4y2Ba 珠海市宽带隙半导体电力电子重点技术实验室GydF4y2Ba 孙中山大学GydF4y2Ba 20167612042080001GydF4y2Ba 1.介绍GydF4y2Ba

由于其潜在的应用，诸如固态照明，通信，灭菌，消毒，水或空气净化，以及生物化学的潜在应用，III氮化物的发光二极管（LED）已经获得了广泛的关注。GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba-GydF4y2Ba 7.GydF4y2Ba]．基于gan的led覆盖范围包括紫外线(UV)，整个可见光和近红外光谱(6.2 eV ~ 0.7 eV)，这是由于铟或铝的不同组成[GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba]．gan基可见光led的市场化已被AlGaN紫外led取代，成为下一个研究热点。目前，异质外延技术是采用金属-有机化学气相沉积(MOCVD)体系制备AlGaN UV LEDs的方法，但作为高温异质外延方法，存在晶格和热失配等问题[GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba那GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba那GydF4y2Ba 9.GydF4y2Ba]．外延层中螺纹位错(TDs)的高密度是由于材料参数在界面上的步进[GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba]．TDs中的非辐射复合中心降低了内部量子效率(IQE)，演变为损伤UV LEDs的热中心[GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba]．对于较低的TDS，提出了预沉积AlN / AlGaN和选择性面积生长（SAG）的两步生长过程[GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba]．由于晶体生长、芯片加工和封装技术的发展，365 nm、385 nm和405 nm的NUV-LEDs的外部量子效率(EQE)分别达到30%、50%和60% [GydF4y2Ba 6.GydF4y2Ba]．然而，电子 - 孔波函数的间隔分离的极化效果也极大地影响了LED的IQE [GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba]．非极化平面从自发和压电偏振中减少量子密闭的颗粒效应（QCSE）[GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba那GydF4y2Ba 13GydF4y2Ba]．赵等人。在基于飞机的Algan的多量子阱（MQW）中，在279nm处获得高达39％的IQE [GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba]．随着晶体生长的快速发展和半导体制造工艺的改善，Si（111）上的微杂虫GaN基UV LED可以通过下垂改善EQE，其归因于横向生长的（1）高GaN晶体质量[GydF4y2Ba 15GydF4y2Ba]，(2)金字塔结构的半极面[GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba]，以及(3)金字塔的六个面更大的发射面积。然而，其相关的研究工作却鲜有报道，尤其是单电驱动氮化镓基UV LED。GydF4y2Ba

因此，在本工作中，采用选择性面积生长技术在Si(111)衬底上制备了微棱锥垂直氮化镓基UV LED。金字塔顶端的六个半极面由于降低了TDs和较低的极化效应而大大提高了EQE。微棱锥型UV LED在小电流注入下具有较高的光输出强度，单位面积串联电阻仅为传统垂直LED的四分之一。利用这些特性，微棱锥型UV LED可以作为超小型UV光源，具有较高的输出功率。单电驱动微锥体UV LED在−10 V下的反向漏电流为2 nA。微棱锥垂直gan基UV LED的顶部是一个高亮度区域。然而，由于泄漏电流、底部位错的非辐射复合以及金字塔六个平面的90°TDs，金字塔的平面和底部不发光。GydF4y2Ba

 2.实验GydF4y2Ba

在低压MOCVD系统中，在2英寸Si（111）上进行微嘧啶UV LED生长。垂直结构旨在减少当前拥挤，如图所示GydF4y2Ba 1（a）GydF4y2Ba．n型Si的电阻率小于0.02Ω·cm。在外延生长之前，除去Si（111）平面上的杂质和氧化物，用H顺序清洁N型SiGydF4y2Ba2GydF4y2Ba所以GydF4y2Ba4.GydF4y2Ba : H2GydF4y2BaO.GydF4y2Ba2GydF4y2Ba : H2GydF4y2Bao = 3：1：1，丙酮溶液和异丙醇溶液。~50 / 1000nm厚N-AlGaN / ALN：Si膜在1095℃下在Si底物上生长。随后，100nm厚的无定形SiOGydF4y2Ba2GydF4y2Ba采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在alan /AlN/Si表面沉积一层薄膜。之后，SiO的面具GydF4y2Ba2GydF4y2Ba5.0 - - - - - -GydF4y2Ba μ.GydF4y2Ba直径m的窗口开口与60GydF4y2Ba μ.GydF4y2Bam周期采用湿法蚀刻(HF: HGydF4y2Ba2GydF4y2Bao = 1: 10)。清洗后,SiOGydF4y2Ba2GydF4y2Ba/ AlGaN / AlN / Si再次用于基于N型GaN的微嘧啶的外延生长。GaN在窗口区域的凹陷中的生长属于次级外延，而甘甘快速成长，自图案化SiO的窗口GydF4y2Ba2GydF4y2Ba掩模暴露了AlGaN层。GA原子没有留在非晶SiO上GydF4y2Ba2GydF4y2Ba由于高温分解Ga-O和异质外延较大的成核能造成的掩模。然而，Ga原子横向迁移到窗口区进行横向生长，最终愈合为顶部的一点，形成n型氮化镓基金字塔结构。在六个半极平面上生长了三对GaN/GaN量子阱{1GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba ¯GydF4y2Ba 然后生长出p型AlGaN/GaN: Mg。Ga、Al和N元素由三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)、三甲基铝(TMAl)和氨(NH)提供GydF4y2Ba3.GydF4y2Ba）， 分别。GydF4y2Ba

(a)结构示意图。(b)无电极微棱锥型UV LED的俯视图和(c)前视图SEM图像。GydF4y2Ba

表中显示了窗口区域中微滤网LED的详细生长条件GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba．GydF4y2Ba

窗口区域中微嘧啶LED的生长条件。GydF4y2Ba

TMGA（SCCM）GydF4y2Ba TMAl (sccm)GydF4y2Ba TEGa (sccm)GydF4y2Ba 压力（mbar）GydF4y2Ba 温度（°C）GydF4y2Ba 时间（分钟）GydF4y2Ba
n-GaNGydF4y2Ba 40GydF4y2Ba -GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 300GydF4y2Ba 1095GydF4y2Ba 20.GydF4y2Ba
n-algan.GydF4y2Ba 40GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba -GydF4y2Ba One hundred.GydF4y2Ba 1100GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba
Algan障碍GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 170GydF4y2Ba 200GydF4y2Ba 880GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba
Gan Well.GydF4y2Ba -GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 340GydF4y2Ba 200GydF4y2Ba 800GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba
P-Algan.GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 210GydF4y2Ba 200GydF4y2Ba 980GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba
p-GaNGydF4y2Ba -GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 210GydF4y2Ba 200GydF4y2Ba 980GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba

扫描电子显微镜(SEM)图像图GydF4y2Ba 1（b）GydF4y2Ba和GydF4y2Ba 1（c）GydF4y2Ba表明，六个半机平面的微杂氮是对称的和光滑的。底部直径（20  μ.GydF4y2BaM）由于横向生长，微嘧啶的窗口远大于面膜的窗口。{1之间的角度GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba ¯GydF4y2Ba 01}和（0001）晶体平面为62°。将250nm厚的氧化铟锡（ITO）膜沉积在微嘧啶LED上作为透明导电层（TCL），然后在550℃下进行热退火30分钟，氮气（nGydF4y2Ba2GydF4y2Ba)环境。采用电子束蒸发技术将Ti/AuSb/Au (10 nm/20 nm/200 nm)金属沉积在N型Si上，并在氮气(NGydF4y2Ba2GydF4y2Ba)环境。更详细的结构如图所示GydF4y2Ba 1（a）GydF4y2Ba．以这种方式，单电驱动微棱锥垂直氮化镓基UV LED被制造出来。GydF4y2Ba

 3.结果与讨论GydF4y2Ba

为了研究微滤网UV LED的电性能，通过Agilent B1500A测量电流 - 电压（I-V）特性，I-V曲线如图所示GydF4y2Ba 2（a）GydF4y2Ba．曲线显示了由于微锥体n-GaN/n-AlGaN和p-AlGaN/p-GaN层形成的典型p-n结的I-V特性。接通电压和串联电阻分别为~ 2.5 V和5.2 × 10GydF4y2Ba3.GydF4y2Ba分别Ω。单位面积串联电阻仅为垂直led的四分之一[GydF4y2Ba 16GydF4y2Ba]．此归属实际上导致高光输出功率。在生长和高质量的欧姆接触中掺杂导致低电阻。微嘧曲线紫外LED的反向漏电流在-10V下为2NA。微杂氮紫外LED中有很少的反向漏电流通道，因为微滤网N-GaN释放来自晶格错配的部分应力，并且位错密度低。工作照片如图所示GydF4y2Ba 2（b）GydF4y2Ba，单微棱锥UV LED位于高亮度区域的中心。GydF4y2Ba

（a）I-V曲线和（b）微嘧啶UV LED的光学显微镜照片。GydF4y2Ba

数字GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba显示了微棱锥型UV LED在2 ~ 7ma不同电流下的电致发光光谱。微棱锥型UV LED在小电流注入下具有高的光输出强度。GydF4y2Ba

微嘧啶UV LED的EL光谱从2到7 mA的各种电流工作。GydF4y2Ba

在正偏压下，通过辐射重组通过P-GaN层中的孔通过AlGaN / GaN MQWS层并重新组合。EL曲线显示365nm和386nm的发射峰，其来自GaN / AlGaN MQWS和P-GaN层的发射[GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba),分别。386nm的峰高于365 nm的峰，这是因为Al的势垒中有Al的成分GydF4y2Ba0.06GydF4y2Ba遗传算法GydF4y2Ba0.94GydF4y2BaN/GaN MQWs低，p-GaN可吸收365 nm光[GydF4y2Ba 17GydF4y2Ba]．GydF4y2Ba

图中的插图GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba显示了分别注入电流为0.2 mA和2 mA时微棱锥UV LED的光学显微镜照片。微棱锥UV LED的光分布在顶部、底部六个角和边缘，这是由于金字塔顶部的高辐射复合效率[GydF4y2Ba 18GydF4y2Ba-GydF4y2Ba 20.GydF4y2Ba]．金字塔的顶部是由于TDS较低的高亮度区域，以及较低的偏振效应和六个半极性平面的较大发光面积。然而，由于在底部的位错的非偏移重组和在金字塔的六个平面下的六个平面上，金字塔的底部和六个平面不会以低电流发光。底部和六个边缘的光来自金字塔结构的波导的顶部的发射[GydF4y2Ba 21GydF4y2Ba那GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba]．随着喷射电流的增加，顶部的发射逐渐蔓延到底部。GydF4y2Ba

微锥体UV-LED的EL光谱如图所示GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba，波长的波长为365nm和386nm的峰值显示出红移随着注射电流的增加。为了更容易参考，365nm和386nm附近的峰值分别被命名为第一峰和第二峰。峰值位置和喷射电流之间的关系已经显示在图中GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba．GydF4y2Ba

第一和第二峰的位置与注入电流之间的关系。GydF4y2Ba

如图所示GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba，由于电流的热效应，两个峰的波长随着喷射电流的强度而增加。GydF4y2Ba

在200 - 800k温度范围内，GaN的带隙可以用Varshni方程表示为[GydF4y2Ba 23GydF4y2Ba那GydF4y2Ba 24GydF4y2Ba]．GydF4y2Ba （1）GydF4y2Ba E.GydF4y2Ba GGydF4y2Ba T.GydF4y2Ba =GydF4y2Ba E.GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 0.GydF4y2Ba K.GydF4y2Ba −GydF4y2Ba α.GydF4y2Ba T.GydF4y2Ba 2GydF4y2Ba βGydF4y2Ba +GydF4y2Ba T.GydF4y2Ba 那GydF4y2Ba 在哪里GydF4y2Ba E.GydF4y2Ba GGydF4y2Ba （0.  K.GydF4y2Ba) = 3.495 eV为GaN at的能带隙GydF4y2Ba T.GydF4y2Ba= 0GydF4y2Ba K.GydF4y2Ba;GydF4y2Ba α.GydF4y2Ba = 0.94 me V/K is the empirical constant; and βGydF4y2Ba = 791 K is associated with the Debye temperature [ 24GydF4y2Ba]．等式（GydF4y2Ba 1GydF4y2Ba）表示电流的热效应会导致带隙的减小，这导致EL光谱中的峰的红色移位。GydF4y2Ba

另一方面，传导带和费米水平的状态密度随着喷射电流的强度而增加，并且它将导致EL光谱中的峰的蓝色移位。两个因子的组合作用带来了波长365nm和386nm的峰的红色移位。GydF4y2Ba

 4。结论GydF4y2Ba

总之，在低压MOCVD系统中，在2英寸N-Si（111）上以2英寸N-Si（111）制造微杂氮垂直GaN的UV LED。金字塔的顶部是由于较低的TDS，偏振效应和六个半极性平面的较大发光面积导致的高亮度区域。然而，由于底部位错的漏电流和非散射重组，并且在金字塔的六个平面上，距离漏电流和不相互作用的漏电流和非散射重组，无光发射来自金字塔的底部和六个平面。单个微滤网UV LED的导通电压，串联电阻和反向漏电流为~2.5V，5.2×10GydF4y2Ba3.GydF4y2Ba−10 V时，分别为Ω和2na。单位面积串联电阻仅为传统垂直LED的四分之一，微棱锥型UV LED在小电流注入下具有较高的光输出强度。这意味着微棱锥型UV LED可以作为超小型UV光源，在小电流注入下具有较高的输出功率。此外，还解释了电能谱中365 nm和386 nm波长的峰随注入电流的增加而红移的原因。GydF4y2Ba

 数据可用性GydF4y2Ba

用于支持本研究结果的数据可根据要求可从相应的作者获得。GydF4y2Ba

 利益冲突GydF4y2Ba

作者声明他们没有利益冲突。GydF4y2Ba

 致谢GydF4y2Ba

广东省重点研发计划项目(no. 2019B010132001、no. 2019B010132003);国家自然科学基金和澳门科技发展基金联合资助项目(no. 2019B010132003);国家重点研发计划(no. 2016YFB0400105、no. 2017YFB0403001)和中山大学宽带隙半导体电力电子珠海重点技术实验室(no. 2016yfb0403001)资助。20167612042080001)。GydF4y2Ba

 男妓GydF4y2Ba f。GydF4y2Ba bGydF4y2Ba d . P。GydF4y2Ba 用于蓝色和绿色发光器件的氮化物基半导体GydF4y2Ba 自然GydF4y2Ba 1997年GydF4y2Ba 386GydF4y2Ba 6623GydF4y2Ba 351GydF4y2Ba 359GydF4y2Ba 10.1038 / 386351A0GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0030975368GydF4y2Ba VurgaftmanGydF4y2Ba 我。GydF4y2Ba 迈耶GydF4y2Ba j . R。GydF4y2Ba 拉姆GydF4y2Ba l R。GydF4y2Ba III-V复合半导体及其合金的带参数GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2001年GydF4y2Ba 89.GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 5815.GydF4y2Ba 5875.GydF4y2Ba 10.1063 / 1.1368156GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0035356466GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba W。GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba lGydF4y2Ba 基于高性能垂直GaN的SI基板近紫外线发光二极管GydF4y2Ba 材料化学学报GydF4y2Ba 2018GydF4y2Ba 6.GydF4y2Ba 42GydF4y2Ba 11255.GydF4y2Ba 11260GydF4y2Ba 10.1039 / C8TC04477E.GydF4y2Ba 2-S2.0-85056101793GydF4y2Ba 哦GydF4y2Ba J.-t.GydF4y2Ba 月亮GydF4y2Ba Y.-t.GydF4y2Ba 康GydF4y2Ba D.-S。GydF4y2Ba 使用前距溅射Aln成核层的6英寸蓝宝石衬底上的高效紫外线垂直发光二极管GydF4y2Ba 光学表达GydF4y2Ba 2018GydF4y2Ba 26GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 5111GydF4y2Ba 5117GydF4y2Ba 10.1364 / oe.26.005111GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba C. C.GydF4y2Ba 张ydF4y2Ba j·L。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba Z Z。GydF4y2Ba 超高注入电流密度下GaN衬底上微led的工作行为GydF4y2Ba 光学表达GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 27GydF4y2Ba 16GydF4y2Ba A1146.GydF4y2Ba A1155.GydF4y2Ba 10.1364 / oe.27.0a1146GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 85070315902GydF4y2Ba 全球GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba 木村GydF4y2Ba M。GydF4y2Ba NoudaGydF4y2Ba 年代。GydF4y2Ba 紫外光发光二极管的发展与展望:紫外光发光二极管将取代紫外光灯GydF4y2Ba 半导体科学与技术GydF4y2Ba 2014GydF4y2Ba 29GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba 084004GydF4y2Ba 10.1088 / 0268 - 1242/29/8/084004GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84904693124GydF4y2Ba 肖GydF4y2Ba 年代。GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba T。GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba T。GydF4y2Ba 周GydF4y2Ba C。GydF4y2Ba 江GydF4y2Ba X。GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba J。GydF4y2Ba 主动超材料和元数据：审查GydF4y2Ba 物理学报D:应用物理GydF4y2Ba 2020GydF4y2Ba 53GydF4y2Ba 50GydF4y2Ba 503002GydF4y2Ba 10.1088 / 1361 - 6463 /列线图GydF4y2Ba Reshchikov.GydF4y2Ba 嘛。GydF4y2Ba Morko̧GydF4y2Ba H。GydF4y2Ba GaN中缺陷的发光性质GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2005年GydF4y2Ba 97.GydF4y2Ba 6.GydF4y2Ba 061301GydF4y2Ba 10.1063 / 1.1868059GydF4y2Ba 2-S2.0-20644450567GydF4y2Ba ZubiaGydF4y2Ba D.GydF4y2Ba HerseeGydF4y2Ba S. D.GydF4y2Ba 纳米异质外延:纳米结构和衬底顺应性在不匹配半导体材料异质外延中的应用GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 1999年GydF4y2Ba 85.GydF4y2Ba 9.GydF4y2Ba 6492GydF4y2Ba 6496GydF4y2Ba 10.1063/1.370153GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0032620707GydF4y2Ba 天野之弥GydF4y2Ba H。GydF4y2Ba SawakiGydF4y2Ba N。GydF4y2Ba Akasaki.GydF4y2Ba 我。GydF4y2Ba 丰田章男GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba 使用AlN缓冲层的高质量GaN薄膜的金属有机气相外延生长GydF4y2Ba 应用物理字母GydF4y2Ba 1986年GydF4y2Ba 48GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 353GydF4y2Ba 355GydF4y2Ba 10.1063 / 1.96549GydF4y2Ba 2-S2.0-0023040588GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba 生命值。GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba G. Y.GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba J。GydF4y2Ba Poplawsky.GydF4y2Ba J. D.GydF4y2Ba DierolfGydF4y2Ba V。GydF4y2Ba 炭素GydF4y2Ba N。GydF4y2Ba 具有大重叠量子阱的高内量子效率绿色InGaN发光二极管的研究GydF4y2Ba 光学表达GydF4y2Ba 2011年GydF4y2Ba 19GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba A991GydF4y2Ba A1007GydF4y2Ba 10.1364 / OE.19.00A991GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 79959907003GydF4y2Ba 着你GydF4y2Ba j . H。GydF4y2Ba yoder.GydF4y2Ba p D。GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba j . P。GydF4y2Ba 控制基于IngaN的量子阱中量子狭窄的缺斑效应GydF4y2Ba IEEE量子电子学专题期刊GydF4y2Ba 2009年GydF4y2Ba 15GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 1080GydF4y2Ba 1091GydF4y2Ba yu.GydF4y2Ba e . T。GydF4y2Ba 当GydF4y2Ba X. Z.GydF4y2Ba AsbeckGydF4y2Ba P. M.GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba S. S.GydF4y2Ba 沙利文GydF4y2Ba G. J.GydF4y2Ba III-V氮化物异质结构中的自发极化效应和压电极化效应GydF4y2Ba 真空科学与技术B:微电子与纳米结构GydF4y2Ba 1999年GydF4y2Ba 17GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 1742年GydF4y2Ba 1749.GydF4y2Ba 10.1116 / 1.590818GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba J。GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba X。GydF4y2Ba 他GydF4y2Ba J。GydF4y2Ba r平面蓝宝石衬底上生长的非极性a平面gan基多量子阱的高内量子效率GydF4y2Ba ACS Photonics.GydF4y2Ba 2018GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 1903GydF4y2Ba 1906GydF4y2Ba 10.1021 / acsphotonics.8b00283GydF4y2Ba 2-S2.0-85046436719GydF4y2Ba 田中GydF4y2Ba 年代。GydF4y2Ba 川口GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba SawakiGydF4y2Ba N。GydF4y2Ba 希比诺岛GydF4y2Ba M。GydF4y2Ba 一品”GydF4y2Ba K。GydF4y2Ba 选择性区域生长GaN金字塔的缺陷结构（111）Si衬底GydF4y2Ba 应用物理字母GydF4y2Ba 2000年GydF4y2Ba 76.GydF4y2Ba 19GydF4y2Ba 2701GydF4y2Ba 2703GydF4y2Ba 10.1063 / 1.126448GydF4y2Ba 2-S2.0-0001350656GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba y . B。GydF4y2Ba 林GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba 翔GydF4y2Ba P。GydF4y2Ba Si(111)衬底上具有AlN/GaN分布布拉格反射镜的垂直导电InGaN/GaN多量子阱ledGydF4y2Ba 应用物理表达GydF4y2Ba 2014GydF4y2Ba 7.GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 042102GydF4y2Ba 10.7567 / apex.7.042102GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84904692192GydF4y2Ba Otsuka.GydF4y2Ba N。GydF4y2Ba TsujimuraGydF4y2Ba 一种。GydF4y2Ba Haegawa.GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba SugaharaGydF4y2Ba G。GydF4y2Ba kume.GydF4y2Ba M。GydF4y2Ba 禁止GydF4y2Ba y。GydF4y2Ba 蓝宝石衬底上的Al0.13Ga0.87N/Al0.10Ga0.90N双异质结构发光二极管的室温339 nm发光GydF4y2Ba 日本应用物理杂志GydF4y2Ba 2000年GydF4y2Ba 39GydF4y2Ba 5 bGydF4y2Ba L445GydF4y2Ba L448GydF4y2Ba 10.1143 / JJAP.39.L445GydF4y2Ba 莫马马尔GydF4y2Ba B.GydF4y2Ba PaskovGydF4y2Ba P. P.GydF4y2Ba 伯格曼GydF4y2Ba j . P。GydF4y2Ba GaN中的自由和结合激子的重组GydF4y2Ba 固体BGydF4y2Ba 2008年GydF4y2Ba 245GydF4y2Ba 9.GydF4y2Ba 1723.GydF4y2Ba 1740.GydF4y2Ba 10.1002 / PSSB.200844059.GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 54949109784GydF4y2Ba 刘GydF4y2Ba lGydF4y2Ba 王GydF4y2Ba lGydF4y2Ba 陆GydF4y2Ba C。GydF4y2Ba 基于InGaN衬底的紫外InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光效率的提高GydF4y2Ba 应用物理A.GydF4y2Ba 2012年GydF4y2Ba 108GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 771GydF4y2Ba 776GydF4y2Ba 10.1007 / S00339-012-6967-6GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84865201239GydF4y2Ba ChernyakovaGydF4y2Ba 答:E。GydF4y2Ba SobolevaGydF4y2Ba 毫米。GydF4y2Ba 拉特尼科娃GydF4y2Ba 诉V。GydF4y2Ba Shmidta.GydF4y2Ba N. M.GydF4y2Ba YakimovGydF4y2Ba E. B.GydF4y2Ba InGaN/GaN LED缺陷系统的非辐射复合动力学GydF4y2Ba 超晶格和微观结构GydF4y2Ba 2009年GydF4y2Ba 45GydF4y2Ba 4-5GydF4y2Ba 301GydF4y2Ba 307GydF4y2Ba 10.1016 / J.SPMI.2008.10.045GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 62949235867GydF4y2Ba 江GydF4y2Ba H. X.GydF4y2Ba 林GydF4y2Ba J. Y.GydF4y2Ba 曾GydF4y2Ba K. C.GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba W。GydF4y2Ba GaN金字塔微透视中的光学谐振模式GydF4y2Ba 应用物理字母GydF4y2Ba 1999年GydF4y2Ba 75.GydF4y2Ba 6.GydF4y2Ba 763GydF4y2Ba 765GydF4y2Ba 10.1063/1.124505GydF4y2Ba 2-S2.0-0032607108GydF4y2Ba 大卫GydF4y2Ba 一种。GydF4y2Ba 迈耶GydF4y2Ba C。GydF4y2Ba 番石榴GydF4y2Ba R。GydF4y2Ba 用于光提取的二维图案化多模GaN波导的光子带GydF4y2Ba 应用物理字母GydF4y2Ba 2005年GydF4y2Ba 87.GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 101107.GydF4y2Ba 10.1063/1.2039987GydF4y2Ba 2-S2.0-24644493232GydF4y2Ba RavindraGydF4y2Ba N. M.GydF4y2Ba Srivastava.GydF4y2Ba V. K.GydF4y2Ba 半导体中能隙的温度依赖性GydF4y2Ba 固体物理与化学杂志GydF4y2Ba 1979年GydF4y2Ba 40GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 791GydF4y2Ba 793GydF4y2Ba 10.1016 / 0022 - 3697 (79) 90162 - 8GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0018734317GydF4y2Ba 尼泊尔GydF4y2Ba N。GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba J。GydF4y2Ba nakarmi.GydF4y2Ba M. L.GydF4y2Ba 林GydF4y2Ba J. Y.GydF4y2Ba 江GydF4y2Ba H. X.GydF4y2Ba AlGaN合金能隙的温度和成分依赖性GydF4y2Ba 应用物理字母GydF4y2Ba 2005年GydF4y2Ba 87.GydF4y2Ba 24GydF4y2Ba 242104GydF4y2Ba 10.1063 / 1.2142333GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 28844487413GydF4y2Ba