ACMPgydF4y2B一个 凝聚态物理的进步gydF4y2B一个 1687 - 8124gydF4y2B一个 1687 - 8108gydF4y2B一个 HindawigydF4y2B一个 10.1155 / 2020/6410573gydF4y2B一个 6410573gydF4y2B一个 研究文章gydF4y2B一个 电气特性的Si /氧化锌奈米棒PN异质结二极管gydF4y2B一个 https://orcid.org/0000 - 0002 - 0677 - 1899gydF4y2B一个 "gydF4y2B一个 Sadia MunizagydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 沙阿gydF4y2B一个 瓦克尔gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 艾尔维gydF4y2B一个 Naveed Ul哈桑gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 https://orcid.org/0000 - 0002 - 2467 - 745 xgydF4y2B一个 努尔gydF4y2B一个 俄梅珥gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个 华gydF4y2B一个 Qamar UlgydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 加尔佩林gydF4y2B一个 尤里gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 电子设计中心gydF4y2B一个 电子工程系gydF4y2B一个 内德大学的工程和技术gydF4y2B一个 卡拉奇- 75270gydF4y2B一个 巴基斯坦gydF4y2B一个 neduet.edu.pkgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 有机电子实验室gydF4y2B一个 科学和技术gydF4y2B一个 林雪平大学gydF4y2B一个 林雪平s - 60174gydF4y2B一个 瑞典gydF4y2B一个 liu.segydF4y2B一个 3gydF4y2B一个 科技部(ITN)gydF4y2B一个 科学与工程学院gydF4y2B一个 林雪平大学gydF4y2B一个 林雪平gydF4y2B一个 瑞典gydF4y2B一个 liu.segydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 科技大学的gydF4y2B一个 瑙谢拉- 24100gydF4y2B一个 巴基斯坦gydF4y2B一个 uotnowshera.edu.pkgydF4y2B一个 2020年gydF4y2B一个 13gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 2020年gydF4y2B一个 2020年gydF4y2B一个 22gydF4y2B一个 07年gydF4y2B一个 2019年gydF4y2B一个 16gydF4y2B一个 03gydF4y2B一个 2020年gydF4y2B一个 13gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 2020年gydF4y2B一个 2020年gydF4y2B一个 版权©2020 Sadia Muniza "等。gydF4y2B一个 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2B一个

的电特性p-Silicon (Si)和n-Zinc氧化物(氧化锌)奈米棒异质结二极管已经完成。氧化锌纳米棒生长在p-Silicon衬底的水化学增长(ACG)方法。SEM图像显示高密度,垂直对齐的六角氧化锌纳米棒平均高度约为1.2gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个m。电气特性的n-ZnO纳米棒/ p-Si异质结二极管是由电流电压(电流-电压),capacitance-voltage (C-V)和conductance-voltage (G-V)在室温下测量。异质结表现出良好的电特性与diode-like整流行为的理想因子2.7,52岁的修正因子,势垒高度0.7 V。能带(EB)结构已研究调查因素负责小的修正因子。为了调查nonidealities,界面状态的串联电阻和分布密度(NgydF4y2B一个党卫军gydF4y2B一个)低于导带(CB)的帮助下提取电流-电压和C-V G-V测量。系列电阻被发现是0.70,0.73,和0.75 KΩ,界面态密度分布从8.38×10gydF4y2B一个12gydF4y2B一个5.83×10gydF4y2B一个11gydF4y2B一个电动汽车gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−2gydF4y2B一个得到从0.01 eV 0.55 eV低于导带。gydF4y2B一个

 内德大学的工程和技术gydF4y2B一个 1。介绍gydF4y2B一个

氧化锌是一种很有前途的和环境友好的半导体,激子结合能(60 meV)和直接宽带隙(3.37 eV)。它有优越的物理特性,如高击穿电场,高电子饱和速度;辐射宽容,和热导率gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个),这使它使大功率和高温设备。透明导电氧化物,它有潜力取代氧化铟锡(ITO)光伏发电。短波长光发射器和探测器在近紫外(UV)波长可以由氧化锌。gydF4y2B一个

电子级散装、薄膜和纳米氧化锌可以容易和廉价的生长基质通过不同的增长或沉积方法和带隙的裁剪gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个]。同质结氧化锌很难实现,因为可再生的p型与期望的空穴浓度没有减少仍在研究[gydF4y2B一个 6gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 7gydF4y2B一个]。然而,垂直的氧化锌各种半导体最常见的硅,实现氮化镓,SiC的制造发光二极管,光电探测器、太阳能电池、生物传感器等。gydF4y2B一个 8gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 11gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

为实现氧化锌的异质结、硅是最具吸引力的选择,因为它的低成本和大面积晶片。因此,Si /氧化锌异质结的制备不同的技术感兴趣的话题,和几项研究已经报道了他们的特征和设备制造潜在的应用gydF4y2B一个 12gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 15gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

在目前的工作中,我们报告的增长、制造、和表征结果p-Si / n-ZnO奈米棒异质结二极管。的结构、光学和电特性研究了扫描电子显微镜(SEM),光致发光(PL),电流电压(电流-电压),和capacitance-voltage (C-V)测量。电气参数包括势垒高度(gydF4y2B一个 φgydF4y2B一个BgydF4y2B一个),理想因子(gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个),串联电阻(gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个,掺杂浓度(NgydF4y2B一个dgydF4y2B一个)和界面态密度(NgydF4y2B一个党卫军gydF4y2B一个)也报道。gydF4y2B一个

 2。材料和方法gydF4y2B一个

氧化锌纳米棒生长在p-Si基质的10(100)取向的兴奋剂gydF4y2B一个16gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−3gydF4y2B一个和1.38Ωcm电导率。增长之前,基板与每个丙酮和甲醇超声清洗15分钟,然后用去离子水冲洗顺序从表面去除污染和灰尘。gydF4y2B一个

氧化锌纳米棒是增长了著名的低温水化学增长(ACG)方法(gydF4y2B一个 16gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 19gydF4y2B一个]。最初,一粒种子层的解决方案是由稀释乙酸锌在甲醇脱水。几滴种子溶液spin-coated基质。涂层的步骤重复了三次,然后样本在250°C在空气中加热20分钟屈服层衬底上的氧化锌。制备的解决方案,分析试剂级hexamethylenetetramine (HMT) (CgydF4y2B一个6gydF4y2B一个HgydF4y2B一个12gydF4y2B一个NgydF4y2B一个4gydF4y2B一个)和硝酸锌(锌(没有gydF4y2B一个3gydF4y2B一个)26小时gydF4y2B一个2gydF4y2B一个O) 0.022 - -0.075毫米是使用前未经纯化。解决方案准备的克分子数相等的浓度硝酸锌和hexamethylenetetramine溶解在200毫升的去离子水在室温下。为了得到一个齐次解了60°C磁性搅拌30分钟的完全混合。样品被放置在溶液中与种子层面对一定的角度。溶液的容器密封铝箔和加热4小时的96°C。生长过程后,样本与去离子水清洗去除有机氮盐和呆板乏味。gydF4y2B一个

异质结的制备,绝缘层的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) spin-coated在纳米棒之间的样本以填补空白。PMMA纳米层防止承运人之间的相互作用。它隔离了电触点、沉积纳米棒的顶端,从到达Si衬底。然后,进行氧等离子体清洗去除多余PPMA纳米棒的顶端。大约150纳米厚的欧姆接触的铝(Al)蒸发p-Si衬底上真空室。铝/ Pt nonalloyed圆接触被蒸发形成欧姆接触n-ZnO纳米棒。Pt / Al联系人的厚度是50/60 nm直径0.58毫米和1.2×10的具体接触电阻gydF4y2Ba−5gydF4y2B一个Ω-cmgydF4y2B一个−2gydF4y2B一个。氧化锌纳米棒的生长和设备制造步骤如图所示gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个。gydF4y2B一个

循序渐进的增长和设备制造过程。gydF4y2B一个

氧化锌纳米棒的结构特点进行了研究使用jeoljsm - 6301 f扫描电子显微镜(SEM)。电流电压(电流-电压)和capacitance-voltage (C-V)测量进行了使用吉时利scs - 4200通过探针台样品。gydF4y2B一个

 3所示。结果与讨论gydF4y2B一个

氧化锌纳米棒的形态和大小分布研究了扫描电镜。垂直对齐,密集的六角型纳米平均直径180 - 300 nm和近似1.4的高度gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个m是显示如图gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个。尽管纳米基质上并不完全一致,他们倾向于衬底上生长垂直几乎均匀分布。4.66 - -7.77的标准宽高比(SAR)获得除以棒的长度与直径与报道一致值热水地生长氧化锌纳米棒(gydF4y2B一个 20.gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 21gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

扫描电镜图像的氧化锌纳米棒p-Si衬底上生长。gydF4y2B一个

电流电压(电流-电压)Si /氧化锌pn异质结的特点研究了在室温下的电压范围从10 + 10 V,如图gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个;插图显示了Si /氧化锌异质结的示意图。gydF4y2B一个

Si /氧化锌异质结的电流电压特征。gydF4y2B一个

这些特征显示非线性整流行为刺激电压为0.6 V。当前整顿因子(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个向前gydF4y2B一个/gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个反向gydF4y2B一个)被发现52±5 V测量。理想的价值因子(gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个)和势垒高度(gydF4y2B一个 ϕgydF4y2B一个ΒgydF4y2B一个)提取利用肖克利方程给出的基于热电子发射模型方程(gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个)和(gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个)。gydF4y2B一个 (1)gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 (2)gydF4y2B一个 ϕgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个该地区(10.86×10gydF4y2B一个−3gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个2gydF4y2B一个),gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个ogydF4y2B一个是饱和电流,gydF4y2B一个 kgydF4y2B一个BgydF4y2B一个玻尔兹曼常数,gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 是32的理查森常数有价值/厘米吗gydF4y2B一个2gydF4y2B一个KgydF4y2B一个2gydF4y2B一个n-ZnO。理查森常数是提取gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 = 120×mgydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 / mgydF4y2B一个ogydF4y2B一个一个/厘米gydF4y2B一个2gydF4y2B一个KgydF4y2B一个2gydF4y2B一个,米gydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 是有效质量的氧化锌作为0.275米gydF4y2B一个ogydF4y2B一个对于电子(gydF4y2B一个 17gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

获得理想的价值因素和势垒高度是2.7和0.70 V,分别。理想的高价值的因素是归因于聚集地串联电阻和存在的界面。gydF4y2B一个

研究电荷传输机制的Si /氧化锌异质结,电流电压的对数图(日志gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个日志gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个)在正向偏压下进行了研究。gydF4y2B一个

对于我们的异质结,日志gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个日志gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个情节是有三个区域,如图gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个。我是低正向电压(gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个< 0.6 V)和线性(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个∼gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个)电流电压关系代表一个电阻的电流传输机制。这意味着隧道可能负责电荷传输。当前的小价值是由于有限的载体从电极注入到半导体在低偏差。gydF4y2B一个

日志,gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个对日志-gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个异质结的特征。gydF4y2B一个

第二是中度正向电压(0.8 V < < 3.4 V)。这个地区的指数增加电流观测与电压的关系gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个∼gydF4y2B一个 egydF4y2B一个KVgydF4y2B一个,K是一个常数称为注入效率不变。的更高的价值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个显示更高的载波注入(gydF4y2B一个 15gydF4y2B一个]。我们的异质结的价值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个是1.02 VgydF4y2B一个−1gydF4y2B一个在第二分区拟合得到的电流-电压曲线。的小价值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个表明运营商诱导的热发射表面状态和陷阱很低(gydF4y2B一个 17gydF4y2B一个]。这意味着电荷传输涉及重组隧道机制通常观察到宽的带隙异质结。gydF4y2B一个

Region-III结电压高地区(3.4 V < V < 10)。在这个地区,电流电压特性被发现遵循幂律(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个∼gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 lgydF4y2B一个),gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个是一个常数,为我们的二极管的价值gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个是gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个1.5∼。的价值gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个小于2认为,当前是归因于陷阱电荷限制电流(TCLC)与困结费用的分配。这种行为通常是在较低的材料自由电荷载体浓度(gydF4y2B一个 22gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 25gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

capacitance-voltage (gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个)在1 MHz的频率特性测量在室温下如图所示gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个。通过绘制的逆平方面积每结电容(gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个2gydF4y2B一个/gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个2gydF4y2B一个)对应用反向电压(gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个),内置的潜力(gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个bigydF4y2B一个)、势垒高度(gydF4y2B一个 φgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 )和掺杂浓度(gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个dgydF4y2B一个可以提取)。内置的潜力是通过线性外推法gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个2gydF4y2B一个/gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个2gydF4y2B一个轴电压(图gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个)。与外加电压的拦截轴产生一个内置的0.8 V的潜力。1.3×10的掺杂浓度gydF4y2B一个13gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个已经提取曲线的线性部分的斜率用方程(gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个)gydF4y2B一个 (3)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个年代gydF4y2B一个氧化锌的相对介电常数是值为8.2。1.12 V的势垒高度是通过使用以下方程:gydF4y2B一个 (4)gydF4y2B一个 φgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 lngydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 其中NgydF4y2B一个CgydF4y2B一个有效态密度在导带(CB)。它的值是3.5×10gydF4y2B一个18gydF4y2B一个/厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个氧化锌,得到以下方程:gydF4y2B一个 (5)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 πgydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 hgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个电子的有效质量的gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 0.27gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 。从获得的势垒高度gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个测量相对比从获得的势垒高度gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个测量。这是由于屏障inhomogenities,形象力,和表面缺陷gydF4y2B一个 26gydF4y2B一个]。其次,界面陷阱不响应应用交流信号有时不会导致电容在更高的频率gydF4y2B一个 27gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 28gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

CgydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个和gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个/ CgydF4y2B一个2gydF4y2B一个vs。gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个图1 MHz的频率。gydF4y2B一个

在高电压,gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个设备偏离线性的特征由于串联电阻和接口的存在状态。电流电压(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个)基于热电子发射特征(TE)是由以下方程:gydF4y2B一个 (6)gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 经验值gydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个是起着关键作用的串联电阻,影响设备的行为。我们提取的串联电阻的方法提出的chueng [gydF4y2B一个 24gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 29日gydF4y2B一个)由以下方程:gydF4y2B一个 (7)gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 。gydF4y2B一个

的情节gydF4y2B一个 dVgydF4y2B一个/gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个(lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)与电流如图gydF4y2B一个 6gydF4y2B一个。在线性拟合的曲线,我们获得串联电阻曲线的斜率和理想的因素gydF4y2B一个 ygydF4y2B一个拦截。串联电阻的获得价值和理想因子是0.75 KΩ和5.7,分别。gydF4y2B一个

dVgydF4y2B一个/gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个(1 ngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)与正向电流。gydF4y2B一个

此外,势垒高度和串联电阻也提取通过绘制函数gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)与当前由以下方程:gydF4y2B一个 (8)gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 ∗gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 。gydF4y2B一个 (9)gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 φgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 。gydF4y2B一个

的情节gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)与电流如图gydF4y2B一个 7gydF4y2B一个。这是观察到,gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)增加线性增加的电流。串联电阻的值从曲线的斜率为0.73 KΩ,和势垒高度计算gydF4y2B一个 ygydF4y2B一个通过方程(拦截使用理想的因素gydF4y2B一个 6gydF4y2B一个),发现0.70。情节串联电阻的值计算的H (I)与电流接近的价值从情节获得dV / d (lnI)与电流,这张的一致性的方法。串联电阻提取的直接法(ΔV /ΔI)从0.77 KΩ电流电压特性。gydF4y2B一个

HgydF4y2B一个(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)与正向电流。gydF4y2B一个

电气参数提取p-Si / n-ZnO异质结已经与文学相比如表所示gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个。KΩ系列电阻的值0.77,0.73 KΩ和0.75 KΩ不同方法获得的异质结。然而这些值较高的一侧小于3.2的值KΩ和2.69/2.70 KΩ报道(gydF4y2B一个 30.gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 33gydF4y2B一个),分别。势垒高度和理想因子与报道值一致。高价值的理想因素获得了Si /氧化锌异质结二极管是归因于屏障不均一,串联电阻,连接存在的缺陷。我们结的掺杂浓度低于文献报道值。对于氧化锌,这无意的n型掺杂是由于氧空位充当donor-like原生点缺陷。小的价值和可能是由于更少的氧气空位的数量。高串联电阻和小掺杂浓度的限制因素是多数载流子的注入在正向偏压下,减少整流的因素。gydF4y2Ba

提取参数的Si /氧化锌异质结,与以前的工作。gydF4y2B一个

RsgydF4y2B一个(Ω)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 FgydF4y2B一个BgydF4y2B一个(eV)gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个o (1)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个dgydF4y2B一个(cmgydF4y2B一个−3gydF4y2B一个)gydF4y2B一个 如果/红外gydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 30.gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 0.696gydF4y2B一个 1×10gydF4y2B一个−6gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 22 @±3 vgydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 31日gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 92.5gydF4y2B一个 2.16gydF4y2B一个 0.59gydF4y2B一个 3.66×10gydF4y2B一个−8gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 7350 @±2 vgydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 26gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 7.19gydF4y2B一个 0.7gydF4y2B一个 9×10gydF4y2B一个−10gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 32gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 3.2gydF4y2B一个 0.74gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 4.02×10gydF4y2B一个15gydF4y2B一个 840 @±5 vgydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 33gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 2.38gydF4y2B一个 0.74gydF4y2B一个 1.1×10gydF4y2B一个−7gydF4y2B一个 1.3×10gydF4y2B一个16gydF4y2B一个 @ 40±4 vgydF4y2B一个
我们的工作gydF4y2B一个 0.77 KgydF4y2B一个 2。7gydF4y2B一个 0.7gydF4y2B一个 6×10gydF4y2B一个−8gydF4y2B一个 1.3×10gydF4y2B一个13gydF4y2B一个 @ 52±5 vgydF4y2B一个
Chueng方法gydF4y2B一个
RsgydF4y2B一个(Ω)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 ΦgydF4y2B一个BgydF4y2B一个(eV)gydF4y2B一个
dVgydF4y2B一个/gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个(gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个)gydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 30.gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 3.2 KgydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 7.02gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 31日gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 76年gydF4y2B一个 88年gydF4y2B一个 4.95gydF4y2B一个 0.63gydF4y2B一个
Ref。gydF4y2B一个 33gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 2.69 KgydF4y2B一个 2.706 KgydF4y2B一个 3.69gydF4y2B一个 0.85gydF4y2B一个
我们的工作gydF4y2B一个 0.75 KgydF4y2B一个 0.73 KgydF4y2B一个 5.7gydF4y2B一个 0.7gydF4y2B一个

整改的较小值因素和刺激电压有时归因于传导带的小价值(CB)抵消Si和氧化锌gydF4y2B一个 28gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 34gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 35gydF4y2B一个]。因此,能带(EB)图研究了。的能带图Si /氧化锌异质结是由安德森根据规则。EB结构孤立地区之前联系如图gydF4y2B一个 8(一个)gydF4y2B一个这描述了p-Si异质结和n-ZnO形成ⅱ型交错差距。传导和价带带偏移是由于不同的电子亲和力和带隙。gydF4y2B一个

能带图:(a)孤立地区之前形成结;(b)无偏结;(c)正向偏压结;(d)反向偏置的结。gydF4y2B一个

EB图在平衡如图gydF4y2B一个 8 (b)gydF4y2B一个。CB抵消(ΔEgydF4y2B一个CgydF4y2B一个)0.15 eVΔE安德森通过应用规则gydF4y2B一个CgydF4y2B一个=问gydF4y2B一个 χgydF4y2B一个氧化锌gydF4y2B一个qgydF4y2B一个 χgydF4y2B一个如果gydF4y2B一个,氧化锌的电子亲和力(qgydF4y2B一个 χgydF4y2B一个氧化锌gydF4y2B一个)和Si (qgydF4y2B一个 χgydF4y2B一个如果gydF4y2B一个)分别4.2 eV和4.05 eV (gydF4y2B一个 36gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 37gydF4y2B一个]。由于小值(0.15 eV),可能有一个流动的电子传导带的Si氧化锌的导带。但在价带,价带偏移量(ΔE的更大价值gydF4y2B一个VgydF4y2B一个)防止孔的运动氧化锌Si,ΔE的地方gydF4y2B一个VgydF4y2B一个=(问gydF4y2B一个 χgydF4y2B一个氧化锌gydF4y2B一个+如gydF4y2B一个氧化锌gydF4y2B一个)-(问gydF4y2B一个 χgydF4y2B一个如果gydF4y2B一个+如gydF4y2B一个如果gydF4y2B一个)=ΔEgydF4y2B一个CgydF4y2B一个+ΔEgydF4y2B一个ggydF4y2B一个= 2.4 eV。在这里,氧化锌的带隙(如gydF4y2B一个氧化锌gydF4y2B一个)和Si(如gydF4y2B一个如果gydF4y2B一个)分别3.37 eV和1.12 eV (gydF4y2B一个 38gydF4y2B一个]。氧化锌的费米能级的位置是通过使用方程(gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个),其中NgydF4y2B一个dgydF4y2B一个从获得的捐赠浓度吗gydF4y2B一个2gydF4y2B一个/ CgydF4y2B一个2gydF4y2B一个与V图:gydF4y2B一个 (10)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个 FgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 。gydF4y2B一个

为载体浓度p-Si高于氧化锌,耗尽区将在氧化锌主要扩展。因此,异质结的电流传输流被认为是主要的电子从n-ZnO p-Si (gydF4y2B一个 39gydF4y2B一个]。因此,当异质结正向偏置,会有电子从氧化锌流入如果由于降低结障碍如能带图如图所示gydF4y2B一个 8 (c)gydF4y2B一个。当前随着正向偏压的增加在p-Si由于电子注入和复合。然而,二极管电流趋于常数在较高的正向偏压由于串联电阻。名义增加反向电流将增加在反向电压增加结势垒,如图gydF4y2B一个 8 (d)gydF4y2B一个反向偏压。gydF4y2B一个

接口和界面态密度的质量起着至关重要的作用在半导体设备。几个设备势垒高度等参数,理想因子,修正因子影响由于界面的存在状态gydF4y2B一个 40gydF4y2B一个]。有时这些薄的复合绝缘界面层异质结的主要损失机制特别是异质结太阳能电池。gydF4y2B一个

这些接口状态的起源是未知的;然而,他们故意在接口介绍了由于扩展的空气接触,制造过程中化学反应,不完整的共价键在接口(gydF4y2B一个 41gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 42gydF4y2B一个]。这种缺陷产生大的界面态密度的分布也在能源和导致泄漏电流。gydF4y2B一个

的密度界面状态(gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个党卫军gydF4y2B一个)可以提取使用gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个和gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个使用以下方程(测量值gydF4y2B一个 43gydF4y2B一个]:gydF4y2B一个 (11)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 δgydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 WgydF4y2B一个 DgydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个我gydF4y2B一个和gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个年代gydF4y2B一个是绝缘体的介电常数(氧化)和半导体SiO有3.9和8.2的值吗gydF4y2B一个2gydF4y2B一个分别和氧化锌。在这里,的值gydF4y2B一个 εigydF4y2B一个/gydF4y2B一个 δgydF4y2B一个和gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个(V)提取使用以下方程:gydF4y2B一个 (12)gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 εgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 δgydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 (13)gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 lngydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个(gydF4y2B一个 vgydF4y2B一个 )是压敏电阻器理想因子,gydF4y2B一个 δgydF4y2B一个氧化层的厚度,gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 是它的电容,得到以下方程:gydF4y2B一个 (14)gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 GgydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 ωgydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个

下面的界面态的能量分布导带是通过使用以下方程:gydF4y2B一个 (15)gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个 cgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 问gydF4y2B一个 φgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 (16)gydF4y2B一个 φgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 ϕgydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 VgydF4y2B一个 −gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 φgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 是有效势垒高度,可以得到方程(gydF4y2B一个 16gydF4y2B一个)。gydF4y2B一个

下面的界面态传导带的分布如图gydF4y2B一个 9gydF4y2B一个。发现界面状态密度高传导带边缘附近(gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个CgydF4y2B一个)和减少单调接近中心的能源缺口。从8.38×10界面态密度下降gydF4y2B一个12gydF4y2B一个5.83×10gydF4y2B一个11gydF4y2B一个电动汽车gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−2gydF4y2B一个从欧共体−0.01gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个CgydF4y2B一个-0.55 eV低于gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个CgydF4y2B一个。gydF4y2B一个

界面态的分布(gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个党卫军gydF4y2B一个从电流-电压和C-V测量获得的)。gydF4y2B一个

界面态密度的分布(gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个ss)传导带(以下gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个c)是与文学相比,如表所示gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个。异质结的提取密度有着中等范围的值与报道相比值。的界面状态发挥必要作用在电子设备中,他们必须为了减少复合低,提高接头的性能。gydF4y2B一个

提取的界面态密度和以前的工作。gydF4y2B一个

EgydF4y2B一个c -gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个年代(eV)gydF4y2B一个 NgydF4y2B一个党卫军(eVgydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−2gydF4y2B一个)gydF4y2B一个
以前的工作(gydF4y2B一个 17gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 0.08 - -0.59gydF4y2B一个 5.20×10gydF4y2B一个11gydF4y2B一个-7.98×10gydF4y2B一个10gydF4y2B一个
以前的工作(gydF4y2B一个 26gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 0.12 - -1.0gydF4y2B一个 1.90×10gydF4y2B一个8gydF4y2B一个-1.15×10gydF4y2B一个8gydF4y2B一个
以前的工作(gydF4y2B一个 28gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 0.10 - -0.63gydF4y2B一个 3.18×10gydF4y2B一个13gydF4y2B一个-4.59×10gydF4y2B一个11gydF4y2B一个
以前的工作(gydF4y2B一个 44gydF4y2B一个]gydF4y2B一个 0.018 - -0.60gydF4y2B一个 3.00×10gydF4y2B一个12gydF4y2B一个-1.12×10gydF4y2B一个12gydF4y2B一个
我们的工作gydF4y2B一个 0.01 - -0.55gydF4y2B一个 8.38×10gydF4y2B一个12gydF4y2B一个-5.83×10gydF4y2B一个11gydF4y2B一个
4所示。结论gydF4y2B一个

电气特性p-Si / n-ZnO奈米棒异质结二极管已经完成。势垒高度的价值观,理想因子,修正因子,提取和内置的潜力。对于异质结,低价值的修正因子归因于小CB抵消;因此,研究了异质结的能带图和一个小的值(0.15 eV) CB抵消观察。串联电阻和界面状态是由于理想的高价值因素;因此,串联电阻和界面态密度的提取。串联电阻的值是0.75,0.73和0.77 KΩ通过不同的方法提取。电流-电压和C-V 8.38×10的界面态密度gydF4y2Ba12gydF4y2B一个-5.83×10gydF4y2B一个11gydF4y2B一个电动汽车gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−2gydF4y2B一个从gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个c−0.01gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个CgydF4y2B一个−0.55 eV低于gydF4y2B一个 EgydF4y2B一个CgydF4y2B一个获得了。界面状态的价值必须保持低为了减少表面复合和隧道。gydF4y2B一个

 数据可用性gydF4y2B一个

使用的数据来支持本研究的发现可以从相应的作者。gydF4y2B一个

 的利益冲突gydF4y2B一个

作者宣称没有利益冲突。gydF4y2B一个

 确认gydF4y2B一个

作者感谢支持苏丹卡布斯阿曼和设施的办公室的椅子上,电子设计中心内德大学的工程和技术。gydF4y2B一个

 WencksterngydF4y2B一个 h . V。gydF4y2B一个 布兰德gydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 施密特gydF4y2B一个 H。gydF4y2B一个 Donor-like缺陷氧化锌衬底材料和氧化锌薄膜gydF4y2B一个 应用物理gydF4y2B一个 2007年gydF4y2B一个 88年gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 135年gydF4y2B一个 139年gydF4y2B一个 艾尔维gydF4y2B一个 n . H。gydF4y2B一个 RiazgydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 TzamalisgydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 努尔gydF4y2B一个 O。gydF4y2B一个 WillandergydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 结温度n-ZnO纳米棒/ (p-4H-SiC、p-GaN p-Si)异质结的发光二极管gydF4y2B一个 固体电子学gydF4y2B一个 2010年gydF4y2B一个 54gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 536年gydF4y2B一个 540年gydF4y2B一个 10.1016 / j.sse.2010.01.020gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 77949286382gydF4y2B一个 DjurišićgydF4y2B一个 B。gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 X。gydF4y2B一个 梁gydF4y2B一个 y . H。gydF4y2B一个 NggydF4y2B一个 a . m . C。gydF4y2B一个 氧化锌纳米结构:增长、性能及应用gydF4y2B一个 《材料化学gydF4y2B一个 2012年gydF4y2B一个 22gydF4y2B一个 14gydF4y2B一个 6526年gydF4y2B一个 10.1039 / c2jm15548fgydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84863337688gydF4y2B一个 GaddamgydF4y2B一个 V。gydF4y2B一个 库马尔gydF4y2B一个 R R。gydF4y2B一个 ParmargydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 NayakgydF4y2B一个 M . M。gydF4y2B一个 RajannagydF4y2B一个 K。gydF4y2B一个 灵活的phynox合金衬底上合成氧化锌纳米棒:生长温度对其属性的影响gydF4y2B一个 RSC的进步gydF4y2B一个 2015年gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 109年gydF4y2B一个 89985年gydF4y2B一个 89992年gydF4y2B一个 10.1039 / c5ra12773dgydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84946084655gydF4y2B一个 FabbiyolagydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 肯尼迪gydF4y2B一个 l . J。gydF4y2B一个 能带隙工程掺杂氧化锌纳米结构的染料敏化太阳能电池的应用程序gydF4y2B一个 纳米科学和纳米技术杂志》上gydF4y2B一个 2019年gydF4y2B一个 19gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 2963年gydF4y2B一个 2970年gydF4y2B一个 10.1166 / jnn.2019.15830gydF4y2B一个 拉赫曼gydF4y2B一个 F。gydF4y2B一个 氧化锌发光二极管:审查gydF4y2B一个 光学工程gydF4y2B一个 2019年gydF4y2B一个 58gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 10.1117/1. oe.58.1.010901gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 85062622568gydF4y2B一个 JanottigydF4y2B一个 一个。gydF4y2B一个 Van De机器人瓦力gydF4y2B一个 c·G。gydF4y2B一个 氧化锌作为一种半导体的基础gydF4y2B一个 物理学进展报告gydF4y2B一个 2009年gydF4y2B一个 72年gydF4y2B一个 12gydF4y2B一个 126501年gydF4y2B一个 10.1088 / 0034 - 4885/72/12/126501gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 70449730669gydF4y2B一个 显象gydF4y2B一个 p·h·L。gydF4y2B一个 TrangydF4y2B一个 问:T。gydF4y2B一个 DinhgydF4y2B一个 d . 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V。gydF4y2B一个 小说的简单合成氧化锌纳米结构为半乳糖生物传感器的应用程序gydF4y2B一个 《纳米材料gydF4y2B一个 2019年gydF4y2B一个 2019年gydF4y2B一个 8gydF4y2B一个 2364327gydF4y2B一个 10.1155 / 2019/2364327gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 85062873013gydF4y2B一个 阿道夫gydF4y2B一个 D。gydF4y2B一个 我gydF4y2B一个 T。gydF4y2B一个 成核,在氮化镓外延生长的氧化锌(0001)gydF4y2B一个 应用表面科学gydF4y2B一个 2014年gydF4y2B一个 307年gydF4y2B一个 438年gydF4y2B一个 443年gydF4y2B一个 10.1016 / j.apsusc.2014.04.051gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84901295228gydF4y2B一个 袁gydF4y2B一个 C。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 美国F。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 s P。gydF4y2B一个 名记gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 t P。gydF4y2B一个 制造n-ZnO:艾尔∕p-SiC (4 h)异质结发光二极管通过过滤阴极真空电弧技术gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2005年gydF4y2B一个 86年gydF4y2B一个 24gydF4y2B一个 241111年gydF4y2B一个 10.1063/1.1947889gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 21344467673gydF4y2B一个 唐gydF4y2B一个 学术界。gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 K.-Y。gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 彭译葶。gydF4y2B一个 基于Solution-processed氧化锌/硅异质结构与增强的光催化性能gydF4y2B一个 新化学杂志gydF4y2B一个 2018年gydF4y2B一个 42gydF4y2B一个 16gydF4y2B一个 13797年gydF4y2B一个 13802年gydF4y2B一个 10.1039 / c8nj03015dgydF4y2B一个 2 - s2.0 - 85051569048gydF4y2B一个 GeorgiadougydF4y2B一个 d·G。gydF4y2B一个 UlmeanugydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 KompitsasgydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 ArgitisgydF4y2B一个 P。gydF4y2B一个 KandylagydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 可伸缩的制造纳米p-Si / n-ZnO垂直通过飞秒激光加工gydF4y2B一个 材料研究表达gydF4y2B一个 2014年gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 045902年gydF4y2B一个 10.1088 / 2053 - 1591/1/4/045902gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84953329744gydF4y2B一个 这gydF4y2B一个 k·l·P。gydF4y2B一个 阮gydF4y2B一个 l . 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