ACMPgydF4y2B一个 凝聚态物理的进步gydF4y2B一个 1687 - 8124gydF4y2B一个 1687 - 8108gydF4y2B一个 Hindawi出版公司gydF4y2B一个 10.1155 / 2016/9734610gydF4y2B一个 9734610gydF4y2B一个 研究文章gydF4y2B一个 超灵敏的反常霍尔效应在Ta /钴铁/氧化/ Ta多层膜gydF4y2B一个 http://orcid.org/0000 - 0002 - 1242 - 7269gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 光gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 李gydF4y2B一个 永业gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 习gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 个gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 http://orcid.org/0000 - 0002 - 1940 - 3091gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 光华gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 曾gydF4y2B一个 郝gydF4y2B一个 材料物理和化学gydF4y2B一个 北京科技大学gydF4y2B一个 北京100083年gydF4y2B一个 中国gydF4y2B一个 ustb.edu.cngydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 13gydF4y2B一个 12gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 06gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 22gydF4y2B一个 11gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 版权©2016阳等。gydF4y2B一个 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2B一个

已经证明了超高灵敏度反常霍尔Ta /钴铁/氧化/ Ta多层膜。通过改变氧化物(分别以和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个)和退火温度、不同退火依赖的敏感性被发现在MgO-sample和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。MgO-sample,反常霍尔灵敏度达到18792Ω/ T as-deposited状态和显著减少随着退火温度的增加。相反,的敏感性as-deposited高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样品只有765Ω/ T,它显著的增加随着退火温度的增加,最终达到14741Ω/ T 240°C。相反的变化异常敏感的两个样本来自不同的磁各向异性的变化和反常霍尔电阻在退火过程中。我们的研究提供了一个新的视角,氧化物材料的选择和优化退火处理是重要的反常霍尔敏感。gydF4y2B一个

 中国的国家基础研究计划gydF4y2B一个 2015年cb921502gydF4y2B一个 中国国家自然科学基金gydF4y2B一个 51331002gydF4y2B一个 51371027gydF4y2B一个 11504019gydF4y2B一个 1。介绍gydF4y2B一个

磁传感器是扮演越来越重要的角色在日常生活和工业生产,其广泛的应用程序从硬盘的读头(gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个),速度和旋转角探测器在汽车行业gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个),甚至DNA和蛋白质的检测gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个]。当前磁传感器的设计是基于霍尔效应的半导体材料或电磁效应包括各向异性磁阻(AMR)、巨磁电阻(GMR)和隧穿磁电阻在磁性材料(咯)。然而,基于霍尔效应传感器,AMR效应总是遭受的敏感性较低。另一方面,虽然可以获得高灵敏度巨磁电阻和TMR-based传感器,成本较高的复杂的制造过程也是一个障碍。最近,反常霍尔效应(AHE)铁磁物质引起了巨大的关注拥有丰富的物理学(gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个和潜在的应用gydF4y2B一个 6gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 7gydF4y2B一个]。2007年,朱镕基和Cai (gydF4y2B一个 8gydF4y2B一个)首先展示了一个反常霍尔灵敏度高达1200Ω/ TgydF4y2B一个 (gydF4y2B一个 CgydF4y2B一个 ogydF4y2B一个 FgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 PgydF4y2B一个 tgydF4y2B一个 ]gydF4y2B一个 ngydF4y2B一个 多层膜,它比传统的半导体霍尔敏感(约1000Ω/ T)。随后,该战略适应实现更高的灵敏度是通过使用超薄铁磁薄膜/多层增强旋轨道散射和定制的磁各向异性,使大反常霍尔电阻和低饱和度场(gydF4y2B一个 9gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 13gydF4y2B一个]。特别是,陆et al。gydF4y2B一个 11gydF4y2B一个)获得SiO 12000Ω/ T的敏感性gydF4y2B一个2gydF4y2B一个/ FePt SiOgydF4y2B一个2gydF4y2B一个三明治结构的电影FePt成分和厚度进行优化。朱et al。gydF4y2B一个 12gydF4y2B一个]证明23760Ω/ T的敏感性分别以/ CoFeB / Ta /采用多层膜通过调优CoFeB和相邻Ta层的厚度。更激动人心的是,最近的一项研究报告了异常大厅敏感性10gydF4y2B一个6gydF4y2B一个Ω/ T,这是两个订单比最好的半导体(gydF4y2B一个 13gydF4y2B一个]。gydF4y2B一个

尽管取得了超高灵敏度显著,AHE材料之间的相容性和CMOS技术仍需要进一步考虑。例如,重金属等Pt总是用于AHE材料来提高自旋轨道散射大反常霍尔电阻,而这将导致一个可怕的分流效应以及成本的增加。CoFeB /采用异质结构材料体系似乎更有前途,而常用的氧化物在CMOS技术很高gydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 材料,如SiOgydF4y2B一个2gydF4y2B一个和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个。从应用程序的观点,最好介绍相同的高gydF4y2B一个 kgydF4y2B一个 氧化物AHE材料。最后但并非最不重要的。材料通常需要额外的退火表现出高灵敏度。考虑到postannealing CMOS技术也很重要,有必要进一步优化退火工艺。gydF4y2B一个

在这项工作中,我们证明了超灵敏AHE Ta /钴铁/氧化/ Ta多层膜。通过改变氧化物(分别以和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个)和退火温度(gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 相反),gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 依赖的敏感性被发现在MgO-sample和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。MgO-sample,反常霍尔灵敏度达18792Ω/ T as-deposited状态,大大降低gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 增加。相反,的敏感性as-deposited高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样品只有765Ω/ T,它明显增加gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 增加,最终达到14741Ω/ T 240°C。基于角依赖铁磁共振(FMR)测量和温度依赖交通测量灵敏度的不同变化在两个样本来自不同的温度依赖性的反常霍尔电阻和磁各向异性。这项研究提供了新的见解,氧化物的选择和优化gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 都是重要的获得一个超高反常霍尔敏感。gydF4y2B一个

 2。实验gydF4y2B一个

所有样品都是由磁控溅射沉积在硅基板在室温下。样品结构是助教(0.8)/ CogydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个氧化(0.8)/ (0.8)/ Ta(1.0)(在海里),分别以氧化物的或高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个。在真空炉进行热处理(比gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 7gydF4y2B一个 没有外部磁场托)15分钟。大厅酒吧被光学光刻技术结合的基于“增大化现实”技术gydF4y2B一个+gydF4y2B一个铣削运输在物理性质测量系统测量。核磁共振测量进行的电子自旋共振波谱仪(JEOL ESR fa - 200)在x波段(9.0 GHz)。gydF4y2B一个

 3所示。结果和讨论gydF4y2B一个

异常大厅敏感性定义为gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 ≈gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 (gydF4y2B一个 12gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 14gydF4y2B一个),gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 垂直的饱和度场和吗gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 饱和反常霍尔电阻,可以通过一个线性外推法得到的gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 在高场为零场。图的插图gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个展品的反常霍尔循环示例Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/采用(0.8)/ Ta (1.0) as-deposited (nm)和不同的退火状态,相应的价值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 计算。因此,图gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个显示了敏感性gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 退火温度的函数gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 。当gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 是25°C (as-deposited状态),gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 MgO-sample已经达到18792Ω/ T。然而,的价值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 减少明显的增加gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 。当gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 达到140°C的值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 是8145Ω/ T,对减少57%,as-deposited状态。作为gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 进一步增加到240°C的值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 只有2572Ω/ T。gydF4y2B一个

退火的温度依赖性的反常霍尔敏感样品Ta (0.8) / CogydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/采用(0.8)/ Ta (1.0) (nm)。插图:反常霍尔循环的示例as-deposited和不同的退火状态。gydF4y2B一个

相比之下,图gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个显示gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 的函数gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 样本Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个(0.8)/ Ta (1.0) (nm)。不同于MgO-sample的价值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 在as-deposited高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样品只有765Ω/ T。当gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 增加到180°C的值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 似乎几乎不变。然而,随着gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 高于200°C的价值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 大幅增加。当gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 达到240°C的值gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 14741Ω/ T,大约19倍,as-deposited状态。有趣的是发现的变化趋势gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 关于gydF4y2B一个 TgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 相反在MgO-sample和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。为了进一步解释两者的区别,四个典型样本选择如下:as-deposited MgO-sample, 240°C退火MgO-sample, as-deposited高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本和240°C退火高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。gydF4y2B一个

退火的温度依赖性的反常霍尔敏感样品Ta (0.8) / CogydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个(0.8)/ Ta (1.0) (nm)。插图:反常霍尔循环的示例as-deposited和不同的退火状态。gydF4y2B一个

如图gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个,详细的gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个提出了曲线上面的四个样品。在图gydF4y2B一个 3(一个)gydF4y2B一个的曲线as-deposited MgO-sample(黑色)显示一个明显的线性响应没有磁滞。饱和反常霍尔电阻gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 35.8Ω,垂直饱和度场吗gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 是20 Oe。在240°C,退火曲线的线性形状开始降低,gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 减少到14.2ΩgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 增加到150 Oe。都减少了gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 和增加gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 是有害的敏感性,导致显著下降的gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 从18792Ω/ T 2572Ω/ T。图gydF4y2B一个 3 (b)gydF4y2B一个显示了gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个曲线as-deposited和240°C的退火高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。的值gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 as-deposited样本的28.5Ω,1000 Oe。在240°C,退火的价值gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 的值时达到36.4ΩgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 减少到30 Oe。都增加了gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 和减少gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 有利于一个超高灵敏度,导致显著增加的gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 从765Ω/ T 14741Ω/ T。gydF4y2B一个

(一)gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个曲线示例Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/采用(0.8)/ Ta (1.0) (nm) as-deposited和240°C的退火状态。(b)gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个曲线示例Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个(0.8)/ Ta (1.0) (nm) as-deposited和240°C的退火状态。gydF4y2B一个

众所周知,垂直饱和度场的磁各向异性有关的电影。在退火过程中,各向异性以及界面各向异性可能会改变(gydF4y2B一个 15gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 16gydF4y2B一个]。为了描述采用磁各向异性的进化——和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样品,出平面角度依赖FMR进行测量。典型的FMR差分吸收光谱图的插图所示gydF4y2B一个 4(一)gydF4y2B一个,共振场gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 和峰谱线宽度gydF4y2B一个 ΔgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 pgydF4y2B一个 pgydF4y2B一个 定义。图gydF4y2B一个 4(一)gydF4y2B一个介绍了平面外角的依赖gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 为as-deposited MgO-sample。在这里,角gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 被定义为应用磁场的方向对这部电影正常。的价值gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 可以安装Kittel的公式:gydF4y2B一个 (1)gydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 γgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 πgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 γgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 πgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 罪gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 因为gydF4y2B一个 ⁡gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 在哪里gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 πgydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 。gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 一阶,二阶单轴各向异性常数,饱和磁化,并平衡磁化矢量角对电影正常,分别。gydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 9.0gydF4y2B一个 GHz频率的交流磁场的机器。gydF4y2B一个 γgydF4y2B一个 旋磁比作为吗gydF4y2B一个 γgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 ggydF4y2B一个 μgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 ћgydF4y2B一个 ,在那里gydF4y2B一个 ggydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个 BgydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 ћgydF4y2B一个 朗德因子、玻尔磁子和普朗克常数。如图gydF4y2B一个 4(一)gydF4y2B一个的实验值gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 的函数gydF4y2B一个 θgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 安装好,以上参数可以获得。因此,拟合参数gydF4y2B一个 ggydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 ,gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,有效磁各向异性常数gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 πgydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,有效各向异性gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 计算出的数据gydF4y2B一个 4(一)gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 4 (d)gydF4y2B一个表中列出gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个。gydF4y2B一个

拟合参数推导出(gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个在四个样品。gydF4y2B一个

ggydF4y2B一个 米gydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 (×10gydF4y2B一个3gydF4y2B一个emu /厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个)gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 (×10gydF4y2B一个6gydF4y2B一个erg /厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个)gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 (×10gydF4y2B一个4gydF4y2B一个erg /厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个)gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 (×10gydF4y2B一个5gydF4y2B一个erg /厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个)gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 (Oe)gydF4y2B一个
分别以as-dep。gydF4y2B一个 2.01gydF4y2B一个 1.13gydF4y2B一个 8.02gydF4y2B一个 8.89gydF4y2B一个 0.53gydF4y2B一个 94.02gydF4y2B一个
分别以240°CgydF4y2B一个 1.99gydF4y2B一个 1.14gydF4y2B一个 7.76gydF4y2B一个 10.15gydF4y2B一个 −4.09gydF4y2B一个 −716.92gydF4y2B一个
高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个as-dep。gydF4y2B一个 2.04gydF4y2B一个 1.14gydF4y2B一个 7.71gydF4y2B一个 2.47gydF4y2B一个 −5.4gydF4y2B一个 −942.60gydF4y2B一个
高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个240°CgydF4y2B一个 2.04gydF4y2B一个 1.12gydF4y2B一个 8.10gydF4y2B一个 1.01gydF4y2B一个 2.07gydF4y2B一个 369.26gydF4y2B一个

(a) (b)出平面角度依赖共振领域gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 样本Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/采用(0.8)/ Ta (1.0) (nm) as-deposited和240°C的退火状态。空心圆圈和实线代表实验数据和理论拟合gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 。插图:典型FMR差分吸收光谱共振场的地方gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 和peal-to-peak线宽gydF4y2B一个 ΔgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 pgydF4y2B一个 pgydF4y2B一个 定义。(c) - (d)出平面角度依赖共振领域gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 样本Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个(0.8)/ Ta (1.0) (nm) as-deposited和240°C的退火状态。中空的钻石和实线代表实验数据和理论拟合gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 rgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 。gydF4y2B一个

从表gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个,很清楚地看到,磁各向异性的变化趋势是不同的在MgO-sample和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。为as-deposited MgO-sample,有效磁各向异性常数的值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 和二阶单轴各向异性常数gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 是积极的,表明样品具有垂直磁各向异性(PMA) [gydF4y2B一个 17gydF4y2B一个]。与PMA为样例,垂直方向是易磁化轴;因此,垂直的饱和度gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 很小。同样重要的是要指出,由于计算有效各向异性场gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 非常小(只有大约94 Oe)gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 ygydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个曲线不会表现出明显的矫顽力。240°C退火MgO-sample,计算的值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 −4.09×10吗gydF4y2B一个5gydF4y2B一个erg /厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个和gydF4y2B一个 1.02gydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 erg /厘米gydF4y2B一个3gydF4y2B一个,分别。考虑的价值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 是负的,gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 <−(1/2)gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 ,退火MgO-sample面内磁各向异性(IMA) [gydF4y2B一个 17gydF4y2B一个]。IMA的样本,是困难的磁化轴垂直方向;这样的价值gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 将是非常大的。另一方面,as-deposited高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样品的价值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 是负的,gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 <−(1/2)gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 代表一个典型的IMA的性格。然而,通过退火在240°C,两者的值gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 egydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 KgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 积极的变化,表明240°C退火高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本与一个小PMAgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 。因此,磁各向异性的变化趋势在退火对MgO-sample和高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。MgO-sample, IMA PMA的磁各向异性的变化,导致显著增加gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 ,而高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本,PMA IMA的磁各向异性的变化,导致显著的减少gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 。gydF4y2B一个

的铁磁金属(FM) /氧化物异质结构,界面磁各向异性中起着主导作用[gydF4y2B一个 16gydF4y2B一个]。理论上,采用基于计算已被用于研究FM /氧化物界面,显示界面磁各向异性强烈影响FM-3之间的杂交gydF4y2B一个 dgydF4y2B一个和0 2gydF4y2B一个 pgydF4y2B一个轨道(gydF4y2B一个 18gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 19gydF4y2B一个]。此外,以往的研究报道,调频和氧化物之间的轨道杂化退火过程[敏感gydF4y2B一个 20.gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 21gydF4y2B一个]。通过退火,激活氧原子可以迁移到界面,产生调频原子和氧原子之间的结合。有必要指出,程度的成键轨道杂化是很重要的,一个优化的结合有利于PMA,而过度和不足将导致退化PMA (gydF4y2B一个 22gydF4y2B一个]。在我们的样本,形成焓(gydF4y2B一个 ΔgydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 fgydF4y2B一个 ),分别以−601.6焦每摩尔,大于高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个(−1144.7焦每摩尔)。这意味着结合高频和O Mg之间比这更稳定,因此,在沉积和退火过程中,分别以更有可能偏离化学计量比和氧原子转移到相邻的钴铁层,导致最后FM-O结合程度的差异这两个样本。根据我们最近的工作,氧退火过程中迁移方向可能是逆在不同氧化FM /接口(gydF4y2B一个 23gydF4y2B一个]。然而,由于氧迁移也可能影响膜厚度和退火温度等等,具体的差异对氧迁移的两个样品需要进一步调查。gydF4y2B一个

除了gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 年代gydF4y2B一个 。敏感性也有关gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 ,其值表示AHE的大小。以前的工作报道,退火过程会影响内在或外在机制,导致变异AHE [gydF4y2B一个 24gydF4y2B一个,gydF4y2B一个 25gydF4y2B一个]。解释的变化gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 在采用高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个示例如图gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个AHE贡献,通过不同的机制进行了分析。一般来说,gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 =gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 +gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 ,在那里gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 是饱和反常霍尔电阻率,gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 是纵向电阻率,gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个代表斜散射的贡献,gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 代表着一边跳以及内在的贡献(gydF4y2B一个 26gydF4y2B一个- - - - - -gydF4y2B一个 30.gydF4y2B一个]。有必要指出,厚度改变退火过程中;因此gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 相当于gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 。系数gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 可以通过策划gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 的函数gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 和线性拟合实验数据。图gydF4y2B一个 5(一个)gydF4y2B一个显示了MgO-sample as-deposited和线性拟合240°C退火状态。的值gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 −0.029和gydF4y2B一个 2.12gydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个ΩgydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个分别在as-deposited状态。在240°C,退火的值gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 改变到0.002,gydF4y2B一个 8.74gydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个ΩgydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个,分别。尽管的标志gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 改变从消极到积极的值gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 减少一个数量级,最终削弱AHE。的高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本的值gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 −0.015和gydF4y2B一个 2.57gydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个ΩgydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个分别在as-deposited状态。通过退火在240°C,的值gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 增加一个数量级,达到−0.437和gydF4y2B一个 3.89gydF4y2B一个 ×gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 - - - - - -gydF4y2B一个 3gydF4y2B一个 μgydF4y2B一个ΩgydF4y2B一个−1gydF4y2B一个厘米gydF4y2B一个−1gydF4y2B一个,分别。之间的竞争关系gydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 不仅会影响价值还的标志gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 。考虑到大的增强gydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 |gydF4y2B一个 以及同样的积极信号gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 和gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 ,它显示的影响gydF4y2B一个 bgydF4y2B一个 在AHE高频振荡器在退火过程中提高gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。以上分析给出了强有力的证据表明AHE的变化趋势是不同的退火过程中采用高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个样本。MgO-sample,内在和外在贡献AHE由退火减弱,导致的显著下降gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 如图gydF4y2B一个 3(一个)gydF4y2B一个。相比之下,一边跳和内在的贡献是显著增强,导致最后的增加gydF4y2B一个 RgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 如图gydF4y2B一个 3 (b)gydF4y2B一个。gydF4y2B一个

(一)gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 与gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 样本Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/采用(0.8)/ Ta (1.0) (nm) as-deposited和240°C的退火状态。(b)gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 一个gydF4y2B一个 HgydF4y2B一个 /gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 与gydF4y2B一个 ρgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 xgydF4y2B一个 样本Ta(0.8) /有限公司gydF4y2B一个20.gydF4y2B一个菲gydF4y2B一个80年gydF4y2B一个(0.8)/高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个(0.8)/ Ta (1.0) (nm) as-deposited和240°C的退火状态。gydF4y2B一个

 4所示。结论gydF4y2B一个

总之,超灵敏AHE证明在Ta /钴铁/氧化/ Ta多层膜。样本Ta /钴铁/分别以/ Ta, AHE灵敏度高达18792Ω/ T as-deposited状态,而价值下降明显随着退火温度的增加。对样本助教/钴铁/高频振荡器gydF4y2B一个2gydF4y2B一个/ Ta,灵敏度的值很小as-deposited状态但增加到14741Ω/ T 240°C退火。相反AHE敏感性的变化在两个样本来自不同的磁各向异性的变化和反常霍尔电阻在退火过程中。这项工作提供了新的见解,氧化物材料的选择和优化退火处理反常霍尔敏感性发挥重要作用。gydF4y2B一个

 相互竞争的利益gydF4y2B一个

作者宣称没有利益冲突有关的出版。gydF4y2B一个

 确认gydF4y2B一个

这项工作得到了中国国家基础研究计划(2015 cb921502)和中国自然科学基金(51331002,51331002,11504019)。gydF4y2B一个

 DaughtongydF4y2B一个 j . M。gydF4y2B一个 GMR和SDT传感器的应用gydF4y2B一个 IEEE磁学gydF4y2B一个 2000年gydF4y2B一个 36gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 2773年gydF4y2B一个 2778年gydF4y2B一个 10.1109/20.908586gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 0034260968gydF4y2B一个 TreutlergydF4y2B一个 c . p . O。gydF4y2B一个 为汽车应用磁传感器gydF4y2B一个 传感器和执行器,物理gydF4y2B一个 2001年gydF4y2B一个 91年gydF4y2B一个 1 - 2gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 6gydF4y2B一个 10.1016 / s0924 - 4247 (01) 00621 - 5gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 0035811427gydF4y2B一个 GrancharovgydF4y2B一个 s G。gydF4y2B一个 曾gydF4y2B一个 H。gydF4y2B一个 太阳gydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 s . X。gydF4y2B一个 O ' briengydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 穆雷gydF4y2B一个 c . B。gydF4y2B一个 KirtleygydF4y2B一个 j . R。gydF4y2B一个 举行gydF4y2B一个 g。gydF4y2B一个 Bio-functionalization单分散磁性纳米粒子及其使用基于生物分子标签在磁隧道结的传感器gydF4y2B一个 物理化学学报BgydF4y2B一个 2005年gydF4y2B一个 109年gydF4y2B一个 26gydF4y2B一个 13030年gydF4y2B一个 13035年gydF4y2B一个 10.1021 / jp051098cgydF4y2B一个 2 - s2.0 - 22344450970gydF4y2B一个 NagaosagydF4y2B一个 N。gydF4y2B一个 SinovagydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 小野田gydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 麦克唐纳gydF4y2B一个 a . H。gydF4y2B一个 昂gydF4y2B一个 n P。gydF4y2B一个 反常霍尔效应gydF4y2B一个 现代物理学的评论gydF4y2B一个 2010年gydF4y2B一个 82年gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 1539年gydF4y2B一个 1592年gydF4y2B一个 10.1103 / RevModPhys.82.1539gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 77953235582gydF4y2B一个 田gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 叶gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个 金gydF4y2B一个 X。gydF4y2B一个 适当比例的反常霍尔效应gydF4y2B一个 物理评论快报gydF4y2B一个 2009年gydF4y2B一个 103年gydF4y2B一个 8gydF4y2B一个 087206年gydF4y2B一个 10.1103 / PhysRevLett.103.087206gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 69149106321gydF4y2B一个 莫里茨gydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 RodmacqgydF4y2B一个 B。gydF4y2B一个 AuffretgydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 DienygydF4y2B一个 B。gydF4y2B一个 非凡的薄磁电影和霍尔效应传感器,其潜力和磁记忆逻辑应用程序gydF4y2B一个 物理学学报D辑:应用物理gydF4y2B一个 2008年gydF4y2B一个 41gydF4y2B一个 13gydF4y2B一个 135001年gydF4y2B一个 10.1088 / 0022 - 3727/41/13/135001gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 48249112215gydF4y2B一个 美国格柏公司gydF4y2B一个 一个。gydF4y2B一个 对霍尔效应自旋电子学gydF4y2B一个 磁学和磁性材料》杂志上gydF4y2B一个 2007年gydF4y2B一个 310年gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 2749年gydF4y2B一个 2751年gydF4y2B一个 10.1016 / j.jmmm.2006.10.1035gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 33847669784gydF4y2B一个 朱gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 蔡gydF4y2B一个 j·W。gydF4y2B一个 超高灵敏度霍尔效应在磁性多层膜gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2007年gydF4y2B一个 90年gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 012104年gydF4y2B一个 10.1063/1.2426896gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 33846034905gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 s . L。gydF4y2B一个 腾gydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 j . Y。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 李gydF4y2B一个 j·W。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 g . H。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 s G。gydF4y2B一个 大增强反常霍尔效应的Co / Pt多层夹采用层gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2010年gydF4y2B一个 97年gydF4y2B一个 22gydF4y2B一个 222504年gydF4y2B一个 10.1063/1.3522653gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 78650658261gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 P。gydF4y2B一个 曹gydF4y2B一个 X。gydF4y2B一个 江gydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 赵gydF4y2B一个 C。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 H。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 超高灵敏度反常霍尔在有限公司/ Pt多层膜界面修改gydF4y2B一个 应用物理表达gydF4y2B一个 2013年gydF4y2B一个 6gydF4y2B一个 10gydF4y2B一个 103007年gydF4y2B一个 10.7567 / APEX.6.103007gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84887716310gydF4y2B一个 陆gydF4y2B一个 y . M。gydF4y2B一个 蔡gydF4y2B一个 j·W。gydF4y2B一个 锅gydF4y2B一个 h . Y。gydF4y2B一个 太阳gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个 超灵敏的SiO反常霍尔效应gydF4y2B一个2gydF4y2B一个/ Fe-Pt SiOgydF4y2B一个2gydF4y2B一个三明治结构的电影gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2012年gydF4y2B一个 One hundred.gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 022404年gydF4y2B一个 10.1063/1.3672046gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84862917886gydF4y2B一个 朱gydF4y2B一个 T。gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 P。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 问:H。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 r . C。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 b G。gydF4y2B一个 大型线性反常霍尔效应在垂直CoFeB薄膜gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2014年gydF4y2B一个 104年gydF4y2B一个 20.gydF4y2B一个 202404年gydF4y2B一个 10.1063/1.4878538gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84901442842gydF4y2B一个 KopnovgydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 美国格柏公司gydF4y2B一个 一个。gydF4y2B一个 兆欧姆在氧化CoFeB非凡的霍尔效应gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 109年gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 022404年gydF4y2B一个 10.1063/1.4958832gydF4y2B一个 苗族gydF4y2B一个 g . 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H。gydF4y2B一个 界面氧迁移及其对磁各向异性的影响在Pt /公司/分别以/ Pt的电影gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2014年gydF4y2B一个 104年gydF4y2B一个 5gydF4y2B一个 052413年gydF4y2B一个 10.1063/1.4864184gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84899813047gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 J.-Y。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 S.-G。gydF4y2B一个 江gydF4y2B一个 S.-L。gydF4y2B一个 赵gydF4y2B一个 研究。gydF4y2B一个 马gydF4y2B一个 Q.-D。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 C。gydF4y2B一个 越南盾gydF4y2B一个 B.-W。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 J.-L。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 太阳gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 吴gydF4y2B一个 Z.-L。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 G.-H。gydF4y2B一个 磁化重新定位引起的界面结构超薄无序SiO FePt薄膜夹gydF4y2B一个2gydF4y2B一个层gydF4y2B一个 应用表面科学gydF4y2B一个 2015年gydF4y2B一个 353年gydF4y2B一个 489年gydF4y2B一个 493年gydF4y2B一个 10.1016 / j.apsusc.2015.06.134gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84941961575gydF4y2B一个 ManchongydF4y2B一个 一个。gydF4y2B一个 DucruetgydF4y2B一个 C。gydF4y2B一个 伦巴第gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个 AuffretgydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 RodmacqgydF4y2B一个 B。gydF4y2B一个 DienygydF4y2B一个 B。gydF4y2B一个 PizzinigydF4y2B一个 年代。gydF4y2B一个 沃格尔gydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 UhliřgydF4y2B一个 V。gydF4y2B一个 HochstrassergydF4y2B一个 M。gydF4y2B一个 PanaccionegydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 分析氧诱导各向异性在Pt /公司/氧化物trilayers交叉gydF4y2B一个 应用物理杂志gydF4y2B一个 2008年gydF4y2B一个 104年gydF4y2B一个 4gydF4y2B一个 043914年gydF4y2B一个 10.1063/1.2969711gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 50849113748gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 J.-Y。gydF4y2B一个 江gydF4y2B一个 S.-L。gydF4y2B一个 越南盾gydF4y2B一个 B.-W。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 S.-G。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 J.-L。gydF4y2B一个 赵gydF4y2B一个 研究。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 C。gydF4y2B一个 太阳gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 G.-H。gydF4y2B一个 影响氧的迁移在垂直磁各向异性和阻尼常数助教/ CoFeB / Gd /分别以/ Ta多层膜gydF4y2B一个 应用表面科学gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 10.1016 / j.apsusc.2016.11.012gydF4y2B一个 江gydF4y2B一个 S.-L。gydF4y2B一个 陈gydF4y2B一个 X。gydF4y2B一个 李gydF4y2B一个 X.-J。gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 K。gydF4y2B一个 张gydF4y2B一个 J.-Y。gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 刘gydF4y2B一个 Y.-W。gydF4y2B一个 陆gydF4y2B一个 黄永发。gydF4y2B一个 王gydF4y2B一个 D.-W。gydF4y2B一个 腾gydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 G.-H。gydF4y2B一个 反常霍尔效应通过界面修改工程有限公司/ Pt多层膜gydF4y2B一个 应用物理快报gydF4y2B一个 2015年gydF4y2B一个 107年gydF4y2B一个 11gydF4y2B一个 112404年gydF4y2B一个 10.1063/1.4931100gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84941915829gydF4y2B一个 江gydF4y2B一个 S.-L。gydF4y2B一个 杨gydF4y2B一个 G。gydF4y2B一个 腾gydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 郭gydF4y2B一个 Q.-X。gydF4y2B一个 李gydF4y2B一个 l l。gydF4y2B一个 余gydF4y2B一个 G.-H。gydF4y2B一个 Interface-engineered spin-dependent在垂直运输有限公司/ Pt多层膜gydF4y2B一个 应用表面科学gydF4y2B一个 2016年gydF4y2B一个 387年gydF4y2B一个 375年gydF4y2B一个 378年gydF4y2B一个 10.1016 / j.apsusc.2016.06.089gydF4y2B一个 常gydF4y2B一个 M.-C。gydF4y2B一个 妞妞gydF4y2B一个 Q。gydF4y2B一个 贝瑞阶段,hyperorbits,霍夫斯塔特谱:半古典的动力学在磁性布洛赫gydF4y2B一个 物理评论B -凝聚态物理和材料gydF4y2B一个 1996年gydF4y2B一个 53gydF4y2B一个 11gydF4y2B一个 7010年gydF4y2B一个 7023年gydF4y2B一个 10.1103 / physrevb.53.7010gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 0000930563gydF4y2B一个 侯gydF4y2B一个 D。gydF4y2B一个 李gydF4y2B一个 Y。gydF4y2B一个 魏gydF4y2B一个 D。gydF4y2B一个 田gydF4y2B一个 D。gydF4y2B一个 吴gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个 金gydF4y2B一个 X。gydF4y2B一个 反常霍尔效应的外延面心立方钴的电影gydF4y2B一个 凝聚态物理学杂志》上gydF4y2B一个 2012年gydF4y2B一个 24gydF4y2B一个 48gydF4y2B一个 482001年gydF4y2B一个 10.1088 / 0953 - 8984/24/48/482001gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 84869074744gydF4y2B一个 SmitgydF4y2B一个 J。gydF4y2B一个 自发的霍尔效应的铁磁质二世gydF4y2B一个 自然史gydF4y2B一个 1958年gydF4y2B一个 24gydF4y2B一个 1 - 5gydF4y2B一个 39gydF4y2B一个 51gydF4y2B一个 10.1016 / s0031 - 8914 (58) 93541 - 9gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 33846359414gydF4y2B一个 伯杰gydF4y2B一个 lgydF4y2B一个 Side-jump铁磁物质的霍尔效应的机制gydF4y2B一个 物理评论BgydF4y2B一个 1970年gydF4y2B一个 2gydF4y2B一个 11gydF4y2B一个 4559年gydF4y2B一个 4566年gydF4y2B一个 10.1103 / PhysRevB.2.4559gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 0001604117gydF4y2B一个 CrepieuxgydF4y2B一个 一个。gydF4y2B一个 布鲁诺gydF4y2B一个 P。gydF4y2B一个 久保的反常霍尔效应理论公式和狄拉克方程gydF4y2B一个 物理评论BgydF4y2B一个 2001年gydF4y2B一个 64年gydF4y2B一个 1gydF4y2B一个 014416年gydF4y2B一个 2 - s2.0 - 0034896024gydF4y2B一个