ACMPGydF4y2Ba 凝聚态物理进展GydF4y2Ba 1687-8124GydF4y2Ba 1687-8108GydF4y2Ba 印达维出版公司GydF4y2Ba 10.1155 / 2016/9271407GydF4y2Ba 9271407GydF4y2Ba 研究文章GydF4y2Ba 应变辅助电流感应磁化开关的微磁模拟GydF4y2Ba http://orcid.org/0000-0002-8006-3495GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba C.P。GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba 京生GydF4y2Ba 物理系GydF4y2Ba 北京科技大学GydF4y2Ba 北京100083年GydF4y2Ba 中国GydF4y2Ba ustb.edu.cnGydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 13GydF4y2Ba 06GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 30GydF4y2Ba 07GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 02GydF4y2Ba 08GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 2016GydF4y2Ba 版权所有©2016黄海斌等。GydF4y2Ba 这是一篇根据知识共享署名许可证发布的开放获取文章，允许在任何媒体中不受限制地使用、分发和复制，前提是原创作品被正确引用。GydF4y2Ba

我们将微磁模拟与相场微塑性理论相结合，研究了衬底失配应变对磁性隧道结中电流诱导磁化开关的影响，结果表明，正衬底失配应变可以通过pushi降低磁化开关的临界电流密度将磁化强度从平面外方向推到平面内方向，而负应变将磁化强度推回到平面外方向，得到了磁畴的演化，以证明应变辅助电流诱导的磁化转换。GydF4y2Ba

 中国国家自然科学基金GydF4y2Ba 11504020GydF4y2Ba 1.介绍GydF4y2Ba

自从Sun等人[GydF4y2Ba 1.GydF4y2BaSun等人[GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba]由于铁磁材料中自旋转移力矩（STT）效应的提出，近几十年来，STT因其在磁性器件中的潜在应用而引起了人们的广泛关注[GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba]在STT效应中，电子的角动量可能转移到铁磁磁化。STT驱动的磁化动力学有三个主要影响：GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba )GydF4y2Ba 电流感应磁化开关[GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba]，GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba )GydF4y2Ba 电流驱动的磁化振荡[GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 13GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba]，及GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba )GydF4y2Ba 电流驱动畴壁运动[GydF4y2Ba 15GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 20GydF4y2Ba]．将电流感应磁化开关应用于磁随机存取存储器(MRAM)中，具有存储密度大、开关速度快、能耗低、避免交叉写等优点。电流感应磁化开关还消除了在写入时相邻单元之间的串扰[GydF4y2Ba 21GydF4y2Ba]此外，STT-MRAM具有几乎无限的耐久性，所需能量更少，速度比传统磁场控制MRAM更快。然而，高临界开关电流密度GydF4y2Ba JGydF4y2Ba CGydF4y2Ba 必须减少STT-MRAM的数量，以实现与金属氧化物半导体技术的兼容性。GydF4y2Ba

有很多减少的尝试GydF4y2Ba JGydF4y2Ba CGydF4y2Ba 例如，使用CoFeB作为自由层以降低饱和磁化强度GydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba [GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba]; 采用双自旋滤波器结构[GydF4y2Ba 23GydF4y2Ba和反铁磁钉扎结构[GydF4y2Ba 24GydF4y2Ba]或插入Ru自旋散射层以增加自旋散射[GydF4y2Ba 25GydF4y2Ba];使用由两个具有不同耦合类型的铁磁层组成的复合自由层[GydF4y2Ba 26GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 28GydF4y2Ba]; 或者使用基于Heusler的自旋阀纳米柱[GydF4y2Ba 29GydF4y2Ba]在磁性薄膜中，应变可以有效地用于调整磁畴结构[GydF4y2Ba 30GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 33GydF4y2Ba]例如，在各向同性双轴面内应变下，磁化可在面内和面外方向之间切换[GydF4y2Ba 34GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 35GydF4y2Ba或在各向异性双轴面内应变下在膜平面内旋转[GydF4y2Ba 36GydF4y2Ba]．最近，Pertsev和Kohlstedt [GydF4y2Ba 37GydF4y2Ba]通过热力学计算证明，借助于衬底失配应变，自旋阀自由磁层180°磁化切换所需的临界电流密度可以显著降低。热力学计算使总自由能最小化以获得均匀的磁化分布，但微磁模拟提供了磁化开关的微观结构演变。传统的微磁模拟没有考虑这种弹性效应，因此不能用于研究基板失配应变对STT诱导磁化开关的辅助作用。GydF4y2Ba

本文将相场微弹性理论与微磁模拟相结合，研究了引起磁化开关临界电流密度降低的失配应变。特别地，我们基于失配应变诱导的90°磁化开关研究了STT诱导的CoFeB磁隧道结180°磁化开关[GydF4y2Ba 38GydF4y2Ba]首先，我们通过使用磁滞回线来显示临界电流密度的降低来讨论我们的结果。然后，我们通过显示磁化和磁畴的演变来讨论基板应变辅助在STT诱导的磁化开关中的作用。GydF4y2Ba

 2.型号说明GydF4y2Ba

如图所示GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba，我们研究了具有CoFeB（2）结构的自旋阀纳米柱 纳米/MgO（2） nm）/CoFeB（16 平方横截面积的（nm）(GydF4y2Ba 80GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 80GydF4y2Ba 纳米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba）.采用笛卡尔坐标系，电流沿GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba -轴。一层薄薄的MgO层将两个CoFeB层隔开，底部的CoFeB层是自由层。自旋极化电流驱动自由层的磁化动力学。顶部的CoFeB层是固定层及其磁化矢量GydF4y2Ba PGydF4y2Ba 在积极的GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba 设在。初始磁化矢量GydF4y2Ba MGydF4y2Ba 这一层的正负方向GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba -轴心国。自旋阀自由层的横向长度完全受刚性基底的约束。我们通常定义基底应变GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 我GydF4y2Ba 我GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 我GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 1,2GydF4y2Ba )GydF4y2Ba 正电流定义为从固定层流向自由层的电子。在底部，使用铁电（FE）层调整输出应变。在本文中，正电流将导致并联结构（P，“1”），而负电流将导致反并联结构（AP，“0”）根据STT理论。GydF4y2Ba

CoFeB (2 nm)/MgO (2 nm)/CoFeB (16 nm)磁性隧道结自旋阀的结构示意图。GydF4y2Ba

我们使用广义的Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski（LLGS）方程来描述磁化动力学[GydF4y2Ba 39GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 40GydF4y2Ba]，GydF4y2Ba (1）GydF4y2Ba DGydF4y2Ba MGydF4y2Ba DGydF4y2Ba TGydF4y2Ba =GydF4y2Ba -GydF4y2Ba γGydF4y2Ba ′GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba FGydF4y2Ba FGydF4y2Ba -GydF4y2Ba αGydF4y2Ba γGydF4y2Ba ′GydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba FGydF4y2Ba FGydF4y2Ba -GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba μGydF4y2Ba BGydF4y2Ba JGydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba +GydF4y2Ba αGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba EGydF4y2Ba DGydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba GGydF4y2Ba MGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba PGydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba PGydF4y2Ba +GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba μGydF4y2Ba BGydF4y2Ba αGydF4y2Ba JGydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba +GydF4y2Ba αGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba EGydF4y2Ba DGydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba GGydF4y2Ba MGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba PGydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba PGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba 其中第一项表示进动扭矩，第二项表示吉尔伯特阻尼扭矩。GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba FGydF4y2Ba FGydF4y2Ba 为有效场，GydF4y2Ba γGydF4y2Ba ′GydF4y2Ba =GydF4y2Ba γGydF4y2Ba /GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba +GydF4y2Ba αGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba )GydF4y2Ba ,GydF4y2Ba γGydF4y2Ba 是电子旋磁比，和GydF4y2Ba αGydF4y2Ba 是无量纲阻尼参数。有效场包括各向异性场、退磁场、外场、弹性场和交换场；即，GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba FGydF4y2Ba FGydF4y2Ba =GydF4y2Ba HGydF4y2Ba KGydF4y2Ba +GydF4y2Ba HGydF4y2Ba DGydF4y2Ba +GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba TGydF4y2Ba +GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba LGydF4y2Ba A.GydF4y2Ba sGydF4y2Ba +GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba ,鉴于GydF4y2Ba (2）GydF4y2Ba HGydF4y2Ba EGydF4y2Ba FGydF4y2Ba FGydF4y2Ba =GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba μGydF4y2Ba 0GydF4y2Ba δGydF4y2Ba EGydF4y2Ba δGydF4y2Ba MGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba 哪里GydF4y2Ba EGydF4y2Ba 是总能量，表示为GydF4y2Ba EGydF4y2Ba =GydF4y2Ba EGydF4y2Ba KGydF4y2Ba +GydF4y2Ba EGydF4y2Ba DGydF4y2Ba +GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba TGydF4y2Ba +GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba LGydF4y2Ba A.GydF4y2Ba sGydF4y2Ba +GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba 哪里GydF4y2Ba EGydF4y2Ba KGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba DGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba TGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba LGydF4y2Ba A.GydF4y2Ba sGydF4y2Ba ，及GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba 是各向异性能量（包括磁晶和形状各向异性）[GydF4y2Ba 41GydF4y2Ba]、去磁能、塞曼能、弹性能和交换能。获取详情GydF4y2Ba EGydF4y2Ba KGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba DGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba TGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba xGydF4y2Ba ，及GydF4y2Ba EGydF4y2Ba EGydF4y2Ba LGydF4y2Ba A.GydF4y2Ba sGydF4y2Ba 可以在我们以前的论文中找到[GydF4y2Ba 41GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 43GydF4y2Ba].最后两个任期在(GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba)描述倾向于将磁化从初始状态拖到最终状态的STT[GydF4y2Ba 39GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 40GydF4y2Ba),GydF4y2Ba GGydF4y2Ba (GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba PGydF4y2Ba )GydF4y2Ba =GydF4y2Ba [GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba +GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba +GydF4y2Ba ηGydF4y2Ba )GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba (GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba +GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ·GydF4y2Ba PGydF4y2Ba /GydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba )GydF4y2Ba /GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba ηGydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba /GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba ]GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 哪里GydF4y2Ba ηGydF4y2Ba 是自旋极化常数，GydF4y2Ba MGydF4y2Ba 和GydF4y2Ba PGydF4y2Ba 图中是自由层和固定层的磁化强度吗GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba，以及GydF4y2Ba MGydF4y2Ba 和GydF4y2Ba PGydF4y2Ba 是GydF4y2Ba θGydF4y2Ba ．GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ·GydF4y2Ba PGydF4y2Ba /GydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 余弦GydF4y2Ba ⁡GydF4y2Ba θGydF4y2Ba ．GydF4y2Ba HGydF4y2Ba sGydF4y2Ba TGydF4y2Ba TGydF4y2Ba 对应的有效场由GydF4y2Ba HGydF4y2Ba sGydF4y2Ba TGydF4y2Ba TGydF4y2Ba =GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba μGydF4y2Ba BGydF4y2Ba JGydF4y2Ba GGydF4y2Ba (GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba PGydF4y2Ba )GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ×GydF4y2Ba PGydF4y2Ba /GydF4y2Ba (GydF4y2Ba γGydF4y2Ba EGydF4y2Ba DGydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba )GydF4y2Ba 哪里GydF4y2Ba μGydF4y2Ba BGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba JGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba DGydF4y2Ba ,GydF4y2Ba EGydF4y2Ba ，及GydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba 分别为玻尔磁子、电流密度、自由层厚度、电子电荷和饱和磁化强度。GydF4y2Ba

仿真中采用的磁参数如下:饱和磁化GydF4y2Ba MGydF4y2Ba sGydF4y2Ba =GydF4y2Ba 9.549GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba  A/m[GydF4y2Ba 44GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 45GydF4y2Ba]，吉尔伯特阻尼参数GydF4y2Ba αGydF4y2Ba =GydF4y2Ba 0.00439GydF4y2Ba [GydF4y2Ba 46GydF4y2Ba]，自旋极化因子GydF4y2Ba ηGydF4y2Ba =GydF4y2Ba 0.5GydF4y2Ba [GydF4y2Ba 47GydF4y2Ba]，磁各向异性常数GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 1.2.GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba  J/mGydF4y2Ba3.GydF4y2Ba和GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 0GydF4y2Ba   [GydF4y2Ba 37GydF4y2Ba]，弹性常数GydF4y2Ba CGydF4y2Ba 11GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 2.57GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 纳米GydF4y2Ba−2.GydF4y2Ba,GydF4y2Ba CGydF4y2Ba 12GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 1.62GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 纳米GydF4y2Ba−2.GydF4y2Ba，及GydF4y2Ba CGydF4y2Ba 44GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 1.05GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 纳米GydF4y2Ba−2.GydF4y2Ba[GydF4y2Ba 37GydF4y2Ba和磁致伸缩常数GydF4y2Ba λGydF4y2Ba 100GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 139GydF4y2Ba  ppm和GydF4y2Ba λGydF4y2Ba 111GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba ppm (GydF4y2Ba 44GydF4y2Ba,GydF4y2Ba 45GydF4y2Ba].我们研究了正常底物菌株的影响GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 和GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 22GydF4y2Ba 采用高斯-赛德尔投影法和半隐式傅里叶谱法数值求解含时LLGS方程，研究了磁化动力学[GydF4y2Ba 48GydF4y2Ba–GydF4y2Ba 53GydF4y2Ba].样本在的计算单元中离散GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba 纳米GydF4y2Ba3.GydF4y2Ba．GydF4y2Ba

 3.结果和讨论GydF4y2Ba

图形GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba显示衬底失配应变的滞后回路(GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 11GydF4y2Ba =GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 22GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 0GydF4y2Ba 及0.5%)。在没有施加应变的情况下，存在磁化强度与电流密度的方形磁滞回线(GydF4y2Ba MGydF4y2Ba -GydF4y2Ba JGydF4y2Ba )曲线。临界电流密度为GydF4y2Ba 2.1GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba从AP到P和GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 3．7GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba从P到AP，在双轴应变为0.5%时，我们观察到磁化开关的临界电流密度降低（红色磁滞回线）GydF4y2Ba 1.3.GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba从AP到P和GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 2.7GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba从P到AP，正衬底错配应变通过将磁化从平面外方向推到平面内方向来降低临界电流密度，因此，衬底错配应变可以有效地辅助STT诱导的磁化转换。GydF4y2Ba

磁化磁滞回线与有应变和无应变的电流密度的关系。GydF4y2Ba

图形GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba显示了磁化分量的演变GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ZGydF4y2Ba 不同电流密度和衬底失配应变。对于黑线，磁化强度沿初始方向GydF4y2Ba -GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba -并保持AP结构不受外加电流和应变的影响。红色和粉色线表示在电流密度为的情况下，磁化强度从AP切换到P，从P切换到APGydF4y2Ba 1.0GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba和GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 1.0GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba．由于施加的电流密度大到足以克服势垒，磁化强度将在负或正电流密度下从AP转换到P或从P转换到AP。我们以AP到P的磁化转换为例，来说明失配应变的影响。若为双轴阳性应变GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 11GydF4y2Ba =GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 22GydF4y2Ba =GydF4y2Ba 0.5GydF4y2Ba %GydF4y2Ba 应用时，磁化转换（青色线）比无应变（红线）快。然而，双轴负应变GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 11GydF4y2Ba =GydF4y2Ba εGydF4y2Ba 22GydF4y2Ba =GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 0.5GydF4y2Ba %GydF4y2Ba 将延长磁化开关的时间(蓝线)。产生这种现象的机理是由于正应变将磁化强度沿面内方向拖动，而负应变将磁化强度推回到面外方向。GydF4y2Ba

磁化分量的时间演化GydF4y2Ba MGydF4y2Ba ZGydF4y2Ba 不同电流密度和衬底失配应变。GydF4y2Ba

我们可以使用磁畴演化来阐明失配应变的影响。如图所示GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba，给出了相应的磁化分布在电流密度GydF4y2Ba 1.0GydF4y2Ba ×GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba /米GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba在不同的应用菌株下。三行分别对应红色(零应变)、青色(0.5%)和蓝色(GydF4y2Ba -GydF4y2Ba 0.5GydF4y2Ba %GydF4y2Ba )图中的线条GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba.颜色代表不同的域区域：紫色为GydF4y2Ba -GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba ，红色是GydF4y2Ba +GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba ，而其他颜色则是域墙面积。我们观察到磁化强度与初始磁化强度发生了变化GydF4y2Ba -GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba -决赛的轴心GydF4y2Ba +GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba -这一多畴演化过程是由大电流输入能量引起的。在第一排中，初始磁化强度沿GydF4y2Ba -GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba -轴。没有应变时，磁化转换过程从自由层的外部开始到内部。然而，在负应变时，磁化转换过程从自由层的内部开始到外部。对于正应变，我们可以观察到成核从中心开始并扩散到边缘.GydF4y2Ba

磁化开关过程中不同失配衬底应变下的磁畴演化。GydF4y2Ba

 4.结论GydF4y2Ba

综上所述，我们通过相场法和微磁模拟相结合的方法研究了CoFeB基磁性隧道结中应变辅助STT诱导的磁化开关。我们提出了一种使用应变辅助STT诱导的磁化开关而不是使用外部磁场的有效方法双轴衬底失配应变将磁化力拖向面内方向，临界电流密度和开关时间显著降低。GydF4y2Ba

 相互竞争的利益GydF4y2Ba

作者声明，本论文的发表不存在任何利益冲突。GydF4y2Ba

 致谢GydF4y2Ba

国家自然科学基金面上项目(no . 11504020)。GydF4y2Ba

 太阳GydF4y2Ba j . Z。GydF4y2Ba 德·布罗斯GydF4y2Ba JGydF4y2Ba 王GydF4y2Ba 好的。GydF4y2Ba 随机存取存储器中自旋转矩开关磁隧道结的主动读方法的可行性GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 114GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 094503GydF4y2Ba 10.1063/1.4819888GydF4y2Ba 2-s2.0-84884961432GydF4y2Ba 太阳GydF4y2Ba G.Y。GydF4y2Ba KursunGydF4y2Ba EGydF4y2Ba 河流GydF4y2Ba J.A。GydF4y2Ba 谢GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 利用三维堆叠非易失性存储器探索CMP易受软错误影响的脆弱性GydF4y2Ba ACM计算系统新兴技术杂志GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 第3条第22条GydF4y2Ba 10.1145/2491679GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84885606724GydF4y2Ba 卡廷GydF4y2Ba J.A。GydF4y2Ba 艾伯特GydF4y2Ba f·J。GydF4y2Ba BuhrmanGydF4y2Ba r。GydF4y2Ba 迈尔斯GydF4y2Ba e . B。GydF4y2Ba 拉尔夫GydF4y2Ba d . C。GydF4y2Ba Co/Cu/Co柱中电流驱动的磁化反转和自旋波激发GydF4y2Ba 物理评论快报GydF4y2Ba 2000GydF4y2Ba 84GydF4y2Ba 14GydF4y2Ba 3149GydF4y2Ba 3152GydF4y2Ba 10.1103/physrevlett.84.3149GydF4y2Ba 2-s2.0-0141636577GydF4y2Ba 卡卡GydF4y2Ba sGydF4y2Ba 普法尔GydF4y2Ba M.R。GydF4y2Ba 裂土器GydF4y2Ba W.H。GydF4y2Ba 席尔瓦GydF4y2Ba t·J。GydF4y2Ba 鲁塞克GydF4y2Ba s E。GydF4y2Ba 卡廷GydF4y2Ba J.A。GydF4y2Ba 微波自旋力矩纳米振荡器的互锁相GydF4y2Ba 本性GydF4y2Ba 2005GydF4y2Ba 437GydF4y2Ba 7057GydF4y2Ba 389GydF4y2Ba 392GydF4y2Ba 10.1038/04035GydF4y2Ba 2-s2.0-27744604432GydF4y2Ba KlselevGydF4y2Ba S.I。GydF4y2Ba 桑基GydF4y2Ba J.C。GydF4y2Ba 克里沃罗托夫GydF4y2Ba I.N。GydF4y2Ba EmleyGydF4y2Ba 北卡罗来纳州。GydF4y2Ba 舍尔科夫GydF4y2Ba r . J。GydF4y2Ba BuhrmanGydF4y2Ba r。GydF4y2Ba 拉尔夫GydF4y2Ba d . C。GydF4y2Ba 自旋极化电流驱动纳米磁体的微波振荡GydF4y2Ba 本性GydF4y2Ba 2003GydF4y2Ba 425GydF4y2Ba 6956GydF4y2Ba 380GydF4y2Ba 383GydF4y2Ba 10.1038/01967GydF4y2Ba 2-s2.0-0141596165GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba 我GydF4y2Ba 奥布霍夫GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 香GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 豪瑟GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba FGydF4y2Ba 班纳吉GydF4y2Ba PGydF4y2Ba PelekhovGydF4y2Ba D.V。GydF4y2Ba 哈默尔GydF4y2Ba P.C。GydF4y2Ba 基于局域模的纳米扫描探针铁磁共振成像GydF4y2Ba 本性GydF4y2Ba 2010GydF4y2Ba 466GydF4y2Ba 7308GydF4y2Ba 845GydF4y2Ba 848GydF4y2Ba 10.1038/09279GydF4y2Ba 2-s2.0-77955606660GydF4y2Ba TsolGydF4y2Ba MGydF4y2Ba 詹森GydF4y2Ba 通用汽车公司。GydF4y2Ba 低音的GydF4y2Ba JGydF4y2Ba ChlangGydF4y2Ba 观测。GydF4y2Ba TsolGydF4y2Ba vGydF4y2Ba 零八GydF4y2Ba PGydF4y2Ba 磁性多层膜中相位相干电流驱动磁振子的产生与检测GydF4y2Ba 本性GydF4y2Ba 2000GydF4y2Ba 406GydF4y2Ba 6791GydF4y2Ba 46GydF4y2Ba 48GydF4y2Ba 10.1038 / 35017512GydF4y2Ba 2-s2.0-0034612581GydF4y2Ba 拉尔夫GydF4y2Ba DGydF4y2Ba 阶梯GydF4y2Ba MGydF4y2Ba 自旋转移力矩GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 320GydF4y2Ba 7.GydF4y2Ba 1190GydF4y2Ba 1216GydF4y2Ba 10.1016/j.jmmm.2007.12.019GydF4y2Ba 迈尔斯GydF4y2Ba e . B。GydF4y2Ba 拉尔夫GydF4y2Ba d . C。GydF4y2Ba 卡廷GydF4y2Ba J.A。GydF4y2Ba 路易GydF4y2Ba R.N。GydF4y2Ba BuhrmanGydF4y2Ba r。GydF4y2Ba 磁性多层器件中磁畴的电流诱导开关GydF4y2Ba 科学GydF4y2Ba 1999GydF4y2Ba 285GydF4y2Ba 5429GydF4y2Ba 867GydF4y2Ba 870GydF4y2Ba 10.1126 / science.285.5429.867GydF4y2Ba 2-s2.0-0033529526GydF4y2Ba 格罗利耶GydF4y2Ba JGydF4y2Ba 布朗克GydF4y2Ba PGydF4y2Ba 克罗斯GydF4y2Ba vGydF4y2Ba 哈姆齐奇GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 沃雷斯GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 蕨类植物GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 法伊尼GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 通过电流诱导畴壁运动前后切换自旋阀GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2003GydF4y2Ba 83GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba 509GydF4y2Ba 511GydF4y2Ba 10.1063/1.1594841GydF4y2Ba 2-s2.0-0042126737GydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 张GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba FreitasGydF4y2Ba P.P。GydF4y2Ba 马丁斯GydF4y2Ba J.L。GydF4y2Ba 磁性隧道结中的电流感应磁化开关GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2003GydF4y2Ba 82GydF4y2Ba 17GydF4y2Ba 2871GydF4y2Ba 2873GydF4y2Ba 10.1063/1.1569044GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0038297131GydF4y2Ba OzyilmazGydF4y2Ba BGydF4y2Ba 肯特GydF4y2Ba 公元前。GydF4y2Ba MonsmaGydF4y2Ba DGydF4y2Ba 太阳GydF4y2Ba j . Z。GydF4y2Ba 车GydF4y2Ba M.J。GydF4y2Ba 科赫GydF4y2Ba R.H。GydF4y2Ba Co/Cu/Co纳米柱在强磁场中的电流诱导磁化反转GydF4y2Ba 物理评论快报GydF4y2Ba 2003GydF4y2Ba 91GydF4y2Ba 6.GydF4y2Ba 067203GydF4y2Ba 10.1103/Physervlett.91.067203GydF4y2Ba 2-s2.0-0141634096GydF4y2Ba 伯克夫GydF4y2Ba D.V。GydF4y2Ba 纳米结构磁化动力学的微磁模拟及其在自旋注入中的特殊应用GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2006GydF4y2Ba 300GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 159GydF4y2Ba 163GydF4y2Ba 10.1016 / j.jmmm.2005.10.055GydF4y2Ba 2-s2.0-33644647604GydF4y2Ba 普里比亚格GydF4y2Ba 诉。GydF4y2Ba 克里沃罗托夫GydF4y2Ba I.N。GydF4y2Ba 福斯GydF4y2Ba G.D。GydF4y2Ba 布拉干萨GydF4y2Ba p . M。GydF4y2Ba 奥扎泰GydF4y2Ba O。GydF4y2Ba 桑基GydF4y2Ba J.C。GydF4y2Ba 拉尔夫GydF4y2Ba d . C。GydF4y2Ba BuhrmanGydF4y2Ba r。GydF4y2Ba 直流自旋极化电流驱动的磁涡振荡器GydF4y2Ba 自然物理学GydF4y2Ba 2007GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba 7.GydF4y2Ba 498GydF4y2Ba 503GydF4y2Ba 10.1038/nphys619GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 34547294800GydF4y2Ba 锂GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba 张GydF4y2Ba sGydF4y2Ba 绝热自旋转移力矩驱动的畴壁动力学GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2004GydF4y2Ba 70GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 024417GydF4y2Ba 10.1103 / physrevb.70.024417GydF4y2Ba 2-s2.0-37649031348GydF4y2Ba 梅尔GydF4y2Ba GGydF4y2Ba Bolte拍摄GydF4y2Ba MGydF4y2Ba 梅尔克特GydF4y2Ba UGydF4y2Ba 克鲁格GydF4y2Ba BGydF4y2Ba 普凡库赫GydF4y2Ba DGydF4y2Ba 波马合金半环电流诱导畴壁运动GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2007GydF4y2Ba 316GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba e966GydF4y2Ba e968GydF4y2Ba 10.1016/j.jmmm.2007.03.157GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 34250365265GydF4y2Ba 不结盟运动GydF4y2Ba CGydF4y2Ba 张GydF4y2Ba Y.M。GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba K.S。GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba 英国。GydF4y2Ba 基姆GydF4y2Ba T.W。GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba B.K。GydF4y2Ba 电流支持的畴壁运动到目标点的磁场GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2007GydF4y2Ba 310GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba 2023GydF4y2Ba 2025GydF4y2Ba 10.1016/j.jmmm.2006.10.929GydF4y2Ba 2-s2.0-33847668277GydF4y2Ba 阶梯GydF4y2Ba 医学博士。GydF4y2Ba 萨斯洛GydF4y2Ba w·M。GydF4y2Ba 多纳休GydF4y2Ba M.J。GydF4y2Ba 桑威尔GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 绝热畴壁运动与Landau-Lifshitz阻尼GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2007GydF4y2Ba 75GydF4y2Ba 21GydF4y2Ba 214423GydF4y2Ba 10.1103 / physrevb.75.214423GydF4y2Ba 2-s2.0-34347352062GydF4y2Ba 海滩GydF4y2Ba g·s·D。GydF4y2Ba TsoiGydF4y2Ba MGydF4y2Ba 厄斯金GydF4y2Ba J.L。GydF4y2Ba 电流诱导畴壁运动GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 320GydF4y2Ba 7.GydF4y2Ba 1272GydF4y2Ba 1281GydF4y2Ba 10.1016 / j.jmmm.2007.12.021GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 39949084151GydF4y2Ba 迪纳GydF4y2Ba r。GydF4y2Ba 场驱动畴壁的自旋泵浦GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 77GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 014409GydF4y2Ba 10.1103/physrevb.77.014409GydF4y2Ba 2-s2.0-38049038279GydF4y2Ba 町田GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 福那桥GydF4y2Ba NGydF4y2Ba AoshimaGydF4y2Ba K-I。GydF4y2Ba 宫本GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 川村GydF4y2Ba NGydF4y2Ba KugaGydF4y2Ba KGydF4y2Ba ShimidzuGydF4y2Ba NGydF4y2Ba 紧密布置的多柱自旋转换开关，具有垂直于平面的电流自旋阀GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 103GydF4y2Ba 7.GydF4y2Ba 07A713GydF4y2Ba 10.1063/1.2838473GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 42149115675GydF4y2Ba 雅加米GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 图拉普卡GydF4y2Ba A.A。GydF4y2Ba 福岛GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 铃木GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 低饱和磁化纳米磁体中的低电流自旋转移开关及其热稳定性GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2004GydF4y2Ba 85GydF4y2Ba 23GydF4y2Ba 5634GydF4y2Ba 5636GydF4y2Ba 10.1063/1.1829140GydF4y2Ba 2-s2.0-12844265481GydF4y2Ba 福斯GydF4y2Ba G.D。GydF4y2Ba 卡廷GydF4y2Ba J.A。GydF4y2Ba 基塞列夫GydF4y2Ba S.I。GydF4y2Ba 毛里GydF4y2Ba DGydF4y2Ba 伍力GydF4y2Ba K.S。GydF4y2Ba 拉尔夫GydF4y2Ba d . C。GydF4y2Ba BuhrmanGydF4y2Ba r。GydF4y2Ba MgO磁性隧道结中的自旋转矩、隧道电流自旋极化和磁电阻GydF4y2Ba 物理评论快报GydF4y2Ba 2006GydF4y2Ba 96GydF4y2Ba 18GydF4y2Ba 186603GydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevLett.96.186603GydF4y2Ba 2-s2.0-336443931GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba K.J。GydF4y2Ba 阮GydF4y2Ba T.H.Y。GydF4y2Ba 小腿GydF4y2Ba K-H。GydF4y2Ba 电流感应磁化开关临界电流密度的降低GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2006GydF4y2Ba 304GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 102GydF4y2Ba 105GydF4y2Ba 10.1016/j.jmmm.2006.02.011GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33646877667GydF4y2Ba 姜GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 于GydF4y2Ba g . H。GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba Y.B。GydF4y2Ba 滕GydF4y2Ba JGydF4y2Ba 落合GydF4y2Ba TGydF4y2Ba 手冢GydF4y2Ba NGydF4y2Ba 肌瘤GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 反对称交换偏置自旋阀的自旋转移GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2005GydF4y2Ba 86GydF4y2Ba 19GydF4y2Ba 1.GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba 192515GydF4y2Ba 10.1063/1.1927694GydF4y2Ba 2-s2.0-20844451566GydF4y2Ba 孟GydF4y2Ba HGydF4y2Ba 王GydF4y2Ba JGydF4y2Ba 王GydF4y2Ba J-P。GydF4y2Ba 磁性隧道结中自旋转移的低临界电流GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2006GydF4y2Ba 88GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba 082504GydF4y2Ba 10.1063/1.2179124GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33644550646GydF4y2Ba 张GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba 张GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba YGydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba BGydF4y2Ba 金GydF4y2Ba 问:Y。GydF4y2Ba 具有纳米电流通道的隧道结中自旋转移诱导的磁化开关GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2007GydF4y2Ba 90GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 112504GydF4y2Ba 10.1063/1.2713143GydF4y2Ba 2-s2.0-33947322998GydF4y2Ba 日元GydF4y2Ba C-T。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba 观测。GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba D-Y。GydF4y2Ba 李GydF4y2Ba Y-J。GydF4y2Ba 盛ydF4y2Ba C-T。GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba S.-Y。GydF4y2Ba 济GydF4y2Ba C-H。GydF4y2Ba 挂GydF4y2Ba C-C。GydF4y2Ba 盛ydF4y2Ba K-H。GydF4y2Ba 济GydF4y2Ba M-J。GydF4y2Ba 高GydF4y2Ba M-J。GydF4y2Ba 复合自由层自旋转矩转移开关临界电流密度的降低GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 93GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 092504GydF4y2Ba 10.1063/1.2978097GydF4y2Ba 2-s2.0-51349157072GydF4y2Ba AoshimaGydF4y2Ba KGydF4y2Ba 福那桥GydF4y2Ba NGydF4y2Ba 马基达GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 宫本GydF4y2Ba YGydF4y2Ba KugaGydF4y2Ba KGydF4y2Ba 川村GydF4y2Ba NGydF4y2Ba Heusler合金自旋阀中的电流感应磁化反转GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2007GydF4y2Ba 310GydF4y2Ba 2.GydF4y2Ba 2018GydF4y2Ba 2019GydF4y2Ba 10.1016/j.jmmm.2006.10.926GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33847677994GydF4y2Ba 约翰逊GydF4y2Ba 麻省理工。GydF4y2Ba 联合国GydF4y2Ba P.J.H。GydF4y2Ba 丹布罗德GydF4y2Ba F.J.A。GydF4y2Ba 德弗里斯GydF4y2Ba J.J。GydF4y2Ba 金属多层膜中的磁各向异性GydF4y2Ba 物理学进展报告GydF4y2Ba 1996GydF4y2Ba 59GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 1409GydF4y2Ba 1458GydF4y2Ba 10.1088/0034-4885/59/11/002GydF4y2Ba 2-s2.0-0001092285GydF4y2Ba 砂光机GydF4y2Ba DGydF4y2Ba 超薄膜中机械应力与磁各向异性的关系GydF4y2Ba 物理学进展报告GydF4y2Ba 1999GydF4y2Ba 62GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 809GydF4y2Ba 858GydF4y2Ba 10.1088/0034-4885/62/5/204GydF4y2Ba 2-s2.0-0000253876GydF4y2Ba 安GydF4y2Ba K.H。GydF4y2Ba 看门人GydF4y2Ba TGydF4y2Ba 主教GydF4y2Ba A.R。GydF4y2Ba 钙钛矿锰氧化物中的应变诱导金属-绝缘体相共存GydF4y2Ba 本性GydF4y2Ba 2004GydF4y2Ba 428GydF4y2Ba 6981GydF4y2Ba 401GydF4y2Ba 404GydF4y2Ba 10.1038/02364GydF4y2Ba 2-s2.0-1842578391GydF4y2Ba 慕克吉GydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 科尔GydF4y2Ba w·S。GydF4y2Ba 伍德沃德GydF4y2Ba PGydF4y2Ba 兰德利亚GydF4y2Ba MGydF4y2Ba TrivediGydF4y2Ba NGydF4y2Ba 应变控制磁输运理论与锰氧化物薄膜铁磁绝缘相的稳定GydF4y2Ba 物理评论快报GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 110GydF4y2Ba 15GydF4y2Ba 157201GydF4y2Ba 10.1103/PhysRevLett.110.157201GydF4y2Ba 2-s2.0-84876129272GydF4y2Ba 佩尔采夫GydF4y2Ba N.A。GydF4y2Ba 铁磁薄膜中应变诱导自旋重取向跃迁的巨磁电效应GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 78GydF4y2Ba 21GydF4y2Ba 212102GydF4y2Ba 10.1103/physrevb.78.212102GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 58149145449GydF4y2Ba 王GydF4y2Ba JGydF4y2Ba 胡GydF4y2Ba J-M。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L-Q。GydF4y2Ba 楠GydF4y2Ba C-W。GydF4y2Ba 单畴磁性薄膜的应变畴结构和稳定性图GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 103GydF4y2Ba 142413GydF4y2Ba 胡GydF4y2Ba J-M。GydF4y2Ba 楠GydF4y2Ba C.W。GydF4y2Ba 铁磁/铁电层状异质结构中电场诱导的磁易轴重取向GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2009GydF4y2Ba 80GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba 224416GydF4y2Ba 10.1103 / physrevb.80.224416GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77954737768GydF4y2Ba 佩尔采夫GydF4y2Ba N.A。GydF4y2Ba 科尔斯泰特GydF4y2Ba HGydF4y2Ba 磁化开关用超低临界电流的磁阻存储器GydF4y2Ba 先进功能材料GydF4y2Ba 2012GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba 22GydF4y2Ba 4696GydF4y2Ba 4703GydF4y2Ba 10.1002/adfm.201200878GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84869078808GydF4y2Ba 胡GydF4y2Ba J-M。GydF4y2Ba 盛GydF4y2Ba GGydF4y2Ba 张GydF4y2Ba j . X。GydF4y2Ba 楠GydF4y2Ba C.W。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 磁性薄膜应变诱导畴开关的相场模拟GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2011GydF4y2Ba 98GydF4y2Ba 11GydF4y2Ba 112505GydF4y2Ba 10.1063/1.3567542GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 79952947649GydF4y2Ba 伯杰GydF4y2Ba LGydF4y2Ba 自旋波由电流穿过的磁多层膜发出的自旋波GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 1996GydF4y2Ba 54GydF4y2Ba 13GydF4y2Ba 9353GydF4y2Ba 9358GydF4y2Ba 10.1103/physrevb.54.9353GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0001317947GydF4y2Ba SlonczewskiGydF4y2Ba J.C。GydF4y2Ba 磁性多层膜的电流驱动激励GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 1996GydF4y2Ba 159GydF4y2Ba 1-2GydF4y2Ba L1GydF4y2Ba L7GydF4y2Ba 10.1016/0304-8853(96)00062-5GydF4y2Ba 2-s2.0-0030174367GydF4y2Ba 胡GydF4y2Ba J-M。GydF4y2Ba 锂GydF4y2Ba ZGydF4y2Ba 王GydF4y2Ba JGydF4y2Ba 楠GydF4y2Ba C.W。GydF4y2Ba 应变介导磁电存储器的电场控制GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2010GydF4y2Ba 107GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 093912GydF4y2Ba 10.1063/1.3373593GydF4y2Ba 2-s2.0-77956334439GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 胡GydF4y2Ba J.M。GydF4y2Ba 杨GydF4y2Ba T.N。GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 磁隧道结中应变辅助电流诱导磁化反转：相场微弹性的微磁学研究GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2014GydF4y2Ba 105GydF4y2Ba 12GydF4y2Ba 122407GydF4y2Ba 10.1063/1.4896692GydF4y2Ba 2-s2.0-84907495100GydF4y2Ba 哈尔斯GydF4y2Ba 医学博士。GydF4y2Ba BrataasGydF4y2Ba A.GydF4y2Ba 电流诱导自旋轨道转矩的现象学GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 88GydF4y2Ba 8.GydF4y2Ba 085423GydF4y2Ba 10.1103/physrevb.88.085423GydF4y2Ba 2-s2.0-84884557770GydF4y2Ba 池田GydF4y2Ba sGydF4y2Ba 三浦GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 山本GydF4y2Ba HGydF4y2Ba MizunumaGydF4y2Ba KGydF4y2Ba 赣GydF4y2Ba 博士。GydF4y2Ba 恩多GydF4y2Ba MGydF4y2Ba 金井GydF4y2Ba sGydF4y2Ba 早川GydF4y2Ba JGydF4y2Ba MatsukuraGydF4y2Ba FGydF4y2Ba OhnoGydF4y2Ba HGydF4y2Ba 垂直各向异性CoFeB–MgO磁性隧道结GydF4y2Ba 天然材料GydF4y2Ba 2010GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 721GydF4y2Ba 724GydF4y2Ba 10.1038/nmat2804GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77956031280GydF4y2Ba 杨ydF4y2Ba sGydF4y2Ba 太阳GydF4y2Ba Z.L。GydF4y2Ba 巴扎利GydF4y2Ba Y.B。GydF4y2Ba 用自旋极化电流修改斯通-沃尔法斯星状线:一个精确的解决方案GydF4y2Ba 物理复习BGydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 88GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 054408GydF4y2Ba 10.1103 / physrevb.88.054408GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84883187903GydF4y2Ba 瓦斯GydF4y2Ba C.A.F。GydF4y2Ba 平淡的GydF4y2Ba J.A.C。GydF4y2Ba LauhoffGydF4y2Ba GGydF4y2Ba 超薄膜结构中的磁性GydF4y2Ba 物理学进展报告GydF4y2Ba 2008GydF4y2Ba 71GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 056501GydF4y2Ba 10.1088 / 0034 - 4885/71/5/056501GydF4y2Ba 2-s2.0-43349096429GydF4y2Ba CascalesGydF4y2Ba J.P。GydF4y2Ba 赫兰茨GydF4y2Ba DGydF4y2Ba 桑布里西奥GydF4y2Ba J.L。GydF4y2Ba 埃贝尔斯GydF4y2Ba UGydF4y2Ba 卡廷GydF4y2Ba J.A。GydF4y2Ba 阿利耶夫GydF4y2Ba f·G。GydF4y2Ba sub-100中的磁化反转 沿硬轴偏压超薄MgO势垒的纳米磁性隧道结GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 102GydF4y2Ba 9GydF4y2Ba 092404GydF4y2Ba 10.1063/1.4794537GydF4y2Ba 2-s2.0-84875141461GydF4y2Ba KajiwaraGydF4y2Ba YGydF4y2Ba 内田GydF4y2Ba KGydF4y2Ba 菊池GydF4y2Ba DGydF4y2Ba 一GydF4y2Ba TGydF4y2Ba 富士川GydF4y2Ba YGydF4y2Ba SaitohGydF4y2Ba EGydF4y2Ba Y中横向自旋波自旋流的自旋弛豫调制和自旋泵浦控制GydF4y2Ba3.GydF4y2Ba铁GydF4y2Ba5.GydF4y2BaOGydF4y2Ba12GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 103GydF4y2Ba 5.GydF4y2Ba 052404GydF4y2Ba 10.1063/1.4817076GydF4y2Ba 2-s2.0-84882300868GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba Z.H。GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba C.P。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 在Heusler合金Co 2feal基自旋阀纳米柱中建立电流感应磁化开关模型GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2014GydF4y2Ba 115GydF4y2Ba 13GydF4y2Ba 133905GydF4y2Ba 10.1063/1.4870291GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84898024680GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba Z.H。GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba C.P。GydF4y2Ba 史GydF4y2Ba S.Q。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 全Heusler合金自旋阀纳米柱中多能级细胞自旋转移开关的模拟GydF4y2Ba 应用物理通讯GydF4y2Ba 2013GydF4y2Ba 102GydF4y2Ba 4.GydF4y2Ba 042405GydF4y2Ba 10.1063/1.4789867GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84873579862GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba Z.H。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 在半金属Heusler合金自旋阀纳米柱中建立具有垂直磁化的大功率自旋力矩振荡器GydF4y2Ba 合金与化合物杂志GydF4y2Ba 2014GydF4y2Ba 597GydF4y2Ba 230GydF4y2Ba 235GydF4y2Ba 10.1016 / j.jallcom.2014.01.235GydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84894631472GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba Z.H。GydF4y2Ba 孟GydF4y2Ba F.Y。GydF4y2Ba 萧GydF4y2Ba Z.H。GydF4y2Ba 吴GydF4y2Ba P.P。GydF4y2Ba 史GydF4y2Ba S.Q。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 全Heusler公司自旋转移开关的微磁模拟GydF4y2Ba2.GydF4y2Ba•菲尔GydF4y2Ba0.5GydF4y2Ba硅GydF4y2Ba0.5GydF4y2Ba合金自旋阀纳米柱GydF4y2Ba 应用物理学杂志GydF4y2Ba 2011GydF4y2Ba 110GydF4y2Ba 3.GydF4y2Ba 033913GydF4y2Ba 10.1063/1.3619773GydF4y2Ba 2-s2.0-80051931609GydF4y2Ba 黄GydF4y2Ba H.B。GydF4y2Ba 文科硕士GydF4y2Ba x Q。GydF4y2Ba 赵GydF4y2Ba C.P。GydF4y2Ba 线路接口单元GydF4y2Ba Z.H。GydF4y2Ba 陈GydF4y2Ba L.Q。GydF4y2Ba 外磁场下半金属Heusler合金自旋阀纳米柱中垂直磁化大功率自旋力矩振荡器的微磁学研究GydF4y2Ba 磁性与磁性材料学报GydF4y2Ba 2015GydF4y2Ba 373GydF4y2Ba 10GydF4y2Ba 15GydF4y2Ba 10.1016/j.jmmm.2014.03.050GydF4y2Ba 2-s2.0-84908335166GydF4y2Ba