自旋一代、操纵和检测在低维材料进入了一个充满活力的新阶段。磁存储器的不断小型化和磁设备的集成到当前集成电路芯片材料和设备的科学家面临的新挑战,需要不断创新材料结构以及在设备和系统概念spin-dependent运输和磁性。在这一领域的最新进展,包括磁阻效应,稀释磁性半导体,霍尔效应,舞台,磁化切换、改进的硬磁性材料和低维材料的探索与控制自旋状态。

这个特殊问题的目的是阐明当前的一些作品进行新的合成方法和物理现象发生在纳米磁性材料将用于新一代的自旋电子元件。选择提交,6篇发表在这个特殊的问题。的 理论论文h . b .黄等人报道了strain-assisted自旋转移力矩(STT)诱发磁化切换CoFeB-based磁隧道结的相场方法结合微磁模拟。这项工作表明自由场磁化切换的一个新的方面,与之前报道进行比较方法,如自旋轨道转矩结合交换偏见和破碎的横向反对称性。g .杨等人报道了超灵敏 异常霍尔效应(AHE)助教/钴铁氧化物(分别以和高频振荡器₂)/ Ta多层膜和讨论了退火过程对灵敏度的影响。AHE灵敏度高达18792Ω/ T as-deposited Ta /钴铁/分别以/ Ta。这项工作提供了新的见解,氧化物材料的选择和postannealing治疗扮演重要的角色在决定AHE的敏感性。的微结构和磁性钕铁硼电影通过Nd表面扩散过程被刘w . et al .,调查表明的微结构和磁性Ta / Nd /钕铁硼Nd / Ta电影强烈依赖于钕铁硼层厚度。

其他三个论文集中在多层膜的磁阻效应和纳米线阵列。在L1 x刘等人报道线性磁阻₀-FePt /氧化锌/ Fe多层膜,线性反应是观察到在一个大范围从+ 5 kOe−5 kOe。这种类型的线性磁阻高线性磁传感器领域具有重要意义。l .许等人报道的磁阻性质黑磷组成的BP(英国石油公司)spin-valve设备片联系了镍铁铁磁电极。设备显示spin-valve效应从室温到低温磁阻的0.57% 4 K。高度有序的数组的Co /铜多层纳米线进行了j·汉等人利用多孔阳极氧化铝模板(PAA)。他们讨论了重复周期的影响数量和铜层的厚度在磁场和磁阻。报纸的编辑确信这个群体将是一个有用的参考未来磁nanodevices的工人寻求进一步发展。